上海微系统所开发出面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得进展。8月7日,相关研究成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》(Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-gate 2D transistors)为题,发表在《自然》(Nature)上。硅基集成电路是现代技术进步的基石,但在尺寸缩小方面面临着严峻挑战。当硅基晶体管沟道厚度接近纳米尺度时特别是小于几纳米,晶体管的性能会显著下降,而进一步发展将面临物理极限。二维半导体材料具有高载流子迁移率和抑制短沟道效应等优势,是下一代集成电路芯片的理想沟道材料。然而,二维半导体沟道材料缺少与之匹配的高质量栅介质材料,导致二维晶体管实际性能与理论存在较大差异。传统硅基非晶栅介质材料表面悬挂键较多,与二维半导体材料形成的界面存在大量电子陷阱,影响二维晶体管性能......阅读全文
上海微系统所等晶圆级高精度瞬态生物光刻研究获进展
近日,中国科学院上海微系统所传感技术国家重点实验室陶虎课题组,联合复旦大学附属华山医院神经外科、江苏科技大学蚕业研究所等研究机构的科研人员,开发出对紫外光敏感且分子量均一的蚕丝蛋白轻链溶液,并基于该溶液,结合传统紫外光刻工艺,实现了晶圆级高精度绿色瞬态生物光刻。相关成果以Precise Prot
投资1500万美元-韩国晶圆检测设备项目进驻青岛高新区
日前,青岛高新区与韩国江友科技株式会社就晶圆检测分选一体化设备项目举行签约仪式,市委常委、副市长、高新区工委书记张惠,管委副主任赵士玉,韩国江友科技株式会社社长金大准及高新区投资促进局相关负责同志出席了签约仪式。 投资方韩国江友科技株式会社是生产晶圆分选一体化设备的专业公司,拥有多项
「官网」2024深圳12届国际半导体晶圆制造展「半导体展会」
「官网」2024深圳12届国际半导体展「半导体展会」展会时间:2024年4月9日-11日论坛时间:2024年4月9日-11日举办地点深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模: 面积10万平米,展商1800余家,展位3600多个,观众近10万人次展会报名:136 (李先生)中间四位数:5
「官网」2024深圳12届国际半导体晶圆制造展「半导体展会」
「官网」2024深圳12届国际半导体展「半导体展会」展会时间:2024年4月9日-11日论坛时间:2024年4月9日-11日举办地点深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模: 面积10万平米,展商1800余家,展位3600多个,观众近10万人次展会报名:136 (李先生)中间四位数:5
2024北京硅晶圆展|2024第21届北京半导体展览会
2024第二十一届中国国际半导体博览会(IC China)时 间:2024 年 9 月 5 一 7 日地 点:中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询:021-5416 3212大会负责人:李经理 136 5198 3978(同微)(IC China)自2003年起已连续成功举办二十届,是我国半
电子展2024年上海晶圆制造及封装展时间+地点+展会安排
展会名称:2024中国(上海)国际半导体展览会英文名称:China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间:2024年11月18-20日 论坛时间:2024年11月18-19日 展会地点:上海新国际
科学家突破单层二硫化钼8英寸晶圆外延技术
近日,我国科学家在科技部重点研发计划、国家自然科学基金委等项目的支持下,突破单层二硫化钼8英寸晶圆外延技术。相关成果发表于《先进材料》(Advanced Materials)。由松山湖材料实验室、中国科学院物理研究所、北京大学、华南师范大学组成的联合研究团队在松山湖材料实验室研究员张广宇的指导下,基
2024北京硅晶圆博览会「参展咨询」「9月57日」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会(IC CHINA)时 间:2024 年 9 月 5 一 7 日地 点:中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询:021-5416 3212大会负责人:李经理 136 5198 3978(同微)作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会,自 2003 年起已连
如何在电浆蚀刻制程中控制晶圆的制程均匀度?
为了达成良率与元件效能需求,控制制程变异性,取得可重复的稳定结果是非常重要的。随着技术节点的进展,以及设计规则的改变,业界需要更严格的制程控制。有许多因素会造成变异性,所有的案例一般可归纳为:在晶粒中、晶圆、晶圆到晶圆、以及腔体到腔体。 通常,晶圆变异只能低于整体变异性的三分之一。例如
粗晶,准晶,液晶,非晶,纳米晶的结构,特点
晶粒是另外一个概念,搞材料的人对这个最熟了。首先提出这个概念的是凝固理论。从液态转变为固态的过程首先要成核,然后生长,这个过程叫晶粒的成核长大。晶粒内分子、原子都是有规则地排列的,所以一个晶粒就是单晶。多个晶粒,每个晶粒的大小和形状不同,而且取向也是凌乱的,没有明显的外形,也不表现各向异性,是多晶。
低能离子辐照实现晶圆级大面积超高线密度光栅器件制备
6月4日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室在《自然-通讯》杂志上在线发表了题为《采用反向外延技术实现晶圆级亚50nm周期的光栅器件制备》(Realization of wafer-scale nanogratings with sub-50 nm period th
半导体所等实现晶圆级高质量InAs纳米结构的维度调控
最近,国际期刊《纳米快报》(Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561)报道了中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者在晶圆级高质量InAs纳米结构维度调控方面的最新研究成果。 InAs是一种重要的III-V
利用深紫外激光PEEM/LEEM对晶圆六方氮化硼结构表征研究
近日,中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室研究员傅强团队与台积电(TSMC)Lain-Jong Li团队、台湾交通大学Wen-Hao Chang团队、美国莱斯大学B. I. Yakobson团队、北京大学教授张艳峰团队合作,在2英寸晶圆衬底上成功外延生长单晶六方氮化硼(hBN)单层
「官网」2024深圳12届国际半导体晶圆制造工艺展「半导体展会」
「官网」2024深圳12届国际半导体展「半导体展会」展会时间:2024年4月9日-11日论坛时间:2024年4月9日-11日举办地点深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模: 面积10万平米,展商1800余家,展位3600多个,观众近10万人次展会报名:136 (李先生)中间四位数:5
2024中国(上海)国际硅晶圆展览会(时间/地点/展览馆)
展会名称:2024中国(上海)国际半导体展览会英文名称:China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间:2024年11月18-20日 论坛时间:2024年11月18-19日 展会地点:上海新国际
2024中国(上海)国际晶圆制造展览会(时间/地点/展览馆)
展会名称:2024中国(上海)国际半导体展览会英文名称:China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间:2024年11月18-20日 论坛时间:2024年11月18-19日 展会地点:上海新国际
什么是非晶纳米晶
非晶纳米晶是一种金属合金,但是由于其特殊的工艺将其变成了非晶态,所以非晶又被叫做玻璃金属。而纳米晶是是再非晶的基础上其尺寸大小为纳米级别,非晶纳米晶是非晶和纳米晶的混合体
永新光学:光学产品助力光通讯、半导体晶圆及集成电路检测
永新光学11月13日在互动平台表示,目前公司生产的光刻镜头可应用于PCB光刻设备。此外,公司生产的光学显微镜及光学元组件可用于光通讯、半导体晶圆及集成电路的检测等领域。永新光学: 永新光学股份有限公司成立于1997年,其子公司南京江南永新光学有限公司最早成立于1943年。公司是一家精密光学仪器
电子封装展会|2024上海国际晶圆级封装展览会「上海电子封装展」
展会名称:2024中国(上海)国际电子封装测试展览会英文名称:China (Shanghai) International Electronic Packaging and Testing Exhibition 2024大会负责人:李经理 136 5198 3978(同微)展会时间:2024年11月
2024邀您参展|中国(上海)国际硅晶圆及IC封装载板博览会
展会名称:2024中国(上海)国际半导体展览会英文名称:China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间:2024年11月18-20日 论坛时间:2024年11月18-19日 展会地点:上海新国际
电子展2024年上海硅晶圆及IC封装载板展时间+地点+展会安排
展会名称:2024中国(上海)国际半导体展览会英文名称:China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间:2024年11月18-20日 论坛时间:2024年11月18-19日 展会地点:上海新国际
高压碳化硅解决方案:改善4HSiC晶圆表面的缺陷问题2
其他仪器方面,本实验使用Nanometrics公司的Stratus傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)测量样品厚度。表面分析实验则使用Dimension 3100原子力显微镜(AFM)。显微镜为接触测量模式,装备一个单晶矽针尖。为取得更大的扫描区域,扫描尺寸是90×90μm2,扫描
高压碳化硅解决方案:改善4HSiC晶圆表面的缺陷问题1
碳化硅(SiC)在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。但尽管商用4H-SiC单晶圆片的结晶完整性最近几年显着改进,这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。经研究证实,晶圆衬底的表面处理时间越长,则表面缺陷率也会跟着增加。 碳化硅(SiC)兼有宽能带隙、高电击穿场强、高热导率、高
淬火介质
工件进行淬火冷却所使用的介质称为淬火冷却介质(或淬火介质)。理想的淬火介质应具备的条件是使工件既能淬成马氏体,又不致引起太大的淬火应力。常用的淬火介质有水、水溶液、矿物油、熔盐、熔碱等。● 水水是冷却能力较强的淬火介质。优点: 来源广、价格低、成分稳定不易变质。缺点: 冷却能力不稳定,易使工件变形或
光学接触角测量仪仪用于测试晶圆-电镀金钢的接触角值
采用遮光片技术后测试小于6度的接触角测值,可以看出此时的图像边缘非常清晰,拟合图片时的计算精度非常高。 由于本视频中采用了自动进液的方式,可以看出测试过程只要按一个进液钮,软件自动完成了液滴滴出以及转移到固体表面的动作,非常方便。 当然,小接触角的测试对于通常没有装有遮光片的接触角仪而言,成像
物理所实现多层MoS2外延晶圆推动二维半导体的器件应用
以二硫化钼为代表的二维半导体材料,因其极限的物理厚度、极佳的柔性/透明性,是解决当前晶体管微缩瓶颈及构筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半导体芯片的一类新材料。近年来,国际上已在单层二硫化钼的晶圆制备及大面积器件构筑方面不断突破,在晶圆质量和器件性能方面逐渐逼近极限。例如,中国科学院物理研究所
半导体展会|2024上海硅晶圆及IC封装载板展览会「上海半导体展」
展会名称:2024中国(上海)国际半导体展览会英文名称:China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间:2024年11月18-20日 论坛时间:2024年11月18-19日 展会地点:上海新国际
晶圆代工厂粤芯融资45亿元-投后估值200亿元
晶圆制造领域迎来巨额融资。6月30日,广州粤芯半导体技术有限公司(下称“粤芯”)宣布于近日完成45亿元的新一轮融资。多名接近粤芯的人士告诉财新,该轮融资后,粤芯投后估值达到200亿元。 粤芯本轮融资由广东省半导体及集成电路产业投资基金和广汽资本联合领投,并引入上汽、北汽等车企旗下产业资本,以及越秀
2024年上海国际晶圆制造与封装展会及集成电路设计及芯片展会
展会名称:2024中国(上海)国际半导体展览会英文名称:China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间:2024年11月18-20日 论坛时间:2024年11月18-19日 展会地点:上海新国际