上海微系统所等晶圆级高精度瞬态生物光刻研究获进展

近日,中国科学院上海微系统所传感技术国家重点实验室陶虎课题组,联合复旦大学附属华山医院神经外科、江苏科技大学蚕业研究所等研究机构的科研人员,开发出对紫外光敏感且分子量均一的蚕丝蛋白轻链溶液,并基于该溶液,结合传统紫外光刻工艺,实现了晶圆级高精度绿色瞬态生物光刻。相关成果以Precise Protein Photolithography (P3): High Performance Biopatterning Using Silk Fibroin Light Chain as the Resist为题发表在Advanced Science上。 蚕丝蛋白源自于天然蚕茧,是一种力学性能优异、生物兼容性良好的天然生物材料,被广泛应用于细胞培养、组织工程等生物高新领域。陶虎课题组首创地将丝素蛋白轻链从蚕丝蛋白中分离,并通过化学修饰使其对紫外光敏感,解决长久以来生物蛋白材料(天然材料分子量分布不均)作为微纳加工材料可靠性和重复性不高的......阅读全文

上海微系统所等晶圆级高精度瞬态生物光刻研究获进展

  近日,中国科学院上海微系统所传感技术国家重点实验室陶虎课题组,联合复旦大学附属华山医院神经外科、江苏科技大学蚕业研究所等研究机构的科研人员,开发出对紫外光敏感且分子量均一的蚕丝蛋白轻链溶液,并基于该溶液,结合传统紫外光刻工艺,实现了晶圆级高精度绿色瞬态生物光刻。相关成果以Precise Prot

晶圆切割设备——晶圆切割机的原理?

  芯片切割机是非常精密之设备,其主轴转速约在30,000至 60,000rpm之间,由于晶粒与晶粒之间距很小而且晶粒又相当脆弱,因此精度要求相当高,且必须使用钻石刀刃来进行切割,而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分开。由于系采用磨削的方式进行切割,会产生很多的小粉屑,因此 在切割过程中必须不断地用

晶圆搬送机的晶圆卡匣装置的制作方法

   半导体晶圆由于需经过各种不同流程的处理且需配合工艺设备,因此会被搬运到不同的工作站。为了方便晶圆的搬运且避免受到外力碰撞,会将多个晶圆收纳于晶圆暂存卡匣中。  一般来说,晶圆暂存卡匣内设置有逐层排列的多个插槽可水平容置多个晶圆,且其一侧面具有一开口可供晶圆的载出及载入。再者,于开口处亦设置有可

何为晶圆级处理器?其性能有多大提升?

用整个硅片来制造处理器似乎是一个奇怪的想法,但一项新的研究表明,晶圆级芯片可以比同等的多芯片模块MCM的性能好一个数量级,同时提供更好的能效。晶圆级集成(WSI)的概念相当简单:不是制造一个装满芯片的晶圆,而是将它们分开,然后将它们重新连接在一起,放在多芯片模块或封装的印刷电路板(PCB)上

晶圆清洗设备的前景

  预计未来几年,全球晶圆清洁设备市场将以可观的复合年增长率增长。诸如MEMS,PCB,存储设备,IC和半导体晶圆之类的组件是任何电子设备的基本构建块。电子设备的性能主要取决于单独组件的性能。此外,由于这些组件相对较小,杂质会极大地影响其可靠性和性能。微电子清洗在任何电子设备的有效工作中都起着至关重

晶圆切割设备的目的

  晶圆切割的目的,主要是要将晶圆上的每一颗晶粒(Die)加以切割分离。首先要将晶圆(Wafer)的背面贴上一层胶带(Wafer Mount),之后再将其送至晶圆切割机加以切割。切割完后,一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上,同时由于框架的支撑可避免晶粒因胶带皱褶而产生碰撞,而有利于搬运过程。此

晶圆测试与探针台

  晶圆测试是在半导体器件制造过程中执行的一个步骤。在此步骤中,在将晶圆送至芯片准备之前执行,晶圆上存在的所有单个集成电路都通过对其应用特殊测试模式来测试功能缺陷。晶圆测试由称为晶圆探针器的测试设备执行。晶圆测试过程可以通过多种方式进行引用:晶圆最终测试 (WFT)、电子芯片分类 (EDS) 和电路

晶圆如何通过testkey监控

晶圆特性测试系统由测试仪(tester)与探针台(prober)共同组成,探针台上具有包括多个探针的探针卡,在测试之前的第一步是将探针卡上的探针扎到零点testkey对应的焊垫(pad)上,扎针动作由探针台主导;第一步扎针完成之后,需要在探针台侧进行人工确认扎针对应的零点testkey位置和针迹效果

晶圆切割设备的切割方法

  目前,硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简便,但据片刚性差,切割过程中锯片易跑偏.导致被切割工们的平行度差:而内圆切割只能进行直线切割.无法进行曲面切割.线锯切割技术具有切缝窄、效率高、切片质量好、可进行曲线切别等优点成为口前广泛采用的切割技术。  内圆切割时晶

VCSEL晶圆探针台招标项目

标讯类别: 国内招标招标编号:资金来源: 其他招标人:开标时间:招标代理:  VCSEL晶圆探针台招标项目的潜在投标人应在网上报名获取招标文件,并于2023年07月10日 14时00分(北京时间)前在线递交投标文件。逾期提交的投标文件恕不接受。本项目电子投标文件最大容量为100MB,超过此容量的文件

晶圆切割设备的重要性

       现阶段,硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简单,但据片刚性差,切割全过程中锯片易方向跑偏.造成 被切割工们的平面度差:而内圆切割只有进行直线切割.没法进行斜面切割.线锯切割技术具备割缝窄、高效率、切成片性价比高、可进行曲线图切别等优点成为口前普遍选用的

晶圆清洗设备的目的和分类

  半导体晶圆对微污染物的存在非常敏感,为了达成晶圆表面无污染物的目标,必须移除表面的污染物并避免在制程前让污染物重新残余在晶圆表面。因此半导体晶圆在制造过程中,需要经过多次的表面清洗步骤,以去除表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒。  目前晶圆清洗技术大致可分为湿式与干式两大类,仍以湿式清洗法为

低能离子辐照实现晶圆级大面积超高线密度光栅器件制备

  6月4日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室在《自然-通讯》杂志上在线发表了题为《采用反向外延技术实现晶圆级亚50nm周期的光栅器件制备》(Realization of wafer-scale nanogratings with sub-50 nm period th

半导体所等实现晶圆级高质量InAs纳米结构的维度调控

   最近,国际期刊《纳米快报》(Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561)报道了中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者在晶圆级高质量InAs纳米结构维度调控方面的最新研究成果。  InAs是一种重要的III-V

半导体产业的根基:晶圆是什么?

  在半导体的新闻中,总是会提到以尺寸标示的晶圆厂,如 8 寸或是 12 寸晶圆厂,然而,所谓的晶圆到底是什么东西?其中 8 寸指的是什么部分?要产出大尺寸的晶圆制造又有什么难度呢?以下将逐步介绍半导体最重要的基础——“晶圆”到底是什么。  何谓晶圆?  晶圆(wafer),是制造各式电脑芯

晶圆制备——如何从沙子到wafer?(三)

  4. 抛光(Lapping):因为刚刚切下来的wafer,表面一定有很多损伤,而且表面粗糙,所以这一步类似CMP功效用slurry去磨平,所以我们的wafer有时候也叫polish wafer。  5. 湿法蚀刻(wet etch):因为刚才的抛光还是机械的磨平,所以还是无法完全去除损伤

晶圆清洗设备的两种形式

  按照清洗方式的不同,清洗设备可分为两种,分别是单片式和槽式。  一、单片式清洗机是由几个清洗腔体组成,再通过机械手将每一片晶圆送至各个腔体中进行单独的喷淋式清洗,清洗效果较好,避免了交叉污染和前批次污染后批次,但缺点是清洗效率较低,成本偏高。  二、槽式清洗机是将晶圆放在花篮中,再利用机械手依次

晶圆制备——如何从沙子到wafer?(一)

  我们所讲的半导体制造,它的载体一定是晶圆(Wafer),这个东西是怎么来的?我们今天就来好好讲讲。  前面讲N-Si和P-Si掺杂的时候讲过了,我们的Si一定都是单晶晶格的,而掺杂的原子必须跑到它的晶格上与Si形成共用电子对的共价键后多出电子或空穴而参与导电,如果我们用了多晶或者非晶,这

晶圆制备——如何从沙子到wafer?(二)

  1. 多晶硅提纯:  先是沙子(SiO2)与碳在高温下(2000C)置换反应,生成硅和CO2。此时的硅为冶金级别的(MGS: Metallic Grade Silicon),也就是粗制的多晶硅。  然后再用MGS的硅与HCl在300C下反应生成TCS(SiHCl3),然后经过过滤和冷凝可

天天都在说的芯片,到底是什么?

假设一百年或者几百年之后,回顾2018年到2019年的大国关系,未来的人们可能发明一个新词,或许就叫做芯片战争。虽然这种战争暂时还没听到枪炮声响和看到硝烟,但是对未来世界格局的深远影响,可能不亚于一场次级别的世界大战。这是因为围绕芯片这种国际商品而产生的交易额,是当今全球原油交易市场总额的数

Intel展示Tiger-Lake晶圆,核心面积增大20%

CES 2020大展上Intel首次公开了下一代移动平台Tiger Lake(或将命名为十一代酷睿)的部分细节,采用10nm+工艺,集成新的Willow Cove CPU核心、Xe LP GPU核心,IPC性能提升超过两位数,同时大大增强AI性能。在会后的内部展示上,Intel首次拿出了Ti

化学机械平坦CMP设备的原理

  化学机械研磨/ 化学机械抛光( CMP , Chemical MechanicalPlanarization)是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同,CMP 工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除,从而达

光刻机怎么制作

第一步:制作光刻掩膜版(Mask Reticle)芯片设计师将CPU的功能、结构设计图绘制完毕之后,就可将这张包含了CPU功能模块、电路系统等物理结构的“地图”绘制在“印刷母板”上,供批量生产了。这一步骤就是制作光刻掩膜版。光刻掩膜版:(又称光罩,简称掩膜版),是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图

散射仪的工作原理简介

  由于散射仪是使用光学的办法来测量光刻胶图形的线宽等几何尺寸,因此,又被称为光学CD测量。使用散射仪来测量光刻胶图形线宽的努力早在21世纪初期就开始,但是,一直到28nm技术节点以后才开始受到广泛的关注,这是因为CD-SEM测量导致的光刻胶损失效应在28nm以下再也不能忽略了,而且,光学CD测量还

手持光刻机如何使用

手动:指的是对准的调节方式,是通过手调旋钮改变它的X轴,Y轴和thita角度来完成对准,对准精度可想而知不高了;光刻(photolithography)工艺是将掩膜版(光刻版)上的几何图形转移到晶圆表面的光刻胶上。首先光刻胶处理设备把光刻胶旋涂到晶圆表面,再经过分步重复曝光和显影处理之后,在晶圆上形

晶圆检测显微镜OLYMPUS-MX63L

  晶圆检测显微镜OLYMPUS MX63L   进入21世纪以来,电子产品的发展速度日新月异,电子产品被设计的越来越小,功能越来越强大,这离不开高精尖的技术支持,芯片的大小决定了我们的电子产品的大小,薄厚等做工,芯片的都厉不拍晶圆片作为载体俗称硅片。    硅片的发展从4寸到6寸,再到现在的8

晶圆推力测试机半导体推拉力测试机

芯片推拉力测试机具有测试动作迅速、准确、适用面广的特点,被广泛应用于半导体封装、光通讯器材件封装、LED封装、COB/COG工艺测试、研究所材料力学研究、材料可靠性测试等应用领域。能满足包含有:金属、铜线、合金线、铝线、铝带等拉力测试、金球、铜球、锡球、晶圆、芯片、贴片元件等推力测试、锡球、Bump

EVG-510晶圆键合机有哪些特征?

EVG 510-晶圆键合机(晶圆键合机)是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。

Newport用于晶圆和掩膜检测的运动控制

  Newport用于晶圆和掩膜检测的运动控制   MKS 提供了多种高性能的、适用于晶圆检测工具和其他运动控制应用的空气轴承位移台 , 经验丰富的 MKS/Newport 应用工程师与 OEM 客户合作,为正在开发的半导体制造过程提供专门的自动化运动控制解决方案,下文描述这些系统中用于提高精度和

【解决方案】不可思议的晶圆厚度测量

  Measuring the Nearly   Immeasurable   在柏林费迪南德布劳恩研究所生产的半导体激光和高频放大器晶圆必须达到一个极度精密的层厚度。洁净室工人使用WERTH多传感器坐标测量机监督这个过程。该机配有色差传感器,的无接触捕捉所需的测量元素。   在柏林的费迪南德