破解垄断我国首批32层3DNAND闪存芯片年内将量产
位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台１１日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的３２层３ＤＮＡＮＤ闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。图片来源于网络 目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基地于２０１７年成功研发我国首颗３２层３Ｄ ＮＡＮＤ闪存芯片。这颗耗资１０亿美元、由１０００人的团队历时２年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，有望使我国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。 据介绍，国家存储器基地项目２０１６年由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设，总投资２４０亿美元，项目一期总产能将达到３０万片／月，年产值将超过１００亿美元。 紫光集团董事长赵伟国表示，今年１０月设备将点亮投产，预计２０１９年底６４层闪存产品将实......阅读全文
2D－NAND和3D－NAND间有哪些区别和联系？
如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话，那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里，围绕着闪存颗粒发生了一系列大事，包括闪存颗粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争，以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。那么，到底什么是闪存颗？2D NA
Nand－Flash的特性及其烧录关键点详解（一）
为什么烧录Nand Flash经常失败？为什么烧录成功了，一部分Nand芯片贴板之后系统却运行不起来？…，等等，问了那么多为什么，那我反问一个问题：你了解Nand Flash的特性及其烧录关键点吗？ 一、Nand flash的特性 1、位翻转 在 NAND 闪存是通过对
Nand－Flash的特性及其烧录关键点详解（二）
二、Nand系统裸片量产烧录的关键点 由于Nand flash芯片的特性，以其作为存储介质时必须对这些特性进行恰当处理，这样系统才能正常运行。系统设定各分区数据在Nand芯片的存储布局，并且在存储驱动层对Nand进行位纠错、坏块管理等处理，这些信息需要系统/驱动工程师明确。 研发阶段
中芯国际推出自主研发38纳米NAND闪存工艺
9月11日，中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称中芯国际）宣布38纳米NAND闪存工艺制程已准备就绪，中芯国际凭此成为唯一一家可生产NAND产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发，可满足特殊存储器无晶圆厂对高质量、低密度NAND闪存持续增长的需求，使中芯国际占据该领域的领先地位。
我国科学家自主“打印”出3D打印肝单元
来自杭州电子科技大学等机构的科学家９日在杭州发布了一款自主研发的生物３Ｄ打印工作站。利用这款新的生物３Ｄ打印设备，科学家们“打印”出了３Ｄ打印肝单元。 这两项研究成果９日获得了相关863计划项目专家鉴定组的肯定，认为其不但推进了３Ｄ打印人工组织器官的研发进程，也为新药筛选提供了全新的解决方案，
3D打印技术助推我国航天发射能力实现新跨越
新华社太原５月９日电（李国利、路俊）太原卫星发射中心９日凌晨成功发射高分五号卫星。任务中，多个３Ｄ打印装备器件得到成功运用，标志着这个中心的航天发射能力实现新跨越。 航天发射领域专业性强，非标准组件多。近年来，随着短周期和应急发射成为航天发射能力建设新要求，非标准组件保障问题，成为制约航天
破解垄断－我国首批32层3D－NAND闪存芯片年内将量产
位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台１１日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的３２层３ＤＮＡＮＤ闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。图片来源于网络 目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基
14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND三大尖端...
14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND三大尖端产品的影响近期笔者在清洗业务研讨会上发表了演讲。我不是一名清洗工艺专家，在演讲中介绍更多的是制造工艺的发展趋势及其对清洗的影响。我将在这篇文章中分享并进一步讨论那次演讲的内容，主要围绕DRAM、逻辑器件和NAND这三大尖端产品。DRAM
为什么在NAND闪存存储系统中实现低故障率不仅需要强...
为什么在NAND闪存存储系统中实现低故障率不仅需要强大的ECC代码？ 该行业非常重视单个ECC代码的强度：但经常被忽视的是错误预防的强度，这在纠正甚至发挥作用之前是重要的我们如何在基于NAND闪存的系统中实现最低的故障率？您可能已在工程团队或存储系统供应商之间进行过此次讨论。正在采取哪些措施来
我国在3D－NAND存储器研发领域取得标志性进展
近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会（ICTech Summit 2017）上介绍，32层3D NAND芯片顺利通过电学
半导体的3D时代（二）
图3在左轴上显示了按年份和公司分类的串堆叠，在右轴上显示了每个单元的最大比特数。图3．堆叠层数，每单元比特数。图4展示了我们对按曝光类型，公司和年份划分的掩模数量的分析。虚线是每年的平均掩模数，从2017年的42张增加到2025年的73张，这与层数从2017年的平均60个增加到2025年的512个相
美研发出新型透明三维电脑桌面系统
正在美国加州长滩举行的ＴＥＤ大会上，美国研究人员推出了一款可以把手“伸进”电脑屏幕内部的桌面系统，颠覆了以往台式电脑的使用体验，或许将成为一种新趋势。 由麻省理工学院研究生李镇河与微软公司合作设计的这款ＳｐａｃｅＴｏｐ ３Ｄ产品，是一种透明三维电脑桌面系统。它可以让人们以操作普通桌面
多功能存储器芯片的测试系统设计：提高芯片测试效率2
硬件电路设计在测试NAND FLASH时，测试时间长达十个小时不等。在此为提高测试效率，增加测试速度，本设计采用两套完全一样且独立的硬件系统构成。可同时最多测试2片NAND FLASH器件。每一个硬件系统由一个微处理器（NIOSII）加一个大容量FPGA及一个存储器测试扩展接口（即ABUS接
多功能存储器芯片的测试系统设计：提高芯片测试效率1
本文提出了一种多功能存储器芯片的测试系统硬件设计与实现，对各种数据位宽的多种存储器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）进行了详细的结口电路设计（如何挂载到NIOSII的总线上），最终解决了不同数据位宽的多种存储器的同平台测试解决方案，并详细地设
闪存技术大餐——架构/颗粒/接口/可靠性全面解析架（二）
Flash颗粒解析 学习过模拟电路的同学都知道，在模电原理里三极管分两种，一种是双极性三极管，主要基于载流子用来做电流放大，另一种叫做CMOS场效应三极管，通过电场控制的金属氧化物半导体。NAND Flash就是基于场效应P/N沟道和漏极、栅极技术通过浮栅Mosfet对栅极充电
英特尔3D－XPoint内存封装逆向
TechInsights的研究人员针对采用XPoint技术的英特尔Optane内存之制程、单元结构与材料持续进行深入分析与研究。英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年，英特尔发布采用3D XPoin
化学原料行业新材料系列报告之六
我国半导体芯片受制于人,大容量存储迎来突破。2017年我国集成电路市场规模达到1.67万亿元,同比增长17.5%,但是国内集成电路市场主要依赖进口,进口额达到2601亿美元,贸易逆差达到1932亿美元。作为使用最为普遍的一种高端通用芯片,存储器在集成电路细分市场中规模居首。由于越来越多经济、社会
一对连体女婴在上海成功分离－3D打印技术精准辅助
从上午１０时２０分开始手术，到下午３时３８分手术完毕，一对来自江西的臀部连体女婴９日在上海复旦大学附属儿科医院成功接受分离手术。据悉，此次分离手术采用３Ｄ打印技术进行精准辅助，这在我国儿童医院连体儿分离手术中尚属首次。 这对连体女婴今年３月１７日出生于江西省赣州市宁都县人民医院，产前检查为双胞
现场设备系统如何避免损坏或丢数据？（一）
记录数据的可靠性，通常只考虑到突然掉电、写入不完全等，往往忽略了存储器件的使用寿命。存储器件的擦除次数寿命是行业公认的客观事实，工程师只能尽量的符合器件使用规范，以免过快损耗擦写寿命。Nand－Flash／eMMC（带有Flash控制器的Nand－Flash）作为一种非线性宏单元模式存储器，为固态大
半导体的3D时代（一）
每年在SPIE高级光刻会议召开之前的星期日，尼康都会举行其Litho Vision研讨会。我有幸连续第三年受邀发言，不幸的是，由于新冠肺炎的影响，该活动不得不取消。但是到活动宣布取消时，我已经完成了演讲文稿，所以在此分享。概述我演讲的题目是“ Economics in the 3D Era”。在
美货运飞船升空前往国际空间站
美国诺思罗普－格鲁曼公司１７日利用“安塔瑞斯”火箭发射“天鹅座”飞船，第十次执行国际空间站货运任务，共送去近３．４吨物资和实验设备。这是两天里第二次有飞船前往空间站。 美国航天局说，美国东部时间４时１分（北京时间１７时１分），“安塔瑞斯”火箭搭载“天鹅座”飞船，从美国东海岸弗吉尼亚州的瓦勒普斯
美国或将会限制对华芯片出口，韩国芯片被波及
据知情人士透露，美国正考虑限制向中国存储芯片商出口美国芯片制造设备，其中包括长江存储科技有限公司 (YMTC)。专业人士分析，如果这一决议落实，可能会殃及池鱼，韩国芯片巨头三星电子(005930.KS)和SK海力士(000660.KS)业务也将受到影响。三星设在西安的半导体工厂据了解，韩国在中国大陆
国产新星半导体巨头崛起，实现弯道超车
首先是长江存储在全球拥有10，000多名员工，7000多项ZL申请。是一家以3D NAND闪存为主，涵盖计算机、移动通信等领域的电路企业，致力于成为存储技术的领导者。如今，作为三星、东芝这样的高科技企业，长江存储曾经有着令人钦佩的R&D历史。长江存储的前身武汉新鑫，因经济衰退而举步维艰。危急之时
AMAT推出新型CDSEM产品，专用于EUV光刻工艺测量
美国东部时间，2月28日，应用材料公司推出了一款新型电子束测量系统，专门设计用于精确测量采用EUV和新兴高数值孔径EUV光刻技术的半导体器件特征的关键尺寸。芯片制造商使用CD-SEM（特征尺寸测量用扫描电子显微镜）在光刻扫描仪将其从掩模转移到光刻胶后对图案进行亚纳米级测量。这些测量持续校准光刻工艺性
半导体大消息！美国放开对华市场，网友：不买不买！
刚刚，半导体传来一则大消息。 10月9日，韩国总统办公室通报，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其它许可。意味着，在无需单独批准的情况下，三星电子、SK海力士可以向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。值得一提的是，全球最大和第二大存储芯片制造商，三星电子、SK海力士在
一文解析SLC、MLC和TLC三者的区别
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术
半导体的3D时代（三）
Logic对于3D NAND“节点”，可以轻松地根据物理层数进行定义，对于DRAM节点一般采用有源区的半节距，而逻辑节点几乎是公司营销人员称之为多少就是多少。由于FinFET是3D结构，因此某些人认为当前的FinFET前沿工艺是3D，但在本次讨论中，我们认为3D是指器件堆叠，即允许堆叠多个有源层以创
让科学走近民众――访美国喷气推进实验室
位于美国洛杉矶郊区帕萨迪纳的喷气推进实验室是美国太空探索和火箭发射研究的先驱机构。它隶属美国航天局，被列为国家级机密机构，平时戒备森严。但为了向公众普及太空知识，该机构每年有两天会暂时打开大门，向公众一展真容。今年的公众开放日被安排在５月１５日至１６日，新华社记者借机对这一神秘机构进行
原子级工艺实现纳米级图形结构的要求（二）
原子层刻蚀有助于减少这些随机缺陷的影响。因为它在自限性步骤中逐层进行，而且因为工艺步骤将化学活性物质与高能离子相分离，因此原子层刻蚀不会产生传统的刻蚀工艺中出现的粗糙的镶边层。更重要的是，原子层刻蚀与原子层沉积的重复循环，能够降低EUV中随机缺陷引起的粗糙度。凹凸表面比平面具有较高的表面体积比，这就
电流记录仪简介
电流记录仪是针对各种工业现场的实际需求设计生产的，集显示、处理、记录、积算、报警和配电等多种功能于一身的新型记录仪。 电量记录仪采用高亮度、宽视角的5.6英寸TFT液晶显示屏，显示清晰明了；采用超大容量的NAND FLASH作为历史数据的存储介质，真正实现无纸记录仪强大的记录功能；按键和旋钮联