物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。为降低器件成本，下游产业对SiC单晶衬底提出了大尺寸的要求，目前国际市场上已有6英寸（150毫米）产品，预计市场份额将逐年增大。 中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室陈小龙研究组（A02组，功能晶体研究与应用中心）长期从事SiC单晶生长研究工作，团队人员通过自主创新和探索，获得了SiC单晶生长设备、晶体生长和加工技术等一整套自主知识产权。研发成功的2英寸SiC单晶衬底在国内率先实现了产业化，并相继研发成功3英寸、4英寸SiC单晶衬底，实现了批量制备和销售。2014年11月，团队人员与北京天......阅读全文
国内首片15英寸单层石墨烯成功研发
史浩飞记者 谢智强 摄 “最初研究时，载流子迁移率才几千，现在能达到2万了。”连日来，中科院重庆绿色智能技术研究院微纳制造与系统集成研究中心主任、研究员史浩飞和同事天天都往实验室跑，为提升石墨烯材料的性能不停地做实验。 今年35岁的史浩飞，大学本科就读于电子科技大学光电工程与光通信专业，大四加入
红外测油仪的技术指标及英寸重量
技术指标 应用：淡水、咸水的油污染； 土壤分析原理：溶剂萃取，NPIR分析（红外光谱分析法）； 检测器：热电传感器； 试样池：20毫米长的石英试样池测量范围和单位：0-200mg/l,0-1000mg/kg,0-1Abs分辨率：mg/l: 0-99.9mg/l；0.1mg/l 100-2
半导体所在hBN二维原子晶体研究方面取得系列进展
伴随石墨烯研究的兴起，其它二维原子晶体也陆续进入人们的研究视野。其中，六方氮化硼（h-BN）逐渐成为该领域的又一亮点。高度相似的晶体结构赋予h-BN与石墨烯一些共同特性，如极高的面内弹性模量、高温稳定性、原子级平滑的表面。由于两者晶格失配很小，石墨烯可以均匀紧密地铺展在h-BN衬底上，特别是，h
半导体所在hBN二维原子晶体研究方面取得系列进展
伴随石墨烯研究的兴起，其它二维原子晶体也陆续进入人们的研究视野。其中，六方氮化硼（h-BN）逐渐成为该领域的又一亮点。高度相似的晶体结构赋予h-BN与石墨烯一些共同特性，如极高的面内弹性模量、高温稳定性、原子级平滑的表面。由于两者晶格失配很小，石墨烯可以均匀紧密地铺展在h-BN衬底上，特别是，h
是什么让青岛大学教授怼上Science？
对许多学者、特别是中国学者而言，发一篇Science论文，意味着学术地位和影响的极大提升，是梦寐以求的目标。虽然Science论文很多时候引领着相关研究领域的深度和前沿，但偶尔也会有一两篇论文，让人觉得有些费解。而一些非常认真的学者，则会对其不依不饶，抓住问题，讨论评论。 上周，青岛大学物理学
X射线单晶衍射的简介
X射线单晶衍射（X-ray diffraction of single crystal）是2014年全国科学技术名词审定委员会公布的药学名词，出自《药学名词》第二版。 当晶体被X射线照射时，晶体中各原子的散射X射线会叠加起来。当X射线为单色时，各原子的散射X射线发生干涉，在特定的方向上产生强的
单晶炉的简介及构成
单晶炉简介： 单晶炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。 单晶炉构成： 提拉头：主要由安装盘 减速机 籽晶腔 划线环 电机 磁流体 籽晶称重头 软波纹管等其他部件组成 副室：主要是副室筒以及上下法兰组成 炉盖：副室
常用的光学单晶特性介绍
常用的光学单晶有：①卤化物单晶。分为氟化物单晶，溴、氯、碘的化合物单晶，铊的卤化物单晶。氟化物单晶在紫外、可见和红外波段光谱区均有较高的透过率、低折射率及低光反射系数；缺点是膨胀系数大、热导率小、抗冲击性能差。溴、氯、碘的化合物单晶能透过很宽的红外波段，其熔点低，易于制成大尺寸单晶；缺点是易潮解、硬
单晶培养科研实验知识分享
好多同学/老师一直培养不出单晶，或者周期太长了，希望这个分享能得到一些帮助。单晶培养的方法多种多样，如升华法、共结晶法等。最简单的最实用常用的有1.溶剂缓慢挥发法；2.液相扩散法；3.气相扩散法。99％的单晶是用以上三种方法培养出来的。一、单晶培养要点 1、一般以10--25mg 为佳，如果你只有2
科学家提出倾斜台阶面外延生长菱方氮化硼单晶方法
常见的六方相氮化硼（hBN）因化学稳定、导热性能好以及表面无悬挂键原子级平整等特点，被视为理想的宽带隙二维介质材料。菱方相氮化硼（rBN）可以保持hBN较多优异性质，并具有非中心对称的ABC堆垛结构，因而具备本征的滑移铁电性和非线性光学性质。rBN是极具应用潜力的功能材料，可以为变革性技术应用如存算
日盲镁锌氧单晶薄膜的电性调控研制获进展
ZnO基光电子学及透明电子学是近年来信息和材料科学领域的研究热点。理论上通过Mg、Be等元素的掺杂，ZnO基合金的禁带宽度能在很宽波段范围内进行调谐，如通过调整MgxZn1-xO中的Mg组分，其带隙可在3.37~7.8eV（368~159nm）范围内调控，从而可覆盖280~220nm日盲波段，成
“第三代半导体的衬底制备及同质外延”项目中期检查进行
近日，“战略性先进电子材料”重点专项管理办公室（简称“专项办”）组织专家在苏州对“第三代半导体的衬底制备及同质外延”项目进行了中期检查。 会上，专项办根据国家重点研发计划相关管理办法对中期检查提出了要求。专家组听取了项目负责人的工作汇报，审阅了相关技术和财务资料，考察了实施现场，经讨论质询后认
超平整石墨烯晶圆转移与集成光电器件
石墨烯等二维材料的载流子迁移率高、光-物质相互作用强、物性调控能力优，在高带宽光电子器件领域具有重要的科学价值和广阔的应用前景。当前，发展与主流半导体硅工艺兼容的二维材料集成技术受到业内广泛关注，其中首要的挑战是将二维材料从其生长基底高效转移到目标晶圆衬底上。然而，传统的高分子辅助转移技术通常会
研究者设计梯度表面能调控的复合型转移媒介
石墨烯等二维材料的载流子迁移率高、光-物质相互作用强、物性调控能力优，在高带宽光电子器件领域具有重要的科学价值和广阔的应用前景。 当前，发展与主流半导体硅工艺兼容的二维材料集成技术受到业内广泛关注，其中首要的挑战是将二维材料从其生长基底高效转移到目标晶圆衬底上。然而，传统的高分子辅助转移技术通常
TOKO压力传感器芯体材质都有哪些？
目前，TOKO压力传感器芯体材质品种繁多，下面简单介绍下几种芯体材质的性能 一、单晶硅 硅在集成电路和微电子器件生产中有着广泛的应用，主要是利用硅的电学特性；在MEMS微机械结构中，则是利用其机械特性，继而产生新一代的硅机电器件和装置。硅材料储量丰富，成本低。硅晶体生长容易，并存在超纯无杂的
物理所在冷衬底上生长超稳定金属玻璃
非晶玻璃是指微观尺度上原子或者分子长程无序排列的一类材料，也称非晶态材料。当今，玻璃已成为日常生活、生产和科学技术领域的重要材料。尽管玻璃的出现与使用在人类的生活里已有四千多年历史，但最关键的问题——玻璃的稳定性和老化问题——一直没有得到控制和解决。形成玻璃的传统方法是快速冷却高温液体以避免形成
研究揭示可剥离衬底上氮化物的成核机制
中国科学院院士、西安电子科技大学微电子学院郝跃研究团队在《新型光学材料》上发表研究成果，揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制，并创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管。 GaN基半导体LED照明具有高效、节能、环保、寿命长、易维护等优点，是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明革命。随着可穿
铜衬底显著增强了氧化石墨烯动态氧迁移
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/8/484525.shtm 近日，扬州大学物理科学与技术学院本科生科创团队发现，铜衬底可以显著降低氧化石墨烯（GO）上动态氧迁移的能垒，从而诱导GO成为一种动态共价材料。相比于无衬底时的GO，铜111面衬底
物理所在冷衬底上生长超稳定金属玻璃
非晶玻璃是指微观尺度上原子或者分子长程无序排列的一类材料，也称非晶态材料。当今，玻璃已成为日常生活、生产和科学技术领域的重要材料。尽管玻璃的出现与使用在人类的生活里已有四千多年历史，但最关键的问题——玻璃的稳定性和老化问题——一直没有得到控制和解决。形成玻璃的传统方法是快速冷却高温液体以避免形成
Mg预处理蓝宝石衬底法制备的Zn极性ZnO外延薄膜的结构
通过分子束外延法在经Mg预处理的蓝宝石衬底上制备了ZnO单晶薄膜,利用高分辨透射电镜、电子全息和X射线能谱对该薄膜的结构进行了细致的研究。结果表明,在蓝宝石衬底上预沉积一层很薄的Mg层,可以生长均匀Zn极性的ZnO外延薄膜。ZnO/MgO/蓝宝石的界面非常清晰锐利,同时在界面处可以观察到大约3个原子
纳米棒阵列超亲水自清洁薄膜获进展
单晶ZnO纳米棒阵列是良好的电子传输通道，可以将光催化分离产生的电子和空穴快速导出，光电响应特性好，电荷传输效率高。同时，单晶ZnO纳米棒阵列薄膜具有亲水性和光氧化降解能力，并且可提高衬底表面的透过率（增透，n～1.23），但是其化学性质不稳定影响实际应用。 中国科学院苏州生物医学工程技术研
上海合晶启动科创板IPO：半导体硅外延片一体化制造商
1月22日，上海合晶硅材料股份有限公司（股票简称“上海合晶”）披露招股意向书等公告，正式启动上交所科创板发行工作。公告显示，本次公司拟公开发行6620.6036万股，募集资金主要用于低阻单晶成长及优质外延研发项目、优质外延片研发及产业化项目、补充流动资金等。 上海合晶是中国少数具备从晶体成长、
纳米所等在快速批量制备高质量石墨烯研究方面取得进展
因为在半导体工业中具有良好的集成兼容性以及低廉的成本优势，铜基表面化学气相沉积(CVD)法被认为是最有潜力实现大规模制备高质量石墨烯的方法。通过近10年的努力(2007-2017)，铜基CVD法已经在大批量、高质量和快速制备三个方向分别取得了一系列的突破进展。然而，对于能够同时实现快速、大批量和
纳米所等在快速批量制备高质量石墨烯研究方面取得进展
因为在半导体工业中具有良好的集成兼容性以及低廉的成本优势，铜基表面化学气相沉积(CVD)法被认为是最有潜力实现大规模制备高质量石墨烯的方法。通过近10年的努力(2007-2017)，铜基CVD法已经在大批量、高质量和快速制备三个方向分别取得了一系列的突破进展。然而，对于能够同时实现快速、大批量和
中国科大二维材料系列研究取得新进展
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室国际功能材料量子设计中心在二维材料系列研究中取得新进展，理论上预言了在GaN（001）衬底上可外延生长单层蓝磷，并提出非常规的“半层－半层”生长机制。该研究成果以Half Layer By Half Layer Growth of a Blue
中电科二所在碳化硅激光剥离技术方面取得进展
日前，中国电子科技集团公司第二研究所宣布碳化硅激光剥离设备研发项目通过专家评审论证，正式立项、启动。 碳化硅半导体材料具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、化学性能稳定等优点，对电动汽车、高压输变电、轨道交通、通讯基站、卫星通讯、国防军工等领域的发展有重要意义。然而，碳化硅材料
关于高温超导材料厚膜的简介
高温超导体厚膜主要用于HTS磁屏蔽、微波谐振器、天线等。它与薄膜的区别不仅仅是膜的厚度，还有沉积方式上的不同。其主要不同点在以下三个方面： (1)通常，薄膜的沉积需要使用单晶衬底； (2)沉积出的薄膜相对于衬底的晶向而言具有一定的取向度； (3)一般薄膜的制造需要使用真空技术。 获得厚膜
金刚石上石墨烯的自组织生长研究取得进展
如何在绝缘衬底上形成大面积高质量的石墨烯还是个难题。所以，不论是探索制备石墨烯的新方法，还是寻找合适的生长石墨烯的基底材料，以便将石墨烯新奇的物理性质在室温下呈现出来，都是石墨烯基础研究与器件应用方面所亟待解决的问题。金刚石是集众多优异性能于一身的绝缘材料，如果石墨烯能够制备在金刚石衬底上，相比
12英寸项目规划开工，又一半导体硅片厂商拟闯关科创板
近日，北京证监会披露，有研半导体硅材料股份公司（以下简称“有研半导体”)拟科创板上市，目前，有研半导体于7月5日与中信证券签署了上市辅导协议。 有研半导体成立于2001年6月，注册资本约10亿元人民币，主要从事硅及其它半导体材料、设备的研究、开发、生产与经营，提供相关技术开发、技术转让和技术咨
实验室检验检测工具石英坩埚
石英坩埚,具有高纯度、耐温性强、尺寸大精度高、保温性好、节约能源、质量稳定等优点,应用越来越广泛。石英坩埚的检测工作是一个十分重要的环节,而且石英坩埚的检测朝向现场检测方向发展!1.石英坩埚可在1450度以下使用,分透明和不透明两种。用电弧法制的半透明石英坩埚是拉制大直径单晶硅,发展大规模集成电路必