微电子所发明ZL荣获“中国ZL优秀奖”

近日,国家知识产权局印发《关于第十七届中国ZL奖授奖的决定》(国知发管字〔2015〕67号),中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员朱慧珑的中国发明ZL“半导体器件及其制造方法”(ZL号:ZL 200910235339.9)荣获“中国ZL优秀奖”。 “半导体器件及其制造方法”提出了一种新型MOSFET器件结构,此结构既具有二维体硅MOSFET、FD-SOI MOSFET和三维FinFET的优点,又避免了寄生电容和寄生电阻大的缺点。以获奖ZL为基础,发明人朱慧珑在逻辑和存储器件、应变工程、背栅工程和沟道工程等技术领域申请了ZL24项,其中已授权中国发明ZL9项,已授权外国ZL10项,形成了较为系统的ZL组合。 近年来,微电子所在国家科技重大专项02专项的支持下,为满足工业界的需求,对FinFET技术进行了系统的ZL布局。根据国家科学图书馆统计数据,微电子所在FinFET领域ZL申请数位列全球第九,引用数在......阅读全文

微电子所发明ZL荣获“中国ZL优秀奖”

  近日,国家知识产权局印发《关于第十七届中国ZL奖授奖的决定》(国知发管字〔2015〕67号),中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员朱慧珑的中国发明ZL“半导体器件及其制造方法”(ZL号:ZL 200910235339.9)荣获“中国ZL优秀奖”。   “半导体器件及其制造方法”提

电子所半导体泵浦铷蒸气激光出光

  5月18日11时,由中科院电子学研究所高功率气体激光技术部(五室)研制的半导体泵浦铷蒸气激光器实现激光输出。此前国内仅国防科技大学于2011年7月实现了半导体泵浦铷蒸气激光出光。  半导体泵浦铷蒸气激光器属于半导体泵浦碱金属激光器。半导体泵浦碱金属蒸气激光器英文简称为D

全球之首!71.7%!我国半导体专利申请量大幅增长

  半导体是当今世界科技和经济发展的重要基础,也是中美两国之间的核心竞争领域。近年来,随着中美半导体竞争的加剧,中国半导体产业也迎来了快速的发展和创新,表现在专利申请量的大幅增长上。  根据知识产权律师事务所Mathys & Squire最新发布的一份报告显示,2022年,中国公司申请的半导体相关专

快速退火炉共享

仪器名称:快速退火炉仪器编号:04011389产地:中国生产厂家:北京东之星应用物理所型号:RTP400出厂日期:200410购置日期:200411所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点:微电子所新所一层微纳平台固定电话:固定手机:固定email:联系人:曹秉军(010-627840

微电子所在纳米森林的微器件应用研究中获进展

原文地址:http://www.cas.cn/syky/202103/t20210316_4781092.shtml   近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在纳米森林的微机电系统(MEMS)传感器应用研究上取得重要进展。   湿度的监测与控制在气象、农业、汽车、医药等行业具有重

东之星快速退火炉共享应用

仪器名称:快速退火炉仪器编号:04011389产地:中国生产厂家:北京东之星应用物理所型号:RTP400出厂日期:200410购置日期:200411所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点:微电子所新所一层微纳平台固定电话:固定手机:固定email:联系人:曹秉军(010-627840

北京东之星快速退火炉共享应用

仪器名称:快速退火炉仪器编号:04011389产地:中国生产厂家:北京东之星应用物理所型号:RTP400出厂日期:200410购置日期:200411所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点:微电子所新所一层微纳平台固定电话:固定手机:固定email:联系人:曹秉军(010-627840

成都今是科技取得基于-PCB-的基因测序微流道专利

  2024年12月9日消息,国家知识产权局信息显示,成都今是科技有限公司取得一项名为“一种基于PCB的基因测序微流道”的专利,授权公告号CN 222111875 U,申请日期为2024年4月。  专利摘要显示,本实用新型涉及一种基于PCB的基因测序微流道,包括由下至上依次贴合的衬底、薄膜层、硅基层

长鑫存储最新专利:半导体结构及其制作方法、存储器

  据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法、存储器“,公开号CN117320438A,申请日期为2022年6月。  专利摘要显示,本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器,其中,所述半导体结构包括:多个第一半导体柱、多个第二半导体柱、第一支撑层及存

第二十六届中国专利奖评审结果

6月29日,国家知识产权局官网发布第二十六届中国专利奖评审结果公示公告。依据《中国专利奖评奖办法(2023年修订)》《国家知识产权局关于评选第二十六届中国专利奖的通知》规定,本次共评选出中国专利金奖预获奖项目30项,中国外观设计金奖预获奖项目10项,中国专利银奖预获奖项目60项,中国外观设计银奖预获

化学气相沉积系统共享

仪器名称:化学气相沉积系统仪器编号:13003987产地:美国生产厂家:TRION型号:PHANTOMIII出厂日期:201205购置日期:201303所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点:微电子所新所一层微纳平台固定电话:固定手机:固定email:联系人:窦维治(010-6278

TRION化学气相沉积系统共享应用

仪器名称:化学气相沉积系统仪器编号:13003987产地:美国生产厂家:TRION型号:PHANTOMIII出厂日期:201205购置日期:201303所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点:微电子所新所一层微纳平台固定电话:固定手机:固定email:联系人:窦维治(010-6278

THERMCO-氧化LPCVD

仪器名称:THERMCO 氧化LPCVD仪器编号:21014796产地:英国生产厂家:THERMCO型号:2660出厂日期:购置日期:2021-07-21所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点:微电子所新所一层微纳平台固定电话:固定手机:固定email:联系人:苏鑫(010-6278

清华大学仪器共享平台TRION-化学气相沉积系统

仪器名称:化学气相沉积系统仪器编号:13003987产地:美国生产厂家:TRION型号:PHANTOMIII出厂日期:201205购置日期:201303所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点:微电子所新所一层微纳平台固定电话:固定手机:固定email:联系人:窦维治(010-6278

KEYENCE-数字显微镜共享应用

仪器名称:数字显微镜仪器编号:03005189产地:日本生产厂家:KEYENCE公司型号:KEYENCE出厂日期:200304购置日期:200306所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>测试与分析放置地点:微电子所一层微纳平台测试间固定电话:固定手机:固定email:联系人:窦维治(010-6278

第二十五届中国专利奖授奖发布

国家知识产权局关于第二十五届中国专利奖授奖的决定各省、自治区、直辖市和新疆生产建设兵团知识产权局,各地方有关中心,国务院各有关部门和单位知识产权工作管理机构,中央军委装备发展部办公厅,各有关全国性行业协会,各有关单位:为深入贯彻落实习近平新时代中国特色社会主义思想,全面贯彻党的二十大和二十届二中、三

半导体企业落户香港,助力打造“智能微工厂”

4月18日,香港生产力促进局与晋达半导体有限公司签署合作备忘录,承诺在推广香港半导体行业相关技术的开发及应用、技术人才培训等领域展开合作,充分发挥各自优势实践新型工业化,进一步强化香港先进制造业产业链,全面提升香港智能微电子制造品牌实力和高质量发展。  生产力局自去年起已协助晋达半导体进行生产技术规

合金炉共享

仪器名称:合金炉仪器编号:11013950产地:美国生产厂家:THERMCO型号:MB-81出厂日期:200406购置日期:201107所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点:新所一楼工艺平台固定电话:固定手机:固定email:联系人:曹秉军(010-62784044,1391080

西安交大中国专利奖获奖数量位列全国第一

原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/7/505290.shtm近日,第二十四届中国专利奖授奖决定出炉,西安交通大学3项发明专利入围:“一种液态金属钠高功率加热系统及其调节方法”和“一种非线性光学材料弛豫铁电单晶单畴化的方法”两件专利荣获金奖、“一

772项-第二十五届中国专利奖评审结果公示

  根据《中国专利奖评奖办法(2023年修订)》《国家知识产权局关于评选第二十五届中国专利奖的通知》规定,第二十五届中国专利奖共评选出中国专利金奖预获奖项目30项,中国外观设计金奖预获奖项目10项,中国专利银奖预获奖项目60项,中国外观设计银奖预获奖项目15项,中国专利优秀奖预获奖项目610项,中国

THERMCO合金炉共享

仪器名称:合金炉仪器编号:11013950产地:美国生产厂家:THERMCO型号:MB-81出厂日期:200406购置日期:201107所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点:新所一楼工艺平台固定电话:固定手机:固定email:联系人:曹秉军(010-62784044,1391080

THERMCO合金炉共享应用

仪器名称:合金炉仪器编号:11013950产地:美国生产厂家:THERMCO型号:MB-81出厂日期:200406购置日期:201107所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点:新所一楼工艺平台固定电话:固定手机:固定email:联系人:曹秉军(010-62784044,1391080

广西两化工发明获ZL优秀奖

  日前,记者从广西区科技厅获悉,在刚刚揭晓的第15届中国ZL奖中,广西2项化工发明ZL获中国ZL优秀奖。获奖成果为中国化工橡胶桂林有限公司的“设有胎体填充胶的子午线轮胎”和中国化学工业桂林工程有限公司的“复合橡胶挤出机头”。   据了解,设有胎体填充胶的子午线轮胎结构设计,让轮胎在使用时可实现有

中科院17项ZL入围第二十届中国ZL奖预获奖

  2018年11月23日,第二十届中国ZL奖评审结果公示。国家知识产权局和世界知识产权组织决定,第二十届中国ZL奖共评选出中国ZL金奖预获奖项目30项,中国外观设计金奖预获奖项目10项,中国ZL银奖预获奖项目60项,中国外观设计银奖预获奖项目15项,中国ZL优秀奖预获奖项目698项,中国外观设计优

四探针薄层电阻测试仪共享

仪器名称:四探针薄层电阻测试仪仪器编号:06013029产地:美国生产厂家:4 Dimensions 公司型号:280SJ出厂日期:200401购置日期:200612所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>测试与分析放置地点:微电子所一层微纳平台测试间固定电话:010-62784044固定手机:139

NANOMETRICS-膜厚测试仪共享应用

仪器名称:膜厚测试仪仪器编号:06004277产地:美国生产厂家:NANOMETRICS, INC.型号:N7007-0001 REV.2出厂日期:200212购置日期:200605所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>测试与分析放置地点:微电子所新所一层光刻间固定电话:固定手机:固定email:联

佳能光刻机共享

仪器名称:佳能光刻机仪器编号:80424600产地:日本生产厂家:日本型号:PLA-500出厂日期:198004购置日期:198004所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺放置地点:微电子所新所一楼微纳平台光刻间固定电话:固定手机:固定email:联系人:窦维治(010-62781090,1

佳能光刻机共享应用

仪器名称:佳能光刻机仪器编号:80424600产地:日本生产厂家:日本型号:PLA-500出厂日期:198004购置日期:198004所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺放置地点:微电子所新所一楼微纳平台光刻间固定电话:固定手机:固定email:联系人:窦维治(010-62781090,1

佳能PLA500光刻机共享应用

仪器名称:佳能光刻机仪器编号:80424600产地:日本生产厂家:日本型号:PLA-500出厂日期:198004购置日期:198004所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺放置地点:微电子所新所一楼微纳平台光刻间固定电话:固定手机:固定email:联系人:窦维治(010-62781090,1

THERMCO-氧化LPCVD共享应用

仪器名称:THERMCO 氧化LPCVD仪器编号:21014796产地:英国生产厂家:THERMCO型号:2660出厂日期:购置日期:2021-07-21所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点:微电子所新所一层微纳平台固定电话:固定手机:固定email:联系人:苏鑫(010-6278