实验证实！二维紫磷晶体具有各向异性的高迁移率
近日，国家纳米科学中心研究员刘新风、副研究员岳帅与北京化工大学副教授王聪组成的联合攻关团队在《纳米快报》(Nano Letters)上发表研究成果，他们宣布证实了一种同时具备高载流子迁移率与显著各向异性的新型二维半导体材料。 21年前，石墨烯的发现掀起了二维材料研究的新浪潮。其中，二维磷烯凭借独特的性能优势脱颖而出，点燃了科研界对磷基二维材料的关注。据研究人员介绍，与石墨烯不同，磷烯天然具备带隙结构，这一特性弥补了石墨烯因无带隙而在电子开关器件应用中的天然缺陷；同时，它还拥有高载流子迁移率的突出优势，为高性能电子器件、光电器件等领域的研发提供了潜在可能。 刘新风介绍，紫磷作为黑磷的另一种层状的同素异形体，具有更高的稳定性以及显著的面内各向异性，块体带隙超过1.7 eV，且带隙随厚度可调，理论预测其具有极高的双极性载流子迁移率(a轴~2800 cm2/(V?s)，b轴~390 cm2/(V?s))。然而，紫磷的各向异性的高......阅读全文
福建物构所磷属红外非线性光学晶体研究获进展
红外非线性光学晶体能够通过频率转换作用，产生中红外可调谐激光。目前，红外非线性光学晶体的应用主要有硫镓银、硒镓银和磷锗锌，但是由于其存在的缺陷，已不能满足运用需要。因此，急需探索性能更优异的中红外非线性光学材料。磷属化合物非线性光学材料通常展现出较大倍频系数及较高热导率，因此，磷属化合物是合适的
物理所实现多层MoS2外延晶圆推动二维半导体的器件应用
以二硫化钼为代表的二维半导体材料，因其极限的物理厚度、极佳的柔性/透明性，是解决当前晶体管微缩瓶颈及构筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半导体芯片的一类新材料。近年来，国际上已在单层二硫化钼的晶圆制备及大面积器件构筑方面不断突破，在晶圆质量和器件性能方面逐渐逼近极限。例如，中国科学院物理研究所
结晶紫染色
实验材料 D-PBSAD-PBSA:甲醇（1:1)试剂、试剂盒 甲醇结晶紫仪器、耗材 过滤漏斗滤纸回收染液的瓶子实验步骤 1. 吸去并弃掉培养基。2. 用 D-PBSA 冲洗单层细胞，弃掉冲洗液。3. 每 25 cm2 加入 D-PBSA / 甲醇 5 ml，静置 2 min，弃掉 D-PBSA /
结晶紫染色
实验材料D-PBSAD-PBSA:甲醇（1:1)试剂、试剂盒甲醇结晶紫仪器、耗材过滤漏斗滤纸回收染液的瓶子实验步骤1. 吸去并弃掉培养基。2. 用 D-PBSA 冲洗单层细胞，弃掉冲洗液。3. 每 25 cm2 加入 D-PBSA / 甲醇 5 ml，静置 2 min，弃掉 D-PBSA / 甲醇。
结晶紫染色
实验材料D-PBSA D-PBSA:甲醇（1:1) 试剂
结晶紫染色
实验材料 D-PBSA D-PBSA:甲醇（1:1) 试剂、试剂盒 甲醇 结晶紫
氧化物界面二维电子液体的光电协同场效应研究获进展
研究发现，当条件合适时，在电子关联氧化物异质界面LaAlO3/SrTiO3（LAO/STO）附近可形成二维电子液体。与常规半导体二维电子气不同，势阱中的电子具有d电子特征，可以占据不同的d轨道，从而带来了一系列新特性，例如磁场依赖的输运行为、铁磁性和超导电性等。 由于维度限制，二维电
我国破解高磷铁矿工业化应用难题
我国首个高磷铁矿工业化试验项目――湖北长阳县火烧坪高磷鲕状赤铁矿选矿工业化应用示范工程，近日通过专家组评审验收。专家介绍，这一项目创造性地采用联合选矿工艺新技术，破解了长期困扰我国高磷铁矿工业化应用的大难题。 专家组组长、中国工程院院士孙传尧说，我国高磷铁矿探明储藏量上百亿吨，由
华科翟天佑团队发现无机分子晶体中强分子间相互作用
11月15日，《美国化学学会会刊》（Journal of the American Chemical Society）杂志在线刊发了我校材料科学与工程学院、材料成形与模具技术国家重点实验室翟天佑教授与清华大学帅志刚教授合作的题为“Effect of Strong Intermolecular I
我国实现相同工艺器件集成度翻倍并获卓越性能
12月9日，《自然—电子学》发表复旦大学微电子学院教授周鹏、研究员包文中及信息科学与工程学院研究员万景团队的论文。研究人员设计出一种晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，可以在相同的工艺节点下，实现器件集成密度翻倍，并获得卓越的电学性能。硅基二维叠层晶圆级制造与器件结构 受访者供图传统集成电路技
物理所等实现二维原子晶体硒化铟高性能光电探测器
二维层状原子晶体材料的物理性能（如带隙等）随厚度减小而变化，在光子和光电子器件的应用中具有广阔前景。光电探测器作为重要的光电应用单元器件，引发学界广泛关注，近年来基于二维原子晶体材料的光电晶体管成为最主要的关注对象之一。除半金属的石墨烯之外，半导体二维原子晶体材料（如过渡金属硫属化合物、II-V
新方法助力二维半导体材料开发
中国科学院院士、北京科技大学教授张跃及北京科技大学教授张铮团队等提出了一种名为“二维Czochralski（2DCZ）”的方法，该方法能够在常压下快速生长出厘米级尺寸、无晶界的单晶二硫化钼晶畴，这些二硫化钼单晶展现出卓越的均匀性和高质量，具有极低的缺陷密度。1月10日，相关研究成果发表在《自然—材料
石墨烯纳米带制备及其晶体管应用研究进展
在国家自然科学基金项目（批准号：61622404、62074098）等资助下，上海交通大学陈长鑫教授研究组与合作者们在具有光滑边缘的亚十纳米宽度的石墨烯纳米带（GNR）制备及其高性能晶体管应用研究方面取得重要进展。研究成果以“来自被压扁碳纳米管的边缘原子级光滑的亚十纳米石墨烯纳米带（Sub-10
胡文平研究员：为未来“明星材料”奠定科学基础
有机电视、电子纸、有机照明、有机太阳能电池……对普通人而言，“有机电子学”的概念可能是陌生的，但其应用已经走进了人们的视野。据国际知名有机电子咨询机构IDTechEx计算，有机电子器件在未来的20年里，有可能占据3000亿美元的市场份额，成为一个庞大的商业领域。 在有机电子学中，有机场效应晶体
原子力显微镜有机晶体形貌与结构表征高分辨率解决方案
本文用牛津仪器Asylum Research首次实现以原子力显微镜对二维分子晶体(C8-BTBT)材料形貌与结构进行了纳米级表征，并将成果发表于Nature期刊上。 1 介绍 有机晶体是半导体材料领域的一个重要分支，已经广泛应用于太阳能电池、显示器等领域。晶体内部原子或分子有规则的排列
CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展
近日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展。相关成果发表于《自然—通讯》。 随着对数据驱动型应用，如新一代机器学习加速器和物联网等需
X射线诱导产生单个零场斯格明子及其二维“人工晶体”
磁斯格明子具有尺寸小和易电流驱动的优点，被认为可以应用于下一代高能效、高密度的磁性存储器当中。而斯格明子的精确产生则是进一步研究斯格明子物理特性及相关器件的前提。最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室M02课题组的光耀、刘艺舟、特聘研究员于国强、研究员韩秀峰等人
电泳迁移率
带电粒子在单位时间内移动的距离称为电泳迁移率。溶液中带电粒子在电场 (E)中向着与它相异电荷的电极移动，它的移动速度(V)是电场(E)和粒子的有效迁移率(m)的乘积，即：V=mE离子的有效迁移率是一个由许多因素(包括离子半径、溶剂化作用、介电常数、溶剂粘度、离子形状和电荷、pH、解离度和温度等)决定
凝胶迁移率变动分析
中文名称凝胶迁移率变动分析英文名称gel mobility shift assay定 义利用凝胶进行的电泳迁移率变动分析。不同大小的分子在凝胶中电泳移动的速度不同，当某种分子与另一种分子特异性结合后，它在非变性凝胶电泳带中的位置就发生了变化，由此可以分析不同分子间的相互作用。如待检测DNA样品与核
迁移率的技术应用
普通半导体材料的迁移率通常为102—106厘米2/伏·秒。通过调制掺杂技术制造的调制掺杂异质结迁移率可达到106厘米2/伏·秒以上。迁移率是表征半导体的一个重要参数。迁移率越大，器件的运行速度越快，截止频率就越高。砷化镓的电子有效质量比硅的小得多，因此砷化镓被用来制作高频器件。
相对迁移率的概念
相对迁移率是指在一定条件下,在相同时间内，某一组分在固定相中移动的距离与某一标准物质在固定相中移动的距离之比值。中文名相对迁移率定 义在一定条件下,在相同时间内，某一组分在固定相中移动的距离与某一标准物质在固定相中移动的距离之比值
迁移率计算公式
迁移率计算公式：μ=L2/（tTR×V）L。迁移率（mobility）是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。它的单位是厘米2/（伏·秒）。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率。电场强度是用来表示电场的强弱和方向的物理量。实验表明，在电场中某一点，
神经形态视觉系统研究获进展
季华实验室副研究员张钰联合天津大学教授胡文平和杨方旭团队首次开发了基于超薄二维分子晶体的线偏振光敏感神经形态视觉系统，在单个器件中实现了偏振敏感性、光探测和突触行为等多种功能的高效集成。相关成果近日在线发表于《先进材料》（Advanced Materials）。在视觉科技不断发展的今天，神经形态视觉
国家纳米中心在层状材料光电晶体管方向取得新进展
二维层状材料是近些年兴起的一类新兴材料，通常其层内以较强的共价键或者离子键结合而成，而层间则是依靠较弱的范德华力堆叠在一起。尤其是2004年单原子层石墨烯的发现极大地推动了二维材料的发展，使其迅速成为研究前沿。然而众所周知，本征石墨烯由于受到六重对称性保护几乎没有能隙，限制了其在半导体器件中的应
科学家突破单层二硫化钼8英寸晶圆外延技术
近日，我国科学家在科技部重点研发计划、国家自然科学基金委等项目的支持下，突破单层二硫化钼8英寸晶圆外延技术。相关成果发表于《先进材料》（Advanced Materials）。由松山湖材料实验室、中国科学院物理研究所、北京大学、华南师范大学组成的联合研究团队在松山湖材料实验室研究员张广宇的指导下，基
磷酸二氢钾与高磷钾肥有什么区别？
说起磷酸二氢钾好多人都会说，当然知道啊而且还经常用呢，促进花芽分化，上色增甜，是的，这些都可以用磷酸二氢钾，但是它也不是万能的，有的上色的时候用了，可效果却不够好，这时候就不能单纯的用磷酸二氢钾了，可以试试高磷钾液体肥，效果不会让您失望的！ 这几天不断有柑橘用户说我的柑橘上色很不好，别人的颜色
中国科大二维材料系列研究取得新进展
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室国际功能材料量子设计中心在二维材料系列研究中取得新进展，理论上预言了在GaN（001）衬底上可外延生长单层蓝磷，并提出非常规的“半层－半层”生长机制。该研究成果以Half Layer By Half Layer Growth of a Blue
上海光机所高非线性石英光子晶体光纤研制取得进展
中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光单元技术研发中心研究员廖梅松带领非线性光纤课题组刘垠垚、吴达坤等人，在高非线性光子晶体光纤的研制方面取得了新进展。 高非线性光子晶体光纤由于具有普通阶跃型光纤所不具备的特殊色散和高非线性，是产生超连续谱激光的核心器件。超连续谱是一种具有超宽的光谱和高度
CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/10/510139.shtm9月28日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）后道集成和
半导体技术新突破：轻薄体软易传导
将二硫化钼作为 2D 半导体材料有一项非常优异的性能，那就是它们很容易弯曲。电子在这样的半导体中可以快速移动。同时，因为只有大约一个原子的厚度，这类半导体是透明的。这些特点让它们成为制作柔性 OLED 显示屏的理想材料。然而，当生产商试图将二硫化钼加工到控制 OLED 像素的晶体