垂直自旋器件的全电写入和硅基集成研究取得进展
基于自旋轨道矩（Spin-orbit torque）效应的第三代自旋芯片有望突破传统半导体芯片速度和功耗面临的物理极限，已成为国际半导体企业布局的重要技术路线。采用垂直磁化比特的第三代自旋芯片有望实现更高的热稳定性和数据保持时间。 近日，中国科学院半导体研究所提出通过合金化大幅提高垂直自旋产生效率的新方法。团队采用轻金属Cu重掺杂自旋霍尔金属Pt形成合金Pt0.5Cu0.5，实现了垂直自旋扭矩5倍以上的增强效应，也完成了基于4吋热氧化硅晶圆、高垂直各向异性FeCoB器件阵列在超低电流密度下（1.8×107A/cm2）100%翻转比例的全电写入，电流密度为迄今公开报道的所有兼容CMOS集成的全电写入方案中的最低值。 相关研究成果发表在《先进功能材料》（Advanced Functional Materials）上。研究工作得到国家自然科学基金委员会、科学技术部等的支持。......阅读全文
新款晶圆问世|硅基化合物光电集成技术大突破
据中国光谷消息，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。近年来，由于5G通信、大数据、人工智能等行业的强力驱动，光子集成技术得到极大关注。公开资料显示，光子集成的概念类可
半导体所硅基集成光学导向逻辑器件研究取得系列进展
自2007年美国科学家Hardy和以色列科学家Shamir共同提出光学导向逻辑的概念以来，光学导向逻辑引起了人们的广泛关注, 目前已有美国海军实验室、莱斯大学、菲斯克大学、以色列理工学院等多家研究机构从事相关研究。 与传统光学逻辑不同，光学导向逻辑的实现依赖于光开关网络，每个开
硅基磷化铟异质集成片上光源研究取得新进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/518959.shtm近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员游天桂、欧欣课题组，基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量晶圆级硅基磷化铟（InP）单晶薄膜异质衬底（InPOS），并进一步制备了性
中科院实现硅基异质集成的片上量子点发光
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所硅光课题组研究员武爱民团队/龚谦团队与浙江大学副教授金毅课题组合作，在硅基衬底上研制出超小尺寸的包含InAs量子点的纳米共振结构，基于准BIC原理实现了O波段的片上发光。7月28日，相关研究成果以Heterogeneously integrated quan
应用于射频的集成无源器件硅基转接板技术
摘要 展示了一种应用于射频微系统领域的可以集成射频无源器件的硅基转接板结构。该结构将电感、电容、电阻、传输线和 TSV 等集成在适用于微波应用的高阻硅衬底上，可实现芯片级的CMOS 、 MMIC 及 MEMS 多种不同材料器件集成。采用这种方法制备的传输线损耗在 40 GH
半导体所硅基集成光学导向逻辑器件研究获重要进展
硅基集成光学导向逻辑器件实现或/或非、与/与非、同或/异或操作的波形图 在中国科学院“百人计划”项目的支持下，半导体研究所光电系统实验室在国际上率先实现光学导向逻辑器件的原理验证。 自2007年美国科学家Hardy和以色列科学家Shamir共同提出光学导向逻辑的概念以来，光学导向逻辑
垂直自旋器件的全电写入和硅基集成研究取得进展
基于自旋轨道矩（Spin-orbit torque）效应的第三代自旋芯片有望突破传统半导体芯片速度和功耗面临的物理极限，已成为国际半导体企业布局的重要技术路线。采用垂直磁化比特的第三代自旋芯片有望实现更高的热稳定性和数据保持时间。 近日，中国科学院半导体研究所提出通过合金化大幅提高垂直自旋产生
中国科大首次研制成功硅基导模量子集成芯片
日前，中国科学技术大学中科院量子信息重点实验室任希锋研究组与浙江大学科学家合作，首次研制成功硅基导模量子集成芯片，实现单光子态和量子纠缠态在偏振、路径、波导模式等不同自由度之间的相干转换，其干涉可见度均超过90%，为集成量子光学芯片上光子多个自由度的操纵和转换提供重要实验依据。研究成果6月20日
中国科大首次研制成功硅基导模量子集成光学芯片
中国科技大学中科院量子信息重点实验室任希锋研究组与浙江大学教授戴道锌合作，首次研制成功硅基导膜量子集成芯片。成果近日发表于《自然—通讯》。
铒原子首次集成到硅晶体内
德国科学家首次将拥有特殊光学特性的铒原子集成到硅晶体内，这些原子可通过通信领域常用的光连接起来，使其成为未来量子网络的理想构建块。最新实验结果在没有复杂冷却的条件下获得，且基于现有硅半导体生产工艺，因此适用于构建大型量子网络。相关研究刊发于最新一期《物理评论X》杂志。 量子网络可通过使用光
什么是硅基负极材料？
更高的正极比容量、更高的负极比容量和更高的电池电压（以及更少的辅助组元），是高能量密度电池的理论实现路径。正极材料的比容量相对更低，性能提升对电池（单体）作用显著；负极比容量提升对于电池能量密度提升仍有相当程度作用。硅材料的理论比容量远高于（约10倍）已逼近性能极限的石墨，有望成为高能量密度锂电池的
我科学家首次研制成功硅基导模量子集成光学芯片
中国科技大学中科院量子信息重点实验室任希锋研究组与浙江大学教授戴道锌合作，首次研制成功硅基导膜量子集成芯片。成果近日发表于《自然—通讯》。 集成光学的器件及系统具有尺寸小、可扩展、功耗低、稳定性高等诸多优点，在经典光学和量子信息领域受到关注。以往集成量子光学芯片研究通常采用偏振自由度或路径自由
硅基智能创始人司马华鹏：从碳基到硅基，文明交替的奇点已至
硅基智能创始人司马华鹏认为，随着AI技术的快速发展，我们正处在从碳基文明向硅基文明转变的关键时期。这一转变不仅标志着技术的迭代，更意味着生命深层的进化。在AI时代，算力、电力和财力成为了新的生产资料，而传统的食物、能源和土地已不再是关键。司马华鹏将“硅基”概念类比为漫威作品中的振金，认为它将在能源、
硅基负极材料的性能特点
更高的正极比容量、更高的负极比容量和更高的电池电压（以及更少的辅助组元），是高能量密度电池的理论实现路径。正极材料的比容量相对更低，性能提升对电池（单体）作用显著；负极比容量提升对于电池能量密度提升仍有相当程度作用。硅材料的理论比容量远高于（约10倍）已逼近性能极限的石墨，有望成为高能量密度锂电池的
物理所硅基可集成全光二极管和隔离器研制获得进展
长期以来，全光二极管与隔离器的研制是微纳集成光子学领域的一个世界性的难题。正如传统集成电路系统运算功能需要电二极管这一基本元件一样，全光信号运算处理也离不开能使得光子满足非对异性传输的单元，即所谓的“全光二极管”。与此同时，信息技术的迅猛发展，要求信息传递的速度更快，信息存储能力更大
硅基全电池的其他重要参数
初始库仑效率（ICE）是全电池设计的关键，因为它对活性材料的利用率起着决定性的作用，从而影响适用电池的总重量。然而，大多数关于硅负极LIBs的研究都集中在实验室。在实验研究中，通常采用金属锂作为对电极，但锂通常过量，这使得第一次嵌锂过程中SEI膜形成和副反应引起的Li+损失不会显着恶化循环稳定性。在
为何选择硅基微流控芯片？
第一种应用于微流控芯片的材料是硅，虽然它很快被玻璃和聚合物取代。硅首先被选中是因为：* 它对有机溶剂的耐受性* 容易金属沉积* 优越的导热性* 表面稳定性然而，硅基微流控芯片由于其硬度而不易处理，因此难以生成如微阀或微泵等有源微流控部件。另一个缺点是当进行光学检测时，硅展现出明显的不透光性。此外，由
“神奇材料”石墨烯“联姻”硅基技术
据物理学家组织网7月10日(北京时间)报道，奥地利、德国和俄罗斯的科学家们合作研发出一种新方法，可以很好地让“神奇材料”石墨烯同现有占主流的硅基技术“联姻”，制造出在半导体设备等领域广泛运用的石墨烯-硅化物。相关研究发表在英国自然集团旗下的《科学报告》杂志上。 石墨烯是从石墨材料中剥离出来
新研究实现硅基非传统超导
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/5/500710.shtm近日，中山大学电子与信息工程学院（微电子学院）副教授明方飞与南方科技大学副教授王克东团队、美国田纳西大学教授Weitering团队等合作，在硅基拓扑超导研究方面取得重要进展。相关研究成
二维材料成功集成到硅微芯片内
沙特阿卜杜拉国王科技大学科学家在27日出版的《自然》杂志上发表论文指出，他们成功将二维材料集成在硅微芯片上，并实现了优异的集成密度、电子性能和良品率。研究成果将帮助半导体公司降低制造成本，及人工智能公司减少数据处理时间和能耗。二维材料有望彻底改变半导体行业，但尽管科学家们研制出了多款类似设备，但技术
二维材料成功集成到硅微芯片内
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497276.shtm 微芯片内的设备和电路的光学显微镜图像。图片来源：《自然》杂志网站 科技日报北京3月28日电 （记者刘霞）沙特阿卜杜拉国王科技大学科学家在27日出版的《自然》杂志上发表论
硅基混合能源电池研究取得重要进展
在过去十年里，由于能源危机和全球变暖现象的出现，可再生能源和绿色能源的利用引起了广泛的关注。硅基太阳能电池以其低成本、高性能和大规模生产等特点得到人们的广泛肯定。 硅太阳能电池是目前最成熟的太阳能电池技术之一。光调控是一种有效提升太阳能电池性能的方法，如通过增强光吸收能力和制造各种金字塔表
王曦：领航高端硅基产业蓝海
王曦，中国科学院院士，我国著名半导体材料学专家，中科院上海微系统与信息技术研究所所长、我国高端集成电路衬底材料的主要开拓者和领军人物。3月23日，他在上海科技奖励大会上获得了2017年度科技功臣奖。 在中国，如果提到高端硅基SOI材料研发和产业化，业内人士都会提到一个名字——王曦。 王曦，中
硅基动态血糖仪怎么样
硅基动态血糖仪亲测大大好用，我是低血糖，为了稳定血糖，现在每天都在戴着，硅基动态血糖仪对我来说，帮助很大。它不像传统血糖仪需要扎手指，直接戴在手臂或胳膊上就好了。而且它的功能很人性化，可以连续14天自动测血糖，每时每刻的血糖详情会同步到手机上。每天还会生成血糖数据分析，根据数据变化及时调节饮食。如果
首块激光器和光栅集成的硅芯片问世
据美国物理学家组织网8月10日(北京时间)报道，新加坡数据存储研究所的魏永强(音译)和同事首次构建出一种由一个激光器和一个光栅集成的新型硅芯片，其中的光栅能让光变得更强并确保激光器输出1500纳米左右波长的光，而通讯设备标准的操作波长正是1500纳米。 光纤在传输数据时需要让不同波长
硅芯片上可集成最小量子光探测器
英国布里斯托大学的研究人员在扩展量子技术方面取得了重要突破。他们将世界上最小的量子光探测器集成到硅芯片上。相关研究发表在17日出版的《科学进步》杂志上。规模化制造高性能电子和光子学硬件是实现下一代先进信息技术的基础。然而，如果没有真正可扩展的量子技术硬件制造工艺，量子技术带来的益处将无法得到完全呈现
新途径！集成于硅芯片上的石墨烯黑体发光器
通常，集成于硅芯片上的高速发光器可作为硅基光电子学的新型架构，但基于化合物半导体的发光器很难在硅衬底上直接制造，该类发光器与硅基平台的集成面临着严峻挑战。因此，能在近红外（NIR）区域（含电信波长）工作，且高速、高度集成于硅片上的石墨烯黑体发光器开发得到契机。矩形石墨烯片连接至源极与漏极，调节输
新疆理化所硅基光电探测研究取得进展
实现高效光电探测一直是微电子领域和材料领域研究的热点。硅基探测是众多光电探测器中最实用化的一种方法，而构筑于硅基底上的纳米材料光电探测器研究是目前科研人员高度关注的课题。多数的构筑于硅基底上的纳米结构采用的硅基底为表面热氧化的硅片，一般氧化层(SiO2层)结晶性好、漏电流小、避免影响目标纳米结构
硅基光电子领域获重大突破
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/10/510759.shtm
硅基近红外光电转换取得突破
近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陈沁课题组联合东南大学的王琦龙教授紧密合作，在低成本高效硅基热电子红外光电探测器方面取得了系列进展。他们首先提出了Au纳米颗粒修饰Si金字塔结构的方案，实验证明他们制备的这些器件的性能与那些精心设计、成本高昂的Si基近红外光电探测器性能相当，有望应用在