氮化钽基本信息好性质
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近代物理所成功加速高熔点钽离子
近期，中国科学院近代物理研究所在HIRFL加速器上首次成功加速能量为12.5MeV/u的181Ta31+束流，为国内外30多家用户的单粒子效应及辐照实验提供了累计超过200小时的束流，填补了国内单粒子效应实验工程关键考核点空白。 本次成功加速Ta离子，是对兰州重离子加速器数个工作状态极限的挑战
氮化铟的应用特点
氮化铟是一种新型的三族氮化物材料。这种材料的引人之处在于它的优良的电子输运性能和窄的能带，有望应用于制造新型高频太拉赫兹通信的光电子器件。氮化铟(InN)是氮化物半导体材料的一种。常温常压下的稳定相是六方纤锌矿结构,是一种直接带隙半导体材料。
氮化铟的基本特性
利用金属有机化学气相淀积生长的氮化铟薄膜的光致发光特性，由于氮化铟本身具有很高的背景载流子浓度，费米能级在导带之上，通过能带关系图以及相关公式拟合光致发光图谱可以得到生长的氮化铟的带隙为0.67cV,并且可以计算出相应的载流子浓度为 n = 5.4×10cm，从而找到了一种联系光致发光谱与载流子浓度
氮化铟的结构特点
氮化铟是一种新型的三族氮化物材料。这种材料的引人之处在于它的优良的电子输运性能和窄的能带，有望应用于制造新型高频太拉赫兹通信的光电子器件。氮化铟纳米结构是研制相关量子器件的基础。然而，一直以来，InN纳米材料的生长往往要利用铟的氧化物或氯化物，这会在氮化铟纳米材料中引入许多杂质，致使材料的光学、电学
氮化钛的生产方法
1.将金属钛放入加热炉中，在氮气气流中，加热至1000～1400℃反应直接得到氮化钛。或者将二氧化钛和碳以一定比例充分混合，放入加热炉中，在氮气气流中加热至1250℃还原氮化制得氮化钛。采用气相沉积法，由四氯化钛、氮气、氢气混合气体可以得到氮化钛涂层。2.往四氯化钛的蒸发器中通入H2和N2的混合气体
氮化铝的应用历史
氮化铝于1877年首次合成。至1980年代，因氮化铝是一种陶瓷绝缘体(聚晶体物料为70-210W‧m−1‧K−1，而单晶体更可高达275W‧m−1‧K−1)，使氮化铝有较高的传热能力，至使氮化铝被大量应用于微电子学。与氧化铍不同的是氮化铝无毒。氮化铝用金属处理，能取代矾土及氧化铍用于大量电子仪器。氮
叠氮化钡的简介
叠氮化钡亦称“氮化钡”，在水中分解成氢氧化钡和氨气。叠氮化钡作为一种新型的，性能优越的灯用消气剂被越来越多的光源生产厂家采用而替代传统的消气剂。更为突出的是，近年来，由台湾、韩国引进的汽车泡生产线，11Chemicalbook0V起辉器生产线，以及部份节日泡、装饰泡生产线等都要使用叠氮化钡作为消气剂
偶氮化合物的什么是偶氮化合物AZO
偶氮化合物具有顺、反几何异构体(见几何异构)。反式比顺式稳定。两种异构体在光照或加热条件下可相互转换： 偶氮化合物主要通过重氮盐的偶联反应制得，例如： 氢化偶氮化合物和芳香胺在氧化剂[如NaOBr、CuCl2、MnO2和Pb(OAc)4等】存在下,可被氧化为相应的偶氮化合物;氧化偶氮化合物和硝基化合
钽表面的甲烷等离子渗碳改性技术研究
为了增强钽表面的高温抗氧化、抗腐蚀性能,使用基于空心阴极效应的离子渗碳法,以氩气和甲烷作为渗碳气体对钽片表面进行渗碳实验,利用X射线衍射、扫描电镜、俄歇电子能谱分别对改性层进行成分、形貌及元素化学状态等分析。实验结果表明,在渗碳温度1300℃,渗碳时间20 min的条件下可以得到由Ta C与Ta2C
BENEQ－原子层沉积系统共享应用
仪器名称：BENEQ 原子层沉积系统仪器编号：09016504产地：芬兰生产厂家：BENEQ型号：TFS200-106出厂日期：200810购置日期：200910所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹秉军（010