异质混合集成光电器件研究领域取得新进展
近日，暨南大学物理与光电工程学院（理工学院）教授关贺元、副教授杨铁锋、教授卢惠辉领衔的光波导混合集成与微纳光电器件团队在异质混合集成光电器件研究领域取得新进展。相关成果发表于《激光与光子学评论》（Laser & Photonics Reviews）。 集成光电探测技术在众多领域应用广泛，然而，极端条件下探测器的可靠性问题日益凸显，弱光下表现优异，强光下则易饱和吸收，导致成像失真和“致盲效应”，并引发热效应和过流问题，加速老化。因此，如何在高效转换的同时提升极端条件下的稳定性和可靠性，成为当前研究的迫切需求。 传统方法如减弱光强或增加自动增益控制虽能减轻致盲效应，但牺牲了器件的紧凑性。为解决这一难题，研究团队在前期关于混合集成实现高性能光电子器件的研究基础上，提出铁电BaTiO3和层状半导体MoS2异质混合集成策略，基于二次谐波产成（SHG）效应，显著提升了器件在可见光及近红外波段的光响应，弥补了单一材料的不足。 ......阅读全文
异质混合集成光电器件研究领域取得新进展
近日，暨南大学物理与光电工程学院（理工学院）教授关贺元、副教授杨铁锋、教授卢惠辉领衔的光波导混合集成与微纳光电器件团队在异质混合集成光电器件研究领域取得新进展。相关成果发表于《激光与光子学评论》（Laser & Photonics Reviews）。 集成光电探测技术在众多领域应用广泛，然而，
异质结在半导体光电子器件中有哪些作用
半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结构异质结图册，I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的
重庆研究院等三维石墨烯异质结光电探测器件研究获进展
近日，中国科学院重庆绿色智能技术研究院微纳制造与系统集成研究中心与香港中文大学、电子科技大学和重庆理工大学合作，在基于硅表面的三维石墨烯原位生长技术上，取得高性能异质结光电探测器方面的研究进展，相关内容以High-performance Schottky heterojunction photo
微电子所等在二维材料异质结构光电器件研究中取得进展
半导体光伏结构因其能够有效地将太阳能转化为电能，被认为是实现清洁能源的重要途径。然而早在1961年，美国科学家肖克莱、德国科学家凯赛尔便提出光伏单元的效率由于难以避免的损耗而存在理论极限。其中，由于光子吸收和再辐射导致的自发辐射损耗最为关键，这种损耗正比于自发辐射立体角和太阳光立体角的比值。太阳
光电发射器件功能介绍
光电发射阴极光电发射阴极是光电发射探测器中的光电发射体，是完成光电转换的重要部件，主要作用是吸收光子能量发射光电子，它的性能好坏直接影响整个光电发射器件的性能。主要特性参数：1.灵敏度；2.量子效率（量子效率和光谱灵敏度是一个物理量的两种表示方法）；3.光谱响应（用光谱响应特性曲线描述光电发射阴极的
光电导效应在基础光电器件中的应用
在基础光电器件中的应用(1)在探测器中的应用利用光电导效应原理工作的探测器称为光电导探测器。作为半导体材料的一种体效应，光电导效应无须形成p-n结。光照越强，光电导材料的电阻率越小，故光电导材料又称为光敏电阻。不含杂质的光敏电阻一般在室温下工作，适用于可见光和近红外辐射探测，含杂质的光敏电阻通常必须
光电导效应在基础光电器件中的应用
(1)在探测器中的应用利用光电导效应原理工作的探测器称为光电导探测器。作为半导体材料的一种体效应，光电导效应无须形成p-n结。光照越强，光电导材料的电阻率越小，故光电导材料又称为光敏电阻。不含杂质的光敏电阻一般在室温下工作，适用于可见光和近红外辐射探测，含杂质的光敏电阻通常必须在低温条件下工作，常用
集成光电子器件的发展
如同电子器件那样,光电子器件也要走向集成化。虽然不是所有的光电子器件都要集成,但会有相当的一部分是需要而且是可以集成的。目前正在发展的PLC-平面光波导线路,如同一块印刷电路板,可以把光电子器件组装于其上,也可以直接集成为一个光电子器件。要实现FTTH也好,ASON也好,都需要有新的、体积小的和廉价
集成光电子器件的发展
如同电子器件那样,光电子器件也要走向集成化。虽然不是所有的光电子器件都要集成,但会有相当的一部分是需要而且是可以集成的。目前正在发展的PLC-平面光波导线路,如同一块印刷电路板,可以把光电子器件组装于其上,也可以直接集成为一个光电子器件。要实现FTTH也好,ASON也好,都需要有新的、体积小的和廉价
上海光电子器件展2024中国(上海)光电子器件展览会—官网
电子元器件展，电子仪器仪表展，电子仪器仪表展，电子元器件展，电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，电子仪器展，电仪器展览会，继电器展，电容器展，连接器展，集成电路展2024上海国际电子元器件材料设备展览会地点：上海国际博览中心2024年11月18-20日参展咨询：021-5416 3
美发现光电混合操控粒子新方法
据物理学家组织网近日报道，美国普渡大学的研究人员发现了一种光电混合操控粒子的新方法，其可应用于传感器制造、医学诊断、食品和水源污染探测以及犯罪现场取证等。相关研究报告发表在近期出版的《朗缪尔》杂志上。 此前基于光或电场原理的仪器，只能单独放置液滴或是液滴中含有的粒子。新方法
我国学者在范德华异质结器件研究方面取得重要进展
图1. 非对称范德华异质结器件结构示意图图2.（a）非对称范德华异质结器件在不同外界电场条件下的光电流；（b）器件工作为非易失性存储和可编程整流器时的特性曲线。 在国家自然科学基金项目（项目编号：61625401、61474033，61574050）等资助下，国家纳
光电子器件的可靠性检测
物理特性测试项目1、内部水汽：确定在金属或陶瓷封装的光电子器件内部气体中水汽含量。2、密封性：确定具有内空腔的光电子器件封装的气密性。3、ESD阔值：确定光电子器件受静电放电作用所造成损伤和退化的灵敏度和敏感性。4、可燃性：确定光电子器件所使用材料的可燃性。5、剪切力：确定光电子器件的芯片和无源器件
主办EXPO－2024上海光电器件展官网」
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
氮化镓半导体材料光电器件应用介绍
GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批
石墨烯/超薄超导异质结－为研发新超导器件提供了可能
12月15日，记者从中科院上海微系统与信息技术研究所获悉，该所信息功能材料国家重点实验室姜达、胡涛等科研人员通过机械剥离实现石墨烯/超薄超导（Bi2212）异质结，并在单层晶胞乃至半层晶胞厚的Bi2212材料中发现了高于液氮温度的超导转变。相关成果发表于《自然—通讯》杂志。 Bi2212为铜基
在半导体异质结隧穿电子调控机制研究中取得进展
中国科学院上海技术物理研究所红外科学与技术重点实验室胡伟达、苗金水团队，与美国宾夕法尼亚大学教授德普·贾瑞拉合作，通过耦合局域场调控二维原子晶体能带，实现硒族半导体/硅半导体异质结隧穿电子的有效操控，为混合维度异质结构在高性能电子与光电子器件研制方面奠定了理论与实验基础。10月28日，相关研究成
“光电成像器件抗辐射性能检测设备”通过验收
7月2日，中国科学院计划财务局组织验收专家对新疆理化技术研究所承担的中科院科研装备研制项目——“光电成像器件抗辐射性能检测设备”进行了验收。 该设备由光电响应性能检测分系统、光谱传递函数与光谱响应度检测分系统、辐射定标分系统、控制与数据处理分系统及试验辅助装置等部分组成。该设备具
碳纳米管光电传感存储器件问世
电荷耦合器件（CCD）与电荷存储器件（Memory）作为现代电子系统中两个独立分支分别沿着各自的路径发展，同时具备光电传感和存储功能的碳基原型器件尚未见报道。近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心联合中科院苏州纳米所、吉林大学，于《先进材料》（Advanced Materials）在
半导体异质结隧穿电子调控机制研究取得进展
中科院上海技物所红外科学与技术重点实验室胡伟达、苗金水团队与宾州大学德普·贾瑞拉教授合作，通过耦合局域场调控二维原子晶体能带，实现硒族半导体/硅半导体异质结隧穿电子的有效操控，为混合维度异质结构在高性能电子与光电子器件研制方面提供了理论与实验基础。相关成果于2022年10月28日以“Heteroju
科学家开发出石墨烯硅光电混合芯片
据物理学家组织网7月16日(北京时间)报道，美国哥伦比亚大学一项新研究证明石墨烯具有卓越的非线性光学性能，并据此开发出一种石墨烯-硅光电混合芯片。这种硅与石墨烯的结合，让人们离超低功耗光通信近了一步，让该技术在光互连以及低功率光子集成电路领域具有广泛的应用价值。相关论文发表在《自然·光学》杂志网
有它助阵，集成光电子器件加工不再难
兰州大学物理科学与技术学院教授田永辉课题组与澳大利亚皇家墨尔本理工大学教授阿南?米切尔课题组及上海交通大学教授苏翼凯课题组合作，通过在薄膜铌酸锂晶圆表面沉积一层氮化硅，利用传统的刻蚀技术仅仅刻蚀氮化硅层形成亚波长光栅波导，有效应对了薄膜铌酸锂集成光电子器件难以加工制作的挑战，降低了器件尺寸、提升了芯
光电纳米材料及元器件重大专项通过验收
中国科学院福建物质结构研究所承担的福建省科技重大专项新颖光电纳米材料及其原型器件研发日前通过了省级验收。 据介绍，该项目主要研发应用于显示和发光中的强荧光纳米高聚物材料、低核有机金属电致发光纳米材料、蓝光/紫外激光材料等纳米光电材料与器件。在强荧光纳米高聚物材料研发方面，获得10多种在紫外
超平整石墨烯晶圆转移与集成光电器件
石墨烯等二维材料的载流子迁移率高、光-物质相互作用强、物性调控能力优，在高带宽光电子器件领域具有重要的科学价值和广阔的应用前景。当前，发展与主流半导体硅工艺兼容的二维材料集成技术受到业内广泛关注，其中首要的挑战是将二维材料从其生长基底高效转移到目标晶圆衬底上。然而，传统的高分子辅助转移技术通常会
2016年微纳米光电材料与器件国际高层论坛举行
11月6日，由重庆文理学院、重庆市2011微纳米光电材料与器件协同创新中心主办，永川区科协协办，重庆文理学院建校40周年纪念系列活动之一——“2016年微纳米光电材料与器件国际高层论坛”在文理学院志仁楼报告厅举行。 中国工程院院士、重庆文理学院名誉校长涂铭旌，中国工程院院士、哈尔滨工业大学教授
光纤通信系统集成光电子器件的发展
自动交换的光网，称为ASON，是进一步发展的方向。 集成光电子器件的发展 如同电子器件那样，光电子器件也要走向集成化。虽然不是所有的光电子器件都要集成，但会有相当的一部分是需要而且是可以集成的。正在发展的PLC-平面光波导线路，如同一块印刷电路板，可以把光电子器件组装于其上，也可以直接集成为
《电子倍增电荷耦合成像器件光电性能通用测试方法》发布
2021年6月，中国分析测试协会标准化委员会组织了以张新荣教授为组长的“仪器及零部件性能测试方法标准工作组”，对中国电子科技集团第四十四研究所及钢研纳克检测技术股份有限公司在完成《国家重大科学仪器设备开发专项》项目时制定的《电子倍增电荷耦合成像器件光电性能通用测试方法》CAIA标准草案和编制说明，进
光电所在基于光纤器件的相干偏振合成研究方面取得进展
日前，中国科学院光电技术研究所自适应光学重点实验室李新阳、耿超课题组在相干偏振合成技术研究中取得新进展：提出了基于光纤器件的相干偏振合成技术，分别采用相位控制和偏振控制的方法实现了高效的光纤内相干偏振合成。该技术基于全保偏光纤器件，无需考虑空间误差的影响，系统稳定性高、可靠性好、易于与其他光纤器
苏州纳米所在新型氮化镓基光电器件领域取得进展
近年来，大数据、互联网和人工智能的快速发展，对数据处理的速度和效率提出了更高的要求。人类大脑是最复杂的计算系统之一，可以通过密集协调的突触和神经元网络同时存储、整合和处理大量的数据信息，兼具高速和低功耗的优势。受人脑的启发，人工突触器件应运而生。人工突触器件因具有同时处理和记忆数据的能力而备受关
官网2024全球半导体光电器件(深圳)博览会
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)