我国科学家研发全球首颗二维硅基混合架构闪存芯片
大数据与人工智能时代对数据存取性能提出极致要求，而目前速度最快的存储器为易失性存储器，速度为1-30纳秒，断电后数据会丢失。传统闪存不会轻易丢失数据，但工作效率落后于芯片算力10万倍以上。记者从复旦大学获悉，该校集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队率先研发出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，解决了存储速率上的技术难题。相关研究成果于10月8日发表在学术期刊《自然》上。这是复旦大学继“破晓（PoX）”皮秒闪存器件问世后，在二维电子器件工程化道路上再获里程碑式突破。今年4月，周鹏-刘春森团队于《自然》期刊提出“破晓”二维闪存原型器件，实现了400皮秒超高速非易失存储，这是迄今最快的半导体电荷存储技术，为打破算力发展困境提供了底层原理支撑。研究团队认为，若要加快新技术孵化，就要将二维超快闪存器件充分融入互补金属氧化物半导体（CMOS）传统半导体生产线。大数据与人工智能时代对数据存取性能提出极致要求......阅读全文
我国科学家研发全球首颗二维硅基混合架构闪存芯片
大数据与人工智能时代对数据存取性能提出极致要求，而目前速度最快的存储器为易失性存储器，速度为1-30纳秒，断电后数据会丢失。传统闪存不会轻易丢失数据，但工作效率落后于芯片算力10万倍以上。记者从复旦大学获悉，该校集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队率先研发出全球首
闪存技术有望带来太赫兹频率光子芯片
据美国《每日科学》网站25日报道，以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将计算机和相关通信设备的运行速度提高100倍。 北京大学现代光学所陈建军研究员对科技日报记者说，到目前为止，研制
闪存技术有望带来太赫兹频率光子芯片
闪存技术有望带来太赫兹频率光子芯片将计算机运行速度提高一百倍科技日报北京3月26日电（记者刘霞）据美国《每日科学》网站25日报道，以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将计算机和相关通信设备
闪存技术有望带来太赫兹量级光子芯片
据科技日报报道，以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将计算机和相关通信设备的运行速度提高100倍。分析称，新研究有助科学家研制出新的、功能更强大的无线设备，大幅提高数据传输速度——这是改变
航天科工集团成功研制CMOS相控阵收发芯片
中国航天科工集团二院25所微系统研发中心日前成功自主研制面向相控阵应用的CMOS收发芯片，与传统实现方式相比，CMOS相控阵收发芯片生产成本将降低50%以上，产品体积降低50%以上。 专家介绍，采用CMOS工艺制作相控阵收发芯片是未来相控阵技术的主流发展趋势。与传统由分离模块组成的收发通道结构
CCD和CMOS有什么区别哪种芯片更好
CCD和CMOS在制造上的主要区别是CCD是集成在半导体单晶材料上，而CMOS是集成在被称做金属氧化物的半导体材料上。 从原理上，CMOS的信号是以点为单位的电荷信号，而CCD是以行为单位的电流信号，前者更为敏感，速度也更快，更为省电。 但CCD制造工艺较复杂，采用CCD的摄像头价格都会相对
闪存技术有望带来太赫兹频率光子芯片应用案例一
闪存技术有望带来太赫兹频率光子芯片根据科技日报消息，据美国《每日科学》网站报道，以色列科学家利用金属氧化氮氧化硅（MONOS）结构设计出一种新型集成光子回路制备技术。该技术在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将目前标准的8—16千兆赫计算
闪存技术有望带来太赫兹量级光子芯片－将计算机速度...
闪存技术有望带来太赫兹量级光子芯片 将计算机速度提高百倍据科技日报报道，以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将计算机和相关通信设备的运行速度提高100倍。分析称，新研究有助科学家研制出新的
CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展
近日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展。相关成果发表于《自然—通讯》。 随着对数据驱动型应用，如新一代机器学习加速器和物联网等需
CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/10/510139.shtm9月28日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）后道集成和
浅析新三板半导体的芯片设计（四）
海思半导体海思半导体成立于2004年10月，总部位于深圳，在北京、上海、美国硅谷和瑞典设有设计分部。前身是创建于1991年的华为集成电路设计中心。海思的产品覆盖无线网络、固定网络、数字媒体等领域的芯片及解决方案，成功应用在全球100多个国家和地区；在数字媒体领域，已推出SoC网络监控芯片及解决方案、
半导体芯片推拉力测试设备
力标精密设备(深圳)有限公司，是一家研发、生产、销售为一体的多功能推拉力测试机生产厂家，产品主要应用于:微电子行业、半导体封装、LED封装、摄像头模组、功率模块、光通讯等封装行业的精密检测，公司坚持自主创新不断优化产品核心技术，我们拥有专门的研发团队，可根据不同客户的需求提供订制化精密测量仪器，满足
国产新星半导体巨头崛起，实现弯道超车
首先是长江存储在全球拥有10，000多名员工，7000多项ZL申请。是一家以3D NAND闪存为主，涵盖计算机、移动通信等领域的电路企业，致力于成为存储技术的领导者。如今，作为三星、东芝这样的高科技企业，长江存储曾经有着令人钦佩的R&D历史。长江存储的前身武汉新鑫，因经济衰退而举步维艰。危急之时
破晓时刻——钠电池产业化－！
目前，钠电池产业链已有企业超150家。高工产研认为，近半钠离子电池企业即将量产，今年钠电池产业将跨过“GW级出货”这一门槛，达到3GWh至5GWh的规模，而去年出货量仅0.2GWh左右。高工产研预计，2023年至2025年，钠离子电池企业有效产能有望分别达到19GWh、25GWh、60GWh；出货量
破解垄断－我国首批32层3D－NAND闪存芯片年内将量产
位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台１１日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的３２层３ＤＮＡＮＤ闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。图片来源于网络 目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基
闪存技术有望带来太赫兹量级光子芯片,将速度提高百倍
据美国《每日科学》网站3月25日报道，以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将计算机和相关通信设备的运行速度提高100倍。
新研究将推动超快闪存技术的产业化应用
8月12日，复旦大学微电子学院教授周鹏，集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院研究员刘春森团队，在国际上首次实现最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米，将推动超快颠覆性闪存技术的产业化应用。相关研究发表于《自然-电子学》。随着人工智能的飞速发展，
芯片革命:2024北京芯片及半导体产业展览会
2024中国（北京）国际半导体展览会时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）地点：北京 · 北人亦创国际会展中心2024中国（北京）国际半导体博览会”将于2024
2024上海半导体展|上海国际半导体展|2024半导体芯片展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
复旦团队实现纳秒级编程闪存规模集成
人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级，无法支撑应用需求。复旦大学周鹏-刘春森团队的前期研究表明，二维半导体结构能够将其速度提升1000倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。然而，如何实现规模集成、走向真正实际应用仍极具挑战。 记者获悉，
复旦团队实现纳秒级编程闪存规模集成
本报讯（记者颜维琦）人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级，无法支撑应用需求。复旦大学周鹏-刘春森团队的前期研究表明，二维半导体结构能够将其速度提升1000倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。然而，如何实现规模集成、走向真正实际应用仍极具挑战
关于嵌入式闪存的一些错误观念（一）
多年来，汽车行业的发展和创新一直推动着半导体行业的发展。根据IHS的数据可知，汽车半导体市场的年收入已经超过300亿美元，而随着ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，这一数字还将不断上升。目前，每辆豪华车内部半导体元件的总价值约为1000美元，而中档车内部半导体元件的总价值约为350美元，
芯片资讯:2024上海国际芯片产业展览会|上海半导体芯片展－|
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
芯片半导体大涨3％！反转终于来了？
2023年10月30日，芯片半导体板块大涨，截止上午9:55，芯片产业指数(H30007)涨超3%，成分股中卓胜微涨超20%，艾为电子涨超14%，唯捷创芯涨超11%，韦尔股份涨超8%，天岳先进涨超7%，长电科技、圣邦股份、格科微、纳芯微等涨超5%。 消息面上，半导体行业景气出现明显回暖迹象，韦
半导体芯片控温设备如何保养
半导体芯片控温在目前半导体行业中使用比较多，定期保养半导体芯片控温也是很重要的，那么，半导体芯片控温怎么进行保养呢？ 半导体芯片控温因其主要部件，机组由蒸发器出来的状态为气体的冷媒，经收缩机绝热收缩后期，变成高温高压状态。半导体芯片控温被收缩后的气体冷媒，在冷凝器中，等压冷却冷凝，经冷凝后转变成
数码数码摄像头的种类及在显微镜上的应用
感光器是数码数码摄像机的核心，也是最关键的技术。数码相机的发展道路，可以说就是感光器的发展道路。目前数码相机的核心成像部件有两种：一种是广泛使用的CCD（电荷藕合）元件；另一种是CMOS（互补金属氧化物导体）器件。 电荷藕合器件图像传感器CCD（Charge Coupled Dev
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国内首个80纳米STTMRAM器件制备成功
近日，北京航空航天大学与中国科学院微电子研究所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片（STT-MRAM）器件。 STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，很有可能在继
过氧化物酶(POX)染色
实验原理 血细胞中的过氧化物酶(Peroxidase,POX或MPO)能分解试剂中的底物H2O2，释出新生态氧，使无色联苯胺氧化为蓝色联苯胺，后者与亚硝基铁氰化钠结合形成蓝黑色的颗粒，沉着于细胞质中。实验方法 材料： 1.1%TMB 2.亚硝基铁氰化钠饱和溶液 3.1%过氧化氢溶液 4.