Pechini法制备铌酸锂陶瓷的结晶性能研究

我国率先实现铌酸锂单晶薄膜产业化

　　济南晶正电子科技有限公司现已研制出铌酸锂单晶薄膜产品并量产，此举使我国具有了全球领先产业化生产铌酸锂单晶薄膜的能力，标志着我国在光电新材料领域实现重大突破。 　　铌酸锂晶体是集电光、声光、压电、光弹、非线性、光折变及激光活性等效应于一身的人工合成晶体。济南晶正电子科技有限公司采用离子注入及直接

铌酸锂微波光子芯片－高速精确低能耗

原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/518117.shtm 集成微波光子处理芯片效果图  受访者供图香港城市大学电机工程学系副教授王骋团队，与香港中文大学研究人员合作，利用铌酸锂为平台，开发出处理速度更快、能耗更低的微波光子芯片，可运

八英寸SOI/铌酸锂异质集成技术新进展

原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519020.shtm近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称微系统所）硅基材料与集成器件实验室研究员蔡艳、欧欣合作，利用上海微技术工业研究院标准180 nm硅光工艺在八英寸 SOI上制备了硅光

纳米级铌酸锂晶体薄膜材料研发获财政支持

　　济南晶正电子科技有限公司自主研发生产的国家重点鼓励发展的新材料——纳米级铌酸锂晶体薄膜材料，得到济南市政府的高度重视和支持，并由此获批了济南综合保税区的黄金地块和3000万元的财政支持。近日，山东省委常委、济南市委书记王敏到济南市高新区调研时重点关注了济南晶正项目建设情况，对其世界首创的纳米级铌

铌酸锂晶体中的交叉偏振布里渊增益特性首次被揭示

　　近日，电子科技大学信息与通信工程学院光纤传感与通信教育部重点实验室研究团队，联合美国科罗拉多大学博尔德分校，在《自然—光子学》上发表研究论文，首次系统揭示了铌酸锂晶体中的交叉偏振布里渊增益特性，并展示了其与二阶非线性的高效耦合机制，从而成功开发出三种创新性光子器件，可为下一代光通信、精密测量和量

上海光机所等提出高品质铌酸锂微腔的制备新方案

　　高品质回音壁模式光学微腔能够显著地增强光与物质的相互作用，在低阈值的非线性光学、量子电动力学、光机械力学和生物传感等领域有广泛的应用。基于介质晶体衬底的回音壁模式光学微腔具有高非线性系数（二阶或三阶）、宽透明窗口、低本征吸收、几乎没有杂质发光等独特优点，在构建光学频率梳、下一代的经典或量子纠缠光

莫斯科国立钢铁合金学院研制出新型振动传感器

　　据俄罗斯科学网站报道，国立研究型技术大学莫斯科国立钢铁合金学院研究人员研制了一种新型振动传感器，用于建筑物和桥梁状态诊断仪器以及航天器。传感器使用无铅铌酸锂（LiNbO3）晶体。研究成果发表在《Sensors》杂志上。　　铌酸锂晶体比振动传感器制造商目前使用的锆—钛酸铅陶瓷稳定得多。向新材料的过

常用的压电材料分类

 一类是无机压电材料，分为压电晶体和压电陶瓷，压电晶体一般是指压电单晶体；压电陶瓷则泛指压电多晶体。  压电陶瓷是指用必要成份的原料进行混合、 成型、高温烧结，由粉粒之间的固相反应和烧结过程而获得的微细晶粒无规则集合而成的多晶体。具有压电性的陶瓷称压电陶瓷，实际上也是铁电陶瓷。在这种陶瓷的晶粒之中存

锰酸锂的生产原理

尖晶石型锰酸锂的合成方法有很多种，主要有高温固相法、熔融浸渍法、微波合成法、溶胶凝胶法、乳化干燥法、共沉淀法、Pechini法以及水热合成法。如今市场上主要的锰酸锂有AB两类，A类是指动力电池用的材料，其特点主要是考虑安全性及循环性。B类是指手机电池类的替代品，其特点主要是高容量。锰酸锂的生产主要以

关于锰酸锂的制备方法介绍

　　尖晶石型锰酸锂的合成方法有很多种，主要有高温固相法、熔融浸渍法、微波合成法、溶胶凝胶法、乳化干燥法、共沉淀法、Pechini法以及水热合成法。　　如今市场上主要的锰酸锂有AB两类，A类是指动力电池用的材料，其特点主要是考虑安全性及循环性。B类是指手机电池类的替代品，其特点主要是高容量。　　锰酸锂

锰酸锂的生产方法

尖晶石型锰酸锂的合成方法有很多种，主要有高温固相法、熔融浸渍法、微波合成法、溶胶凝胶法、乳化干燥法、共沉淀法、Pechini法以及水热合成法。如今市场上主要的锰酸锂有AB两类，A类是指动力电池用的材料，其特点主要是考虑安全性及循环性。B类是指手机电池类的替代品，其特点主要是高容量。锰酸锂的生产主要以

2025深圳国际压电材料及技术设备展览会

2025深圳国际压电材料及技术设备展览会Shenzhen International Piezoelectric Materials and Technology Equipment Exhibition2025〓基本信息〓时间：2025年6月25-27日地点：深圳国际会展中心〓展会简介〓     

关于碳酸锂的用途介绍

　　碳酸锂可用于锂化合物及搪瓷、玻璃制造，是制取锂化合物和金属锂的原料，可作铝冶炼的电解浴添加剂。在玻璃、陶瓷、医药和食品等工业中应用广泛，亦可用于合成橡胶、染料、半导体、军事国防工业、电视机、原子能、医药、催化剂等方面。用于制取声学级单晶，光学级单晶。还可 用于治疗狂燥性精神病，制作镇静剂等。　　

压电传感器原理及应用（一）

一、压电效应及压电材料1、压电效应压电材料是指受到压力作用在其两端面会出现电荷的一大类单晶或多晶的固体材料，它是进行能量转换和信号传递的重要载体。最早报道材料具有压电特性的是法国物理学家居里兄弟，1880年他们发现把重物放在石英晶体上，晶体某些表面会产生电荷，电荷量与压力成正比，并将其成为压

铌基异质结构纳米片解决了锂硫电池存在的问题

　　近日，中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组研究员吴忠帅团队设计并制备出一种氮化铌-氧化铌异质结构纳米片，可同时作为锂硫电池的正极与负极载体，有效抑制了多硫化物的穿梭效应和金属锂负极枝晶的生长，应用该异质结构的锂硫电池在贫电解液、低负正极容量比、高硫载量条

科学家成功研发可批量制造新型光子芯片技术

中新网北京5月9日电 (记者 孙自法 郑莹莹)中国科学院最新发布消息说，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海微系统所)、瑞士洛桑联邦理工学院组成的合作团队在国际上另辟蹊径，最近在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展，已成功研发并实现可批量制造的新型光子芯片——钽酸锂集成光

镍钴锰酸锂、磷酸铁锂、钴酸锂和锰酸锂电池安全性比较

1、镍钴锰酸锂（三元）电池在实际可用的理论比能量上有极大的提高，相对于与钴酸锂电池而言，可以更好的发挥高容量作用，但从材料上看，三元电池采用镍钴锰酸锂和有机电解液，暂未从根本上解决安全性问题，如果电池发生短路讲产生过大电流，从而引发安全隐患。2、磷酸铁锂电池理论容量是170mAh/g，做成材料的实际

钴酸锂、锰酸锂、磷酸铁锂、三元材料电池的性能制备对比

上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术

5月8日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》（Lithium tantalate photonic integrated circuits for volume manufac

有它助阵，集成光电子器件加工不再难

兰州大学物理科学与技术学院教授田永辉课题组与澳大利亚皇家墨尔本理工大学教授阿南?米切尔课题组及上海交通大学教授苏翼凯课题组合作，通过在薄膜铌酸锂晶圆表面沉积一层氮化硅，利用传统的刻蚀技术仅仅刻蚀氮化硅层形成亚波长光栅波导，有效应对了薄膜铌酸锂集成光电子器件难以加工制作的挑战，降低了器件尺寸、提升了芯

新型铌基异质结构纳米片用于贫电解液锂硫电池

近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员吴忠帅团队，设计并制备出一种氮化铌—氧化铌异质结构纳米片，可同时作为锂硫电池的正极与负极载体，有效抑制了多硫化物的穿梭效应和金属锂负极枝晶的生长，应用该异质结构的锂硫电池在贫电解液、低负正极容量比、高硫载量条件下，展示出优异电化学性能。相关研究成果发表于《先进

铌基异质结构纳米片并用于贫电解液锂硫电池

　　近日，我所催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组（508组）吴忠帅研究员团队，设计并制备出一种氮化铌-氧化铌异质结构纳米片，可同时作为锂硫电池的正极与负极载体，有效地抑制了多硫化物的穿梭效应和金属锂负极枝晶的生长，应用该异质结构的锂硫电池在贫电解液、低负正极容量比、高硫载量条件下，展

什么是钴酸锂？

钴酸锂是一种无机化合物，化学式为LiCoO?，一般使用作锂离子电池的正电极材料。其外观呈灰黑色粉末，吸入和皮肤接触会导致过敏。钴酸锂一般用于锂离子二次电池正极材料，液相合成工艺，它采用聚乙烯醇（PVA）或聚乙二醇（PEG）水溶液为溶剂，锂盐、钴盐分别溶解在PVA或PEG水溶液中，混合后的溶液经过加热

国际先进－首款国产化110GHz电光调制器研制成功

据报道，近日，首款国产化110GHz电光强度调制器产品研制成功，并获多家产业客户验证和订购。该调制器以国产薄膜铌酸锂芯片为核心，可在C和L波段工作，具有超高带宽、超高速率、低啁啾、低驱动电压、高线性度等特性，其3dB带宽高达110GHz，关键技术指标达到国际先进水平，将广泛应用于光通信、光互连、光计

新款晶圆问世|硅基化合物光电集成技术大突破

据中国光谷消息，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。近年来，由于5G通信、大数据、人工智能等行业的强力驱动，光子集成技术得到极大关注。公开资料显示，光子集成的概念类可

大规模异质集成光量子芯片研究取得进展

光量子芯片是推动光量子信息技术走向实用化的必然趋势。当前，主流光量子芯片大多依赖基于非线性光学过程的概率性光源产生单光子信号，但光子发射具有“几率”特性，导致发射效率低、多光子量子比特制备困难。相比之下，固态原子具有类原子的二能级结构，可实现确定性、高效率的单光子发射，是实现片上多光子量子比特制备的

研究人员开发新型光学“硅”与芯片技术

钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片示意图。中国科学院上海微系统与信息技术研究所供图中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队联合瑞士洛桑联邦理工学院的托比亚斯·基彭贝格团队，在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关成果5月8日发表于《自然》。近年来，铌酸锂受到广泛关注

助力高速、大容量数据通信，光子芯片大显身手

1月7日，《激光与光子学评论》以期刊正封面的形式在线发表了来自兰州大学物理科学与技术学院教授田永辉团队的文章《基于氮化硅—薄膜铌酸锂异质集成平台的模式与偏振复用》，该工作有望助力高速、大容量数据通信，并为薄膜铌酸锂平台上有源及无源器件全集成的光子芯片提供新的解决方案。 光学复用器是集成光子回路中

高速数据传输能力异质集成薄膜铌酸锂电光调制器研究取得进展

光子回路的异质集成解决方案可以充分利用不同材料平台的优势。近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员蔡艳、欧欣团队合作，通过“万能离子刀”剥离转移技术在六英寸图形化SiN晶圆上集成了高质量的铌酸锂薄膜，并通过晶圆级工艺制备出具备高速数据传输能力的异质集成薄膜铌酸锂电光调制器。在该异质集成方案中

上海微系统所开发新型光学“硅”与芯片技术

5月8日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）的研究员欧欣团队联手瑞士洛桑联邦理工学院托比亚斯·基彭贝格团队，在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片领域取得突破性进展，相关成果发表于《自然》。铌酸锂有“光学硅”之称，近年间受到了广泛关注，哈佛大学等国外研究机构甚至提出了仿照“硅