14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND三大尖端...

14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND三大尖端...

14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND三大尖端产品的影响近期笔者在清洗业务研讨会上发表了演讲。我不是一名清洗工艺专家，在演讲中介绍更多的是制造工艺的发展趋势及其对清洗的影响。我将在这篇文章中分享并进一步讨论那次演讲的内容，主要围绕DRAM、逻辑器件和NAND这三大尖端产品。DRAM

半导体的3D时代（六）

图15展示了DRAM单位比特成本趋势。图15． DRAM单位比特成本趋势。图15是基于战略成本和价格模型中的晶圆成本估算值与图14中的单位比特密度相结合得出的。所有晶圆厂都是新建工厂，每月产能为75，000片晶圆，因为这是2020年DRAM晶圆厂的平均产能。这里假设的公司与国家对应关系是，美光－日本

半导体的3D时代（三）

Logic对于3D NAND“节点”，可以轻松地根据物理层数进行定义，对于DRAM节点一般采用有源区的半节距，而逻辑节点几乎是公司营销人员称之为多少就是多少。由于FinFET是3D结构，因此某些人认为当前的FinFET前沿工艺是3D，但在本次讨论中，我们认为3D是指器件堆叠，即允许堆叠多个有源层以创

化学原料行业新材料系列报告之六

　　我国半导体芯片受制于人,大容量存储迎来突破。2017年我国集成电路市场规模达到1.67万亿元,同比增长17.5%,但是国内集成电路市场主要依赖进口,进口额达到2601亿美元,贸易逆差达到1932亿美元。作为使用最为普遍的一种高端通用芯片,存储器在集成电路细分市场中规模居首。由于越来越多经济、社会

AMAT推出新型CDSEM产品，专用于EUV光刻工艺测量

美国东部时间，2月28日，应用材料公司推出了一款新型电子束测量系统，专门设计用于精确测量采用EUV和新兴高数值孔径EUV光刻技术的半导体器件特征的关键尺寸。芯片制造商使用CD-SEM（特征尺寸测量用扫描电子显微镜）在光刻扫描仪将其从掩模转移到光刻胶后对图案进行亚纳米级测量。这些测量持续校准光刻工艺性

半导体大消息！美国放开对华市场，网友：不买不买！

　　刚刚，半导体传来一则大消息。　　10月9日，韩国总统办公室通报，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其它许可。意味着，在无需单独批准的情况下，三星电子、SK海力士可以向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。值得一提的是，全球最大和第二大存储芯片制造商，三星电子、SK海力士在

存内计算，未来智能技术发展必经之路

存内计算由于突破传统冯·诺依曼架构瓶颈，实现了存储单元与逻辑单元的融合，成为实现智能计算的主要技术路线之一，受到业界龙头大厂的高度重视。在近日召开的国际固态半导体电路会议（ISSCC）上，SK海力士发表了基于GDDR接口的DRAM存内计算，台积电共发表（或合作发表）6篇有关存内计算存储器IP的论文。

半导体市场回暖！SEMI预计今年全球半导体设备销售额将达历史新高

　　半导体市场出现明显的回暖迹象。　　美国当地7月9日，SEMI（国际半导体产业协会）发布报告称，预计2024年全球原始设备制造商的半导体制造设备总销售额将达到1090亿美元，同比增长3.4%，创下新的纪录。SEMI总裁兼CEO Ajit Manocha表示，半导体制造设备销售总额预计将在2025年

国科大等：二维半导体新成果登上Nature

创新方法打破硅基逻辑电路的底层“封印”经过数十年发展，半导体工艺制程已逐渐逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路以实现三维集成技术的突破，已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离

国科大等：二维半导体新成果登上Nature

经过数十年发展，半导体工艺制程已逐渐逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路以实现三维集成技术的突破，已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，难以实现在一层离子注入的

怎样看懂色谱图

色谱图是指样品流经色谱柱分离的各组分在检测器中形成的检测信号随时间分布的信号-时间曲线，也称为色谱流出曲线。色谱图的纵坐标为检测器的响应信号，横坐标为时间、体积或距离。色谱图是色谱仪检测定性定量分析样品的重要依据，色谱图显示的保留时间及峰高可以作为色谱仪实现定性分析的依据，色谱峰所包罗的峰面积可作为

半导体的3D时代（一）

每年在SPIE高级光刻会议召开之前的星期日，尼康都会举行其Litho Vision研讨会。我有幸连续第三年受邀发言，不幸的是，由于新冠肺炎的影响，该活动不得不取消。但是到活动宣布取消时，我已经完成了演讲文稿，所以在此分享。概述我演讲的题目是“ Economics in the 3D Era”。在

半导体所硅基集成光学导向逻辑器件研究获重要进展

硅基集成光学导向逻辑器件实现或/或非、与/与非、同或/异或操作的波形图 　　在中国科学院“百人计划”项目的支持下，半导体研究所光电系统实验室在国际上率先实现光学导向逻辑器件的原理验证。 　　自2007年美国科学家Hardy和以色列科学家Shamir共同提出光学导向逻辑的概念以来，光学导向逻辑

半导体所硅基集成光学导向逻辑器件研究取得系列进展

　　自2007年美国科学家Hardy和以色列科学家Shamir共同提出光学导向逻辑的概念以来，光学导向逻辑引起了人们的广泛关注, 目前已有美国海军实验室、莱斯大学、菲斯克大学、以色列理工学院等多家研究机构从事相关研究。　　与传统光学逻辑不同，光学导向逻辑的实现依赖于光开关网络，每个开

怎样看懂质谱图

做质谱图是要用高能粒子轰击待测化合物，那么出现分子被轰走一个电子时最容易（轰断化学键当然难些），那么质谱仪测出质荷比m/q最大时得到的谱线对应的数值即是待测化合物的相对分子质量。

怎样看懂质谱图

最先看分子离子峰。怎么判断分子离子峰？一般是最大的明显可见碎片。如果有已经结构就好办，如果没有，一般判断出分子离子峰之后，要进行确认。确认的办法是看最大的碎片和第二大的碎片的差值是否合理。多数减15，也有减18或43，这样看具体情况。如果有这样的碎片就认为是分子离子峰的可能性很大。然后再看基峰。基峰

怎样看懂质谱图

最先看分子离子峰。怎么判断分子离子峰？一般是最大的明显可见碎片。如果有已经结构就好办，如果没有，一般判断出分子离子峰之后，要进行确认。确认的办法是看最大的碎片和第二大的碎片的差值是否合理。多数减15，也有减18或43，这样看具体情况。如果有这样的碎片就认为是分子离子峰的可能性很大。然后再看基峰。基峰

半导体的3D时代（五）

DRAM前沿DRAM的电容器结构是高深宽比的“ 3D”器件，与当前的逻辑器件类似，DRAM没有通过堆叠有源元件进行微缩。图12在顶部表中按公司列出了DRAM节点，在图底部是一些关键结构图。图12． DRAM节点。随着DRAM节点前进到低于4x nm的水平，具有埋入式字线的埋入式鞍形鳍访问晶体管开

二维半导体三维集成研究取得新成果

经过数十年发展，半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限，但传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路，从而获得三维集成技术的突破，是国际半导体领域积极探寻的新路径之一。由于硅基晶体管制备工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，较难实现在一层离子注入

美国或将会限制对华芯片出口，韩国芯片被波及

据知情人士透露，美国正考虑限制向中国存储芯片商出口美国芯片制造设备，其中包括长江存储科技有限公司 (YMTC)。专业人士分析，如果这一决议落实，可能会殃及池鱼，韩国芯片巨头三星电子(005930.KS)和SK海力士(000660.KS)业务也将受到影响。三星设在西安的半导体工厂据了解，韩国在中国大陆

新研究打破硅基逻辑电路的底层“封印”

5月29日，我国科学家利用化学制备的系列二维材料，提出一种全新的基于界面耦合的p-掺杂二维半导体方法，打破了硅基逻辑电路的底层“封印”。相关成果在线发表于《自然》。经过数十年发展，半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层

两图看懂场馆图，BCEIA参会不迷路！

　　BCEIA2023召开在即，场馆区域很大，不迷路是很重要的！展馆平面图学术会议区示意图

台积电5nm－SRAM技术细节解析（一）

长期以来，技术领先一直是台积电成功的关键。台积电5nm工艺拥有世界上最小的SRAM单元（0．021平方微米），除开创性的器件工艺，例如高迁移率沟道（HMC），极紫外（EUV）图形化的应用外（可在此高级节点上实现更高的良率和更短的生产周期），他们还持续精进其写入辅助（write assist）电路

英特尔3D－XPoint内存封装逆向

TechInsights的研究人员针对采用XPoint技术的英特尔Optane内存之制程、单元结构与材料持续进行深入分析与研究。英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年，英特尔发布采用3D XPoin

如何看懂单片机时序图？

操作时序永远是使用任何一片IC芯片的最主要的内容，看懂时序图，再操控这个芯片就非常容易了。而提取芯片器件手册上有用的信息是使用芯片的最基本步骤。以液晶显示芯片1602为例首先我们来看1602的引脚定义，1602的引脚是很整齐的SIP单列直插封装，器件手册给出了引脚的功能数据表：我们只需要关注以下几个

一图看懂甲状腺检查报告

中芯国际推出自主研发38纳米NAND闪存工艺

　　9月11日，中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称中芯国际）宣布38纳米NAND闪存工艺制程已准备就绪，中芯国际凭此成为唯一一家可生产NAND产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发，可满足特殊存储器无晶圆厂对高质量、低密度NAND闪存持续增长的需求，使中芯国际占据该领域的领先地位。　　

我国在3D－NAND存储器研发领域取得标志性进展

　　近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会（ICTech Summit 2017）上介绍，32层3D NAND芯片顺利通过电学

正式实施！日本尖端半导体出口管制生效

　　7月24日，外交部发言人毛宁主持例行记者会。　　有记者提问，7月23日，日本针对尖端半导体制造设备的出口管制措施正式生效，请问中方对此有何评论？外交部发言人 毛宁　　毛宁表示，日方不顾中方的严重关切，执意出台和实施对华指向性明显的出口管制措施，中方深感遗憾和不满，已经在不同层级向日方提出了严正交

物理所基于忆耦器实现非易失性多态存储

　　随着摩尔定律的失效，基于半导体集成电路的信息技术已逐步逼近物理极限，后摩尔时代的信息技术亟待全新的范式和原理。现代计算机自问世以来一直采用冯·诺依曼结构，即运算器与存储器分离，这种结构使得运算器与存储器之间的数据传输成为影响系统性能的瓶颈（称为冯·诺依曼瓶颈），大大限制了计算机性能的提高；同时，