传统纳米加工vs光折变技术谁更胜一筹
核心数据：硫化砷（As₂S₃）晶体在低强度紫外光下折射率变化达Δn≈0.3，远超已知光折变材料BaTiO₃和LiNbO₃，且无需昂贵的洁净室制造或飞秒激光系统。 XPANCEO新兴技术研究中心与诺贝尔奖获得者Konstantin Novoselov教授合作，在硫化砷（As₂S₃）——一种层状范德华半导体晶体——中发现了异常的光学行为。他们发现这种材料可以被光永久性改变，甚至仅用简单的连续波光源就能在纳米尺度上进行塑形。这一方法避免了传统纳米加工中对昂贵洁净室制造或先进飞秒激光系统的依赖。 折射率是描述材料弯曲或减慢光线程度的关键指标。折射率越高的材料能更好地在器件中限制和引导光线。在某些材料中，光也可以改变这一特性，即光折变效应。在As₂S₃晶体中，这种响应即使在低强度紫外光下也会发生，其折射率变化高达Δn≈0.3，远超BaTiO₃或LiNbO₃等已知光折变材料的典型值。 实验设计对比：传统纳米加工需要洁净室、多步机械制造工艺；......阅读全文
传统纳米加工－vs－光折变技术谁更胜一筹
核心数据：硫化砷（As₂S₃）晶体在低强度紫外光下折射率变化达Δn≈0.3，远超已知光折变材料BaTiO₃和LiNbO₃，且无需昂贵的洁净室制造或飞秒激光系统。 XPANCEO新兴技术研究中心与诺贝尔奖获得者Konstantin Novoselov教授合作，在硫化砷（As₂S₃）——一种层状范德华半
这个领域4天内连续发表Science、Nature－Nano.和Nature－Electronics
范德华异质结作为一种新型的结构，在光电器件领域展示出无限的魔力，在经历过2019年的狂欢之后，2020年刚刚开始，又开始展露实力。 2020年1月31日，东京大学首先在Science发力，报道了渴望已久的一维范德华异质结。2月3日，苏黎世联邦理工学院在Nature Nanotechnology
硅纳米晶体管展现出强量子限制效应
据美国物理学家组织网3月21日报道，美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管，表现出明显的量子限制效应，纳米线的直径越小，电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。相关研究发表在最近出版的《纳米快报》上。 实验中，他们用平版
半导体所二维半导体磁性掺杂研究取得进展
近年来，二维范德华材料如石墨烯、二硫化钼等由于其独特的结构、物理特性和光电性能而被广泛研究。在二维材料的研究领域中，磁性二维材料具有更丰富的物理图像，并在未来的自旋电子学中有重要的潜在应用，越来越受到人们的关注。掺杂是实现二维半导体能带工程的重要手段，如果在二维半导体材料中掺杂磁性原子，则这些材
我国率先实现铌酸锂单晶薄膜产业化
济南晶正电子科技有限公司现已研制出铌酸锂单晶薄膜产品并量产，此举使我国具有了全球领先产业化生产铌酸锂单晶薄膜的能力，标志着我国在光电新材料领域实现重大突破。 铌酸锂晶体是集电光、声光、压电、光弹、非线性、光折变及激光活性等效应于一身的人工合成晶体。济南晶正电子科技有限公司采用离子注入及直接
国家纳米中心等在晶体光学各向异性研究中获进展
近日，国家纳米科学中心戴庆团队和美国石溪大学教授刘梦昆等合作，利用近场光学技术克服了范德华晶体有限尺寸导致的表征困难，成功测量了氮化硼及二硫化钼的介电张量，发展了新的晶体光学各向异性表征方法。 石墨烯、氮化硼、过渡金属硫族化合物等新型二维材料都属于范德华晶体，各自具有优良的力学、电学、光学性质
国家纳米中心发展新的晶体光学各向异性表征方法
近日，国家纳米科学中心戴庆团队和美国石溪大学教授刘梦昆等合作，利用近场光学技术克服了范德华晶体有限尺寸导致的表征困难，成功测量了氮化硼及二硫化钼的介电张量，发展了新的晶体光学各向异性表征方法。相关研究成果在线发表于《自然—通讯》，其表征方法已申请发明ZL。该研究得到了国家自然科学基金、科技部重点
苏州纳米所实现低对称光子晶体激子极化激元
光与物质的相互作用是光子器件发展的基石。光与物质之间的耦合具有偏振敏感性。而偏振选择性可以为光与物质相互作用提供新的自由度。原子层级的二维过渡金属硫化物（TMD）具有室温稳定的激子效应，成为研究光与物质相互作用的理想材料平台。在弱耦合范畴，单层TMD与各向异性人工纳米结构集成可以通过近场耦合实现激子
我国学者在范德华异质结器件研究方面取得重要进展
图1. 非对称范德华异质结器件结构示意图图2.（a）非对称范德华异质结器件在不同外界电场条件下的光电流；（b）器件工作为非易失性存储和可编程整流器时的特性曲线。 在国家自然科学基金项目（项目编号：61625401、61474033，61574050）等资助下，国家纳
有机电荷转移分子调控二维材料电学特性研究取得进展
近日，中国科学院微电子研究所在有机电荷转移分子调控二维材料电学特性研究中取得新进展。 薄层过渡金属二硫化物（TMDCs）以其独特的电学、光电、机械和磁学特性为探索低维系统中的新物理特性和应用途径提供了一个新的平台。其中，在场效应晶体管应用中，少层二硫化钼（MoS2）可以突破传统半导体材料的短沟
多校联合在铁电基神经形态视觉系统领域取得进展
元件能否可以像人类视网膜那样，在每个像素上把感知、存储、计算功能集于一体？科学家提出了开发感知、存储、计算“全在一”视网膜硬件的构想。近日，山西师范大学教授许小红、副教授薛武红与复旦大学教授周鹏、南方科技大学副教授周菲迟合作，提出并构建全范德华二硫化硒/六方氮化硼/铜铟二磷六硫基铁电场效应晶体管，通
上海光机所在光致热折变玻璃及体光栅研制方面取得进展
中国科学院上海光学精密机械研究所在用于体光栅（VBG）的光致热折变玻璃（Photo-Thermo-Refractive glass，简称PTR）的研制方面取得新进展，在国内率先制备出80×30×20mm、具有高光敏和热敏特性、高均匀性（
光磁效应简介
光照射物质后,物质磁性（如磁化率、磁晶各向异性、磁滞回线等）发生变化的现象。早在1931年就有光照引起磁化率变化的报道，但直到1967年R.W.蒂尔等人在掺硅的钇铁石榴石 (YIG)中发现红外光照射引起磁晶各向异性变化之后才引起人们的重视。这些效应多与非三价离子的代换有关，这种代换使亚铁磁材料中出现
我国与海外合作者在新型光晶体管器件研究领域取得进展
图 （a）极化激元晶体管的基本原理图，（b）极化激元晶体管光学显微镜照片 在国家自然科学基金项目（批准号：51925203、52072083、62075070、51902065）等资助下，国家纳米科学中心戴庆研究员团队在新型光晶体管器件方面取得进展。相关研究成果以“电栅极可调的中红外极化激元负折射
光磁电效应和霍尔效应的异同
光磁电效应和霍尔效应的异同虽然，光磁电效应与霍尔效应相似，但是它们是不同的效应。体现在三个方面：1）光磁电效应中在磁场作用下移动的是电子空穴对，而霍尔效应中移动的是自由电子。2）针对材料不同，一个是半导体材料，一个是导体材料。3）使用情形也不一样，一个需要光照，一个不需要。利用光磁电效应可制成半导体
磁光效应和光磁效应的概念
磁光效应克尔磁光效应的最重要应用就是观察铁磁材料中难以捉摸的磁畴。因不同磁畴区的磁化强度的不同取向使入射偏振光产生方向、大小不同的偏振面旋转，再经过检偏器后就出现了与磁畴相应的明暗不同的区域。利用现代技术,不但可进行静态观察,还可进行动态研究。这些都导致一些重要发现和关于磁畴、磁学参数的有效测量。光
光磁电效应和霍尔效应的异同
虽然，光磁电效应与霍尔效应相似，但是它们是不同的效应。体现在三个方面，1）光磁电效应中在磁场作用下移动的是电子空穴对，而霍尔效应中移动的是自由电子。2）针对材料不同，一个是半导体材料，一个是导体材料。3）使用情形也不一样，一个需要光照，一个不需要。利用光磁电效应可制成半导体红外探测器。这类半导体材料
SPM纳米加工技术
提示：扫描探针显微镜( scanning probe microscopes，SPM)，包括扫描隧道显微镜( STM)、原子力显微镜(AFM)、激光力显微镜(LFM)、磁力显微镜(MFM)等。SPM成为人类在纳米尺度上，观察、改造世界的一种新工具。STM是通过探测隧道电流来感知物体表面
乌克兰科学家研发纳米级超薄硒化铟
纳米级超薄硒化铟是一种具有独特性能的类石墨烯新半导体材料，其厚度从一层（~0.83 nm）到几十层不等。这种新半导体材料的电学和光学性能研究是在2010年物理学诺贝尔奖得主—英国曼彻斯特大学教授安德烈·海姆的实验室进行的。近日乌克兰和英国科学家在《Nature Nanotechnology》杂
光磁电效应的概念
光磁电效应，Photo-Magneto-Electric Effects （PME Effects ）光磁电效应是指在垂直于光束照方向施加外磁场时半导体两侧面间产生电位差的现象。
光弹效应的概念
光弹效应是指介质中应力波的存在可改变介质的介电常数或光折射率，因而影响光在介质中的传播特性的现象。
光伏效应的能带
在热平衡条件下，结区有统一的EF；在远离结区的部位，EC、EF、Eν之间的关系与结形成前状态相同。从能带图看，N型、P型半导体单独存在时，EFN与EFP有一定差值。当N型与P型两者紧密接触时，电子要从费米能级高的一方向费米能级低的一方流动，空穴流动的方向相反。同时产生内建电场，内建电场方向为从N区指
光伏效应的原理
“光生伏特效应”，简称“光伏效应”，英文名称：Photovoltaic effect。指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。它首先是由光子（光波）转化为电子、光能量转化为电能量的过程；其次，是形成电压过程。有了电压，就像筑高了大坝，如果两者之间连通，就会形成电流的回路
光磁电效应的概念
光磁电效应，Photo-Magneto-Electric Effects （PME Effects ）光磁电效应是指在垂直于光束照方向施加外磁场时半导体两侧面间产生电位差的现象。
光的减色效应规律
光的减色效应概括起来有以下规律：1、原色（红、绿、蓝）滤光器，只允许和本滤色镜颜色相同的色光透过，吸收其它色光。白光是由等量的红光、绿光、蓝光混合而成的。当白光通过红滤镜时，它只允许本色光透过，吸收绿光和蓝光。绿滤镜允许透过绿光，吸收红光和蓝光；蓝滤镜允许透过蓝光，吸收红光和绿光。2、间色（橙、黄、
光伏效应的概念
“光生伏特效应”，简称“光伏效应”，英文名称：Photovoltaic effect。指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。首先，是由光子（光波）转化为电子、光能量转化为电能量的过程；其次，是形成电压过程。有了电压，就像筑高了大坝，如果两者之间连通，就会形成电流的回路
磁光克尔效应简介
在磁光克尔效应，根据反映的磁材料具有轻微旋转偏振平面。它类似于法拉第效应下的两极分化的透光旋转。
科学家制备范德华异质结
北京高压科学研究中心研究员李阔、郑海燕课题组通过偶氮苯分子晶体的高压拓扑聚合反应，首次合成了有序的范德华碳氮纳米带异质结。相关结果3月16日发表于《美国化学会志》。图片来源：《美国化学会志》范德华异质结是由两种或两种以上具有不同化学成分、结构或性质的材料通过范德华力结合而成的人工纳米结构，因其独特的
中国科大在二维器件范德华接触研究中取得进展
近日，我校合肥微尺度物质科学国家研究中心曾华凌教授、物理学院乔振华教授和化学与材料科学学院邵翔教授在二维电学器件范德华接触研究中取得新进展，展示了一种制备二维电学器件的“全堆叠”技术，优化了二维材料与金属电极之间的界面接触，为二维电学器件的制备提供了一种高效、高质量且高稳定性的普适方法。相关研究成果
全球首个单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世
中科院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内外多家单位合作，首次演示了可阵列化、垂直单原子层沟道的鳍式场效应晶体管，相关成果于3月5日在《自然—通讯》在线发表。 过去几十年来，微电子技术产业沿摩尔定律取得了突飞猛进的发展，按照摩尔定律的预测，集成电路可容纳晶体管数目大约每两年增加一倍。为了避