氮化锌的基本信息和性质
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氮化锌－用途与合成方法
生产方法将装有约7g锌粉的瓷舟放置在石英玻璃管内，急速通入氨气，同时加热该管。在500℃时，通氨气17h；在550℃Chemicalbook时，通氨气8h；最后在600℃时，再通氨气16h。在这一过程中，约有3g锌由于蒸发而损失掉，其余的锌变成了Zn3N2。
氮化铟－用途简介
氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中，氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性，它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质，这些使Chemicalbook得氮化铟相对于氮化铝(AlN)
氮化铬生产方法
生产方法1.将低碳铬铁在真空加热炉于1150℃氮化得到粗氮化铬铁，再经硫酸处理，除去铁杂质。经过滤、水洗、干燥，即得氮化铬。也可由氨和卤化铬反应制得。2.将高纯度电解铬粉末，在150mmHg(1mmHg=133.322Pa)柱的氮气流中，于1060℃下加热160h之后，排出氮气并进行急冷，则制得Cr
氮化铟制备方法
步骤S1、提供一衬底，在所述衬底上沉积一层介电薄膜；步骤S2、对所述介电薄膜进行图案化，得到均匀排列的多个介电凸台；步骤S3、提供一反应室，将所述形成有介电凸台的衬底放入反应室中并将所述反应室抽真空；步骤S4、在所述介电凸台及衬底上Chemicalbook生长缓冲层，在介电凸台的阻挡下，所述缓冲层的
氮化铟的应用特点
氮化铟是一种新型的三族氮化物材料。这种材料的引人之处在于它的优良的电子输运性能和窄的能带，有望应用于制造新型高频太拉赫兹通信的光电子器件。氮化铟(InN)是氮化物半导体材料的一种。常温常压下的稳定相是六方纤锌矿结构,是一种直接带隙半导体材料。
氮化铟的基本特性
利用金属有机化学气相淀积生长的氮化铟薄膜的光致发光特性，由于氮化铟本身具有很高的背景载流子浓度，费米能级在导带之上，通过能带关系图以及相关公式拟合光致发光图谱可以得到生长的氮化铟的带隙为0.67cV,并且可以计算出相应的载流子浓度为 n = 5.4×10cm，从而找到了一种联系光致发光谱与载流子浓度