我国科学家在空间站完成铟硒半导体晶体生长实验
记者21日从中国科学院空间应用工程与技术中心获悉，利用中国空间站高温材料科学实验柜，我国科研人员完成铟硒半导体晶体生长实验，获得完整晶体样品。半导体材料在集成电路、电力电子、通信等领域发挥着不可替代的作用。铟硒半导体晶体是一种柔性半导体材料，不仅具有传统半导体材料优异的物理性能，而且可像金属一样进行塑性变形和机械加工，为未来新型电子器件设计及应用提供一条新途径。然而，在现有条件下，制备出满足应用要求的铟硒半导体晶体仍面临巨大挑战。即便科学家反复优化生长条件，所得到的铟硒半导体晶体仍含有极高的缺陷密度，这对半导体器件的性能和材料应用造成了严重影响。“半导体的材料组分、结构和性能与环境和制备条件密切相关。空间微重力环境，为铟硒半导体材料制备和相关机理研究提供了独特条件。”中国科学院上海硅酸盐所研究员刘学超说，2022年10月31日，装在高温材料科学实验柜中的铟硒半导体晶体样品，随梦天舱进入太空，200余天后，包括铟硒半导体晶体在内的......阅读全文
我国科学家在空间站完成铟硒半导体晶体生长实验
记者从中国科学院空间应用工程与技术中心获悉，利用中国空间站高温材料科学实验柜，我国科研人员完成铟硒半导体晶体生长实验，获得完整晶体样品。半导体材料在集成电路、电力电子、通信等领域发挥着不可替代的作用。铟硒半导体晶体是一种柔性半导体材料，不仅具有传统半导体材料优异的物理性能，而且可像金属一样进行塑性变
我国科学家在空间站完成铟硒半导体晶体生长实验
记者21日从中国科学院空间应用工程与技术中心获悉，利用中国空间站高温材料科学实验柜，我国科研人员完成铟硒半导体晶体生长实验，获得完整晶体样品。半导体材料在集成电路、电力电子、通信等领域发挥着不可替代的作用。铟硒半导体晶体是一种柔性半导体材料，不仅具有传统半导体材料优异的物理性能，而且可像金属一样进行
我国科学家在空间站完成铟硒半导体晶体生长实验
记者21日从中国科学院空间应用工程与技术中心获悉，利用中国空间站高温材料科学实验柜，我国科研人员完成铟硒半导体晶体生长实验，获得完整晶体样品。 半导体材料在集成电路、电力电子、通信等领域发挥着不可替代的作用。铟硒半导体晶体是一种柔性半导体材料，不仅具有传统半导体材料优异的物理性能，而且可像金属
铜铟硒电池性能详解
铜铟硒电池 铜铟硒CuInSe2简称CIC.CIS材料的能降为1.leV，适于太阳光的光电转换，另外，CIS薄膜太阳电池不存在光致衰退问题。因此，CIS用作高转换效率薄膜太阳能电池材料也引起了人们的注目。 CIS电池薄膜的制备主要有真空蒸镀法和硒化法。真空蒸镀法是采用各自的蒸发源蒸镀铜，铟和硒，
铜铟硒电池的特点
铜铟硒CuInSe2简称CIC.CIS材料的能降为1.leV，适于太阳光的光电转换，另外，CIS薄膜太阳电池不存在光致衰退问题。因此，CIS用作高转换效率薄膜太阳能电池材料也引起了人们的注目。
铜铟镓硒薄膜太阳电池的技术特点
铜铟镓硒薄膜太阳电池的特点铜铟镓硒薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点，光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。此外，铜铟镓硒薄膜太阳电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对外观
中国科学家首创“蒸笼”方法“长出”高性能晶体管新材料
这是2025年6月18日在北京大学物理学院拍摄的基于二维硒化铟半导体晶圆的集成晶体管阵列。 集成电路是现代信息技术的核心基础。近年来，随着硅基芯片性能逐步逼近物理极限，开发新型高性能、低能耗半导体材料，成为全球科技研发热点。其中，二维层状半导体材料硒化铟因迁移率高、热速度快等优良性能，被视为有望打
乌克兰科学家研发纳米级超薄硒化铟
纳米级超薄硒化铟是一种具有独特性能的类石墨烯新半导体材料，其厚度从一层（~0.83 nm）到几十层不等。这种新半导体材料的电学和光学性能研究是在2010年物理学诺贝尔奖得主—英国曼彻斯特大学教授安德烈·海姆的实验室进行的。近日乌克兰和英国科学家在《Nature Nanotechnology》杂
铜铟镓硒太阳能电池板的应用
铜铟镓硒薄膜太阳电池光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。此外，该电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对外观有较高要求场所的理想选择，如大型建筑物的玻璃幕墙等，在现代化高层建筑等领域有很大市场。
铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池的前景
3、发展前景*****与其它两种薄膜太阳能电池相比，铜铟镓硒薄膜太阳能电池极具发展前景。目前，薄膜太阳能电池包括非晶硅薄膜电池、碲化镉薄膜电池和铜铟镓硒薄膜。非晶硅薄膜电池如果长时间在强光下照射，光电转换稳定性不高。碲化镉薄膜电池受制于原料稀缺，难以大规模运用。此外，光电转换效率难以提高也制约着非晶
新型铜铟镓硒太阳能电池能效创纪录
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/518122.shtm瑞典乌普萨拉大学和第一太阳能欧洲技术中心科学家携手，研制出一款新型铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池，其能源转换效率高达23.64%，创下同类太阳能电池能效新纪录。相关论文发表于最新一期《
新型铜铟镓硒太阳能电池能效创纪录
瑞典乌普萨拉大学和第一太阳能欧洲技术中心科学家携手，研制出一款新型铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池，其能源转换效率高达23.64%，创下同类太阳能电池能效新纪录。相关论文发表于最新一期《自然·能源》杂志。最新CIGS太阳能电池结构的电子显微镜分析。 图片来源：《自然·能源》网站国际能源署数据显示，太阳
二维材料硒化铟在卸压过程中超导增强
在高压条件下，一些物质会出现超导现象。然而，随着压力的卸除，这种超导现象往往会消失。著名国际材料学术期刊《先进材料》10日载文称，北京高压科学研究中心国家“千人计划”特聘专家陈斌研究员和吉林大学高春晓教授领衔的国际合作小组首次发现，二维材料硒化铟在卸压过程中有超导增强现象，从而使高压超导材料的应
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的特点和应用
铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池由Cu（铜）、In（铟）、Ga（镓）、Se（硒）四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶薄膜太阳能电池，是组成电池板的关键技术。由于薄膜太阳能电池具有光吸收能力强、发电稳定性好、能源回收周期短等诸多优势，CIGS太阳能电池逐渐成为太阳能电池行业的重要发展方向，可以与传统的晶
铜铟镓硒太阳能电池板的制造工业特点
用交替溅射的方法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池预置层。通过可变占空比的电源控制器实现对Cu/Ga合金靶以及In靶溅射时间的控制，进而实现对最后元素配比的控制。实验中发现，在一个溅射周期中，Cu/Ga合金靶溅射时间对最后成分影响最大，其次是In靶溅射时间，非溅射时间的长短对成分也有影响。交替溅射制备的铜铟
我国学者在二维半导体晶圆制造方面取得进展
图 利用“固-液-固”生长策略制备晶圆级InSe高质量晶膜 在国家自然科学基金项目（批准号：52025023、52322205、52250398）等资助下，北京大学刘开辉教授与合作者在二维硒化铟半导体晶圆制造方面取得进展。相关成果以“用于集成电子学的二维硒化铟晶圆（Two-dimensional
广东开发出高性能铜铟硒纳米材料及薄膜晶体管
相关研究以封面文章的形式发表于Chemistry of Materials 近日，广东省科学院半导体所新型显示团队开发出高性能环境友好型铜铟硒纳米材料并成功应用于薄膜电子器件。相关研究以封面文章的形式发表于Chemistry of Materials。广东省科学院半导体所庞超博士为该论文第一作者，
广东开发出高性能铜铟硒纳米材料及薄膜晶体管
相关研究以封面文章的形式发表于Chemistry of Materials 近日，广东省科学院半导体所新型显示团队开发出高性能环境友好型铜铟硒纳米材料并成功应用于薄膜电子器件。相关研究以封面文章的形式发表于Chemistry of Materials。广东省科学院半导体所庞超博士为该论
我第二代薄膜太阳能电池核心技术达国际先进水平
就在第一代中国光伏产业在欧美受阻之际，在深圳举行的第十四届高交会传来捷报，可取代晶硅原材料的第二代铜铟镓硒薄膜太阳能电池核心技术取得重大突破。中科院深圳先进技术研究院联合香港中文大学，自主研发成功高效低成本铜铟镓硒薄膜太阳能电池装备、工艺及产品。 香港
超越硅极限二维晶体管诞生
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/497868.shtm“在弹道输运晶体管中，电子像子弹一样穿过沟道没有受到碰撞，能量没有被散射损失掉，所以弹道率越高的器件，能量利用效率更高。”近日，北京大学电子学院研究员邱晨光向《中国科学报》解释。随着硅
常用的半导体材料介绍
常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、 Ⅳ-Ⅵ族
第二代薄膜太阳能电池核心技术达国际先进水平
深圳先进院光伏太阳能中心刘壮接受国外媒体采访 就在第一代中国光伏产业在欧美受阻之际，国内科研院所传来捷报，可取代“晶硅”原材料的第二代“铜铟镓硒”薄膜太阳能电池核心技术取得重大突破，达到国际水平。11月16日至21日在深圳举行的第十四届高交会上，中科院广州分院副院长李定强发
迄今速度最快能耗最低二维晶体管问世
北京大学电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组日前制备出10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳米节点的硅基鳍型晶体管，并将二维晶体管的工作电压降到0.5V，这也是世界上迄今速度最快能耗最低的二维半导体晶体管。该研究成果以《二维硒化铟弹道晶体管》为
美研发原子厚度新材料－或助研发超薄器件
莱斯大学材料学科学家普利克尔·阿加延(Pulickel Ajayan)实验室的研究生雷思东(Sidong Lei)合成了CIS，一种单层铜、铟和硒原子矩阵。雷还建立了一个模型——一个三像素电荷耦合器件(CCD)——以证明材料捕捉图像的能力。这项研究被发表在美国化学协会的期刊《纳米快报》上。 雷
磷化铟？“老了点”－石墨烯？“窄了点”
“磷化铟？这是不是写错了？”7日上午，政协委员分组讨论“十三五”规划纲要。中科院上海技术物理研究所研究员何力对半导体材料和器件研究多年，而“十三五”规划纲要中关于高端材料的一段话却让他困惑——“ 大力发展形状记忆合金、自修复材料等智能材料，石墨烯、超材料等纳米功能材料，磷化铟、碳化硅等下一代半导
量子点是什么技术
量子点实际上是纳米半导体。通过施加一定的电场或光的压力，这些纳米半导体材料，它们会发出特定频率的光，这种半导体的频率变化，通过调节纳米半导体的大小可以控制它发出的光的颜色，由于纳米半导体具有有限的电子和空穴（电子眼）的特点，这一特点在本质上是相似的原子或分子被称为量子点。量子点是重要的低维半导体材料
CIGS薄膜太阳电池吸收层制备和性能研究
黄铜矿相铜铟镓硒（CuInxGa1-xSe2, CIGS）多晶化合物半导体以其极高的光吸收系数、可调的禁带宽度和低廉的制备成本作为薄膜型太阳电池的吸收层备受光伏研究工作者的青睐。但是当前研究大部分采用真空方法作为薄膜制备的主要手段，该类方法虽然可以使太阳电池获得较高的光电转换效率，但较高的生产成本依
首块纳米晶体“墨水”制成的晶体管问世
晶体管是电子设备的基本元件，但其构造过程非常复杂，需要高温且高度真空的条件。美韩科学家在《科学》杂志上报告了一种新型制造方法，将液体纳米晶体“墨水”按顺序放置。他们称，这种效应晶体管或可用3D打印技术制造出来，有望用于物联网、柔性电子和可穿戴设备的研制。 据宾夕法尼亚大学官网消息，研究人员在
物理所等实现二维原子晶体硒化铟高性能光电探测器
二维层状原子晶体材料的物理性能（如带隙等）随厚度减小而变化，在光子和光电子器件的应用中具有广阔前景。光电探测器作为重要的光电应用单元器件，引发学界广泛关注，近年来基于二维原子晶体材料的光电晶体管成为最主要的关注对象之一。除半金属的石墨烯之外，半导体二维原子晶体材料（如过渡金属硫属化合物、II-V
半导体材料的主要种类介绍
半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料按化学成分和内部结构，大致可分为以下几类。1.元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。50年代，锗在半导体中占主导地位，但 锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到60年代后期逐渐被硅材料取代。用硅制造的半导体器件，耐高温