如何在电浆蚀刻制程中控制晶圆的制程均匀度？
为了达成良率与元件效能需求，控制制程变异性，取得可重复的稳定结果是非常重要的。随着技术节点的进展，以及设计规则的改变，业界需要更严格的制程控制。有许多因素会造成变异性，所有的案例一般可归纳为：在晶粒中、晶圆、晶圆到晶圆、以及腔体到腔体。 通常，晶圆变异只能低于整体变异性的三分之一。例如，在14奈米节点，闸极关键尺寸(CD)的允许变异值为低于2.4奈米，其中晶圆变异只能允许约0.84奈米。在5奈米节点，晶圆的允许变异值低于0.5奈米，这相当于2到3个矽晶原子的大小。在本文中，我们将讨论如何在电浆蚀刻制程中控制晶圆的制程均匀度，此技术在业界的演进，以及其他的重要议题。 达成均匀度有难度 蚀刻腔体设计再进化 在蚀刻制程中控制均匀度的主要挑战，在于电浆组成粒子的复杂度。若要达到满意的蚀刻结果(即对不同选择比的薄膜材料经过蚀刻后的结构剖面)，需要管理不同离子与中子的比例(如Ar+、C4F8、C4F6+、O、O2+)。因为......阅读全文
如何在电浆蚀刻制程中控制晶圆的制程均匀度？
为了达成良率与元件效能需求，控制制程变异性，取得可重复的稳定结果是非常重要的。随着技术节点的进展，以及设计规则的改变，业界需要更严格的制程控制。有许多因素会造成变异性，所有的案例一般可归纳为：在晶粒中、晶圆、晶圆到晶圆、以及腔体到腔体。 通常，晶圆变异只能低于整体变异性的三分之一。例如
能力验证控制程序
一、目的 为了保证检测结果的有效性，规范检测试验中心开展的能力验证和比对试验活动，补充内部质量控制程序中的控制手段，特制定本程序。 二、范围 本程序适用于检测试验中心参加能力验证活动、开展实验室比对。 三、定义 无 四、职责 4.1 技术负责人：根据CNAS的要求，组织制定能力验证和比对试验活动计
一文读懂IC设计/晶圆/纳米制程/封装都是啥？（二）
纳米制程是什么？ 三星以及台积电在先进半导体制程打得相当火热，彼此都想要在晶圆代工中抢得先机以争取订单，几乎成了 14 纳米与 16 纳米之争，然而 14 纳米与 16 纳米这两个数字的究竟意义为何，指的又是哪个部位？而在缩小制程后又将来带来什么好处与难题？以下我们将就纳米制程
一文读懂IC设计/晶圆/纳米制程/封装都是啥？（一）
大家都是电子行业的人，对芯片，对各种封装都了解不少，但是你知道一个芯片是怎样设计出来的么？你又知道设计出来的芯片是怎么生产出来的么？看完这篇文章你就有大概的了解。 复杂繁琐的芯片设计流程 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必
核酸提取和纯化控制程序
核酸提取和纯化控制程序 1. 目的：规定DNA和RNA核酸样本提取和纯化实验应遵守的操作。 2. 适用范围：生物样本提取DNA和RNA核酸，并包括对核酸样品的长期保存。 3. 基本定义和术语： DNA，脱氧核糖核：基因组DNA构成了生物体的完整遗传信息。几乎所有生物体的基
酶制剂在黄酒制程中的作用
黄酒生产中添加的酶制剂主要有淀粉酶、糖化酶、蛋白酶等其他酶制剂。现将糖化酶在黄酒生产中的应用作一介绍。一、工艺流程淋饭酒母→麦曲、糖化酶→原料→浸米→淋米→蒸米→摊晾→落缸发酵→喂饭→后发酵→压榨→酒糟。二、主要技术参数采用传统工艺，淋饭酒母，纯种麦曲，大罐发酵。1.糖化酶的使用量。淋饭酒母和喂饭发
PFA花篮6寸可承载25pcs硅片特氟龙立式放置晶圆盒可定制无溶出与析出
A花篮（PFA wafer Cassette） 又名 清洗花蓝 ，特氟龙卡匣 ， 特氟龙晶舟盒 ，特氟龙晶圆盒为承载半导体晶圆片/硅片的容器，耐酸耐碱耐腐蚀(强酸、强氟酸、强碱)，能做激光雕刻，能够安装RFID。保持载体和物料的跟踪。主要用于半导体蚀刻部门之酸碱制程中使用、传送晶圆。我司PFA花篮，
锂离子电池控制程序的介绍
单个锂离子电池和完整锂离子电池的充电程序略有不同。 单个锂离子电池分两个阶段充电： 1、恒流(CC)。 2、恒压(CV)。 锂离子电池（一组串联的锂离子电池）分三个阶段充电： 1、恒流。 2、平衡（电池平衡后不需要）。 3、恒压。 在恒流阶段，充电器以稳定增加的电压向电池施加恒流
ELISA质量控制室内质量控制程序
临床检验的检测结果，每次或每天之间不可能没有误差。决定允许的误差范围，以临床上不造成误诊与漏诊为准，通过以下步骤来确定质控范围。一、最佳条件下的测定误差最佳条件下已知值质控血清变异（optimal conditio variance,简称OCV）的测定：在本实验室最佳条件下（包括操作者、试剂、仪器等
解析先进半导体制程未来可能面临的挑战及解决办法2
随着线宽的微缩，对于黄光微影与蚀刻的挑战当然不在话下，曝光显影的线宽一致性（Uniformity），光阻材料（Photo Resist，PR）的选择，都将会影响到后续蚀刻的结果。蚀刻后导线的线边缘粗糙度（Line Edge Roughness，LER），与导线蚀刻的临界尺寸（Critic
半导体设备常见类型和分类
作为芯片领域的核心推动力，半导体设备在晶圆制造、封装测试、质量控制和制程过程中扮演着不可替代的角色。以下是一些常见的半导体设备，这些是半导体设备中的一些常见类型，它们共同构成了半导体制造过程中不可或缺的组成部分。一、晶圆制造设备晶圆制造设备是半导体制造过程中的核心设备之一。它包括光刻机、薄膜沉积设备
SPOS技术在半导体CMP制程中的应用
胶体混悬液与分散体有着十分广泛应用领域，而决定这些体系质量和稳定性的重要因素就是其内部的粒径分布，因而准确掌握这些体系的粒径分布特征就能确保其在广泛领域的成功应用。相对于一些整体检测技术，如：激光衍射技术与超声衰减技术，单粒子光学传感技术 (Single Particle Optical Sensi
实验室设施和环境条件控制程序
1. 实验室位于医院的适宜位置或楼层，便于病人识别、前往，便于与相关医护人员协调工作。2. 夜间急诊处设发光指示。3. 实验室应设等候区域，配备一定的服务设施，尽量使病人感到舒适和安慰。4. 实验室设采样区域和采样窗口，应使病人感到舒适和安全。5. 实验室应设无障碍通道或特殊操作区域，便于为有特殊要
ELISA试剂盒室内质量控制程序
ELISA试剂盒室内质量控制误差：① 条件下的测定误差。② 已知值的血清在常规检验条件下的误差。③ 未知值的血清在常规检验条件下的误差。④ 临床应用的要求。ELISA试剂盒室内质量控制程序：1）确定控制的对象。2）规定控制对象的标准（预期值）。3）制定或选择控制方法和手段。4）测量实际数据。5）比较
解析：半导体nm制程指的是哪里？
半导体制程指的是MOS管实际制造结束时的栅级引线宽度，也就是栅级多晶硅的宽度。 当然，实际中源极和漏极会有少量延伸到栅级下面，所以源极和漏极的实际分隔距离小于栅级宽度。这个有效分开距离被称为有效沟道长度，对晶体管而言是最重要的参数。不过这个参数很难测量，所以一般直接用栅级引线宽度来
半导体生产流程
半导体生产流程 所谓的半导体，是指在某些情况下，能够导通电流，而在某些条件下，又具有绝缘体效用的物质；而至于所谓的IC，则是指在一半导体基板上，利用氧化、蚀刻、扩散等方法，将众多电子电路组成各式二极管、晶体管等电子组件，作在一微小面积上，以完成某一特定逻辑功能（例如：AND、OR、NAND等），进而
解析先进半导体制程未来可能面临的挑战及解决办法1
7奈米制程节点将是半导体厂推进摩尔定律（Moore’s Law）的下一重要关卡。半导体进入7奈米节点后，前段与后段制程皆将面临更严峻的挑战，半导体厂已加紧研发新的元件设计构架，以及金属导线等材料，期兼顾尺寸、功耗及运算性能表现。 台积电预告2017年第二季10奈米芯片将会量产，7奈米制程的量产
高压碳化硅解决方案：改善4HSiC晶圆表面的缺陷问题2
其他仪器方面，本实验使用Nanometrics公司的Stratus傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)测量样品厚度。表面分析实验则使用Dimension 3100原子力显微镜(AFM)。显微镜为接触测量模式，装备一个单晶矽针尖。为取得更大的扫描区域，扫描尺寸是90×90μm2，扫描
详解芯片的设计生产流程（三）
分层施工，逐层架构知道 IC 的构造后，接下来要介绍该如何制作。试想一下，如果要以油漆喷罐做精细作图时，我们需先割出图形的遮盖板，盖在纸上。接着再将油漆均匀地喷在纸上，待油漆乾后，再将遮板拿开。不断的重复这个步骤后，便可完成整齐且复杂的图形。制造 IC 就是以类似的方式，藉由遮盖
面粉水分控制程度对成品质量的影响水分仪完胜
小麦水分含量的高低是影响面粉品质的一个重要的因素，在小麦粉的研磨制作过程中，小麦水分调节是制粉工艺中一道非常重要的工序。合理的调整小麦水分含量，可以进一步的提升小麦粉的面粉质量。 小麦水分过低，不仅会使粉厂遭受损失，还会使小麦皮层易破碎，细小麸屑混入面粉，使面粉粉色下降，质量变次。小麦水分
面粉水分控制程度对成品质量的影响水分仪完胜
小麦水分含量的高低是影响面粉品质的一个重要的因素，在小麦粉的研磨制作过程中，小麦水分调节是制粉工艺中一道非常重要的工序。合理的调整小麦水分含量，可以进一步的提升小麦粉的面粉质量。小麦水分过低，不仅会使粉厂遭受损失，还会使小麦皮层易破碎，细小麸屑混入面粉，使面粉粉色下降，质量变次。小麦水分过高，会使制
半导体乍暖还寒－降价潮席卷晶圆代工厂
半导体晶圆代工降价潮开始从二线厂向一线蔓延，从成熟制程向先进制程扩散。 台积电7nm制程降价，降幅5%-10%左右，以缓解产能利用率下滑的状况。 此前曾有消息指出，台积电明年将针对部分成熟制程恢复价格折让，折让幅度在2%左右，但当时代工价格并未调降，价格折让主要是在光罩费用折抵，本次的7nm
台积电扩厂典礼引发民众焦虑，美国高兴坏了
12月26日消息，近期台积电宣布扩大美国投资，外派工程师赴美支援，引发“去台化”疑虑。据中国台湾媒体报道，台积电将于12月29日举行3nm量产暨扩厂典礼，罕见以实际行动宣示持续深耕台湾的决心，化解外界疑虑。 根据台积电发出活动通知显示，预计将于12月29日在台南科学园区的晶圆18厂新建工程基地
台积电－2nm－制程报价直逼－2.5－万美元，新品价格持续走高
IT之家 6 月 27 日消息，据台媒《电子时报》援引 IC（集成电路，即芯片行业 / 半导体行业）从业者报道表示，当前台积电 2nm 制程业务已经与厂商展开合作洽谈，尽管半导体产业目前处于逆风，台积电仍然维持强势状态。 业内人士称，在 3nm 制程报价维持 2 万美元上下的同时，将于 20
陶氏化学工厂爆炸－牵动半导体关键耗材生产
陶氏化学美国路州厂在美国时间7月15日传出爆炸起火事件，虽无人伤亡，惟该厂生产光刻胶、抛光垫／液等半导体关键耗材，主要供成熟制程晶圆制造使用，牵动业界神经，联电、世界、力积电等中国台湾晶圆代工成熟制程相关厂商密切关注后续发展，目前均评估不影响生产。 陶氏化学为全球半导体关键化学材料重要供应商，
涂胶显影设备的前景
涂胶显影设备是芯片制程中必不可少的处理设备，利用机械手实现晶圆在各系统间的传输和加工，与光刻机达成完美配合从而完成晶圆的光刻胶涂覆、固化、显影等工艺过程。作为光刻机的输入即曝光前光刻胶涂覆和输出即曝光后图形的显影，涂胶显影机的性能不仅对细微曝光处的形成造成直接影响，而且其显影工艺的图形质量和误差
晶圆切割设备——晶圆切割机的原理？
芯片切割机是非常精密之设备，其主轴转速约在30,000至 60,000rpm之间，由于晶粒与晶粒之间距很小而且晶粒又相当脆弱，因此精度要求相当高，且必须使用钻石刀刃来进行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分开。由于系采用磨削的方式进行切割，会产生很多的小粉屑，因此 在切割过程中必须不断地用
水滴角测量仪应用芯片半导体行业（晶圆wafer）的关键
半导体芯片行业特别是晶圆制程中对于清净度的要求非常高，只有符合要求的晶圆才可视为合格品。作为测试等离子清洗效果评估的唯一手段，水滴角测量仪是评估晶圆品质的最有效的工具。2018年以来，中国的芯片行业得到了迅速发展，因而，对于水滴角的测试提出了更高要求。根据水滴角测试基本原理：固体样品表面因本身存在的
离子注入装备28纳米工艺制程全覆盖
记者29日从中国电子科技集团获悉，该集团旗下中电科电子装备集团有限公司（以下简称电科装备）已实现离子注入装备28纳米工艺制程全覆盖，有力保障我国集成电路制造行业在成熟制程领域的产业安全。 据悉，离子注入机是芯片制造中的关键装备，28纳米则是当前芯片应用领域中覆盖面最广的成熟制程。 电科装备连
美国SBP垂直电泳系统凝胶灌制程序
美国SBP垂直电泳系统可以应用于PAGE，转印和双向电泳（2D），使用者可根据自身实验需要选择购买所需组件。系统由电泳槽和三个功能模块组成，每个模块都自带电极，电泳槽一体成型设计。系统采用专用底座配合带胶条玻璃配合制胶，简单方便，有效防止漏胶。转印时，操作类似于“三明治”的操作方式，一小时内即可完成