AMAT推出新型CDSEM产品，专用于EUV光刻工艺测量
美国东部时间，2月28日，应用材料公司推出了一款新型电子束测量系统，专门设计用于精确测量采用EUV和新兴高数值孔径EUV光刻技术的半导体器件特征的关键尺寸。芯片制造商使用CD-SEM（特征尺寸测量用扫描电子显微镜）在光刻扫描仪将其从掩模转移到光刻胶后对图案进行亚纳米级测量。这些测量持续校准光刻工艺性能，以确保图案在蚀刻到晶圆之前是正确的。CD-SEM也用于蚀刻后，将预期的图案与晶圆上的结果相关联。因此，CD-SEM有助于控制刻蚀过程，并在光刻和蚀刻之间实现反馈循环，为工程师提供高度相关的数据集，以进行整体过程调整。随着光刻胶在EUV中变得更薄，尤其是高数值孔径EUV，测量半导体器件特征的关键尺寸变得更具挑战性。为了捕获提供精确亚纳米测量的高分辨率图像，CD-SEM必须能够将窄电子束精确地施加到极薄光刻胶占据的小区域。电子束能量与光刻胶相互作用，如果着陆能量过高，抗蚀剂会收缩，扭曲图案并产生误差。传统的CD-SEM不能产生足够窄的......阅读全文
AMAT推出新型CDSEM产品，专用于EUV光刻工艺测量
美国东部时间，2月28日，应用材料公司推出了一款新型电子束测量系统，专门设计用于精确测量采用EUV和新兴高数值孔径EUV光刻技术的半导体器件特征的关键尺寸。芯片制造商使用CD-SEM（特征尺寸测量用扫描电子显微镜）在光刻扫描仪将其从掩模转移到光刻胶后对图案进行亚纳米级测量。这些测量持续校准光刻工艺性
半导体行业探讨：EUV技术与HighNA－EUV的光刻革命
EUV（极紫外光刻）技术在半导体行业备受瞩目。据ASML公布的2023年第三季度报告，EUV光刻机的预定额从5亿欧元猛增至第四季度的56亿欧元，预计将在2025年前后交付。这一技术由日本工程师木下博夫提出，经过几十年的发展，ASML成为唯一能够量产EUV光刻机的厂商。EUV技术相对传统DUV技术具有
“极紫外光刻关键技术研究”通过验收
近日，“极紫外（EUV）光刻关键技术研究”项目验收会在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（以下简称长春光机所）召开，验收会由“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项（02专项）实施管理办公室组织。 会上，评审专家组肯定了项目取得的一系列成果，一致同意项目通过验收，认为该项目的
极紫外线光刻机和简介和功能
极紫外线光刻机是芯片生产工具，是生产大规模集成电路的核心设备，对芯片工艺有着决定性的影响。小于5纳米的芯片晶圆，只能用EUV光刻机生产。 2018年4月，中芯国际向阿斯麦下单了一台EUV（极紫外线）光刻机，预计将于2019年初交货。 功能 光刻机（又称曝光机）是生产大规模集成电路的核心设备
新型光刻机加紧研制，未来芯片技术或将迎来变革
据悉，全球最先进的光刻机厂商ASML正在开发一款新版本的EUV光刻机，研制成功后它将是世界上最先进的芯片制造设备。该光刻机名为High NA，目前第一台机器正在研发之中，预计摇到2023年才会提供先行体验，可以让芯片制造商更快地学习如何使用。客户可以在 2024 年和 2025 年将以此进行自己的研
清华大学历经10年，光刻机领域《自然》发文
在芯片制造业中，光刻机是必不可少的精密设备——每颗芯片诞生之初，都要经过光刻技术的锻造。也正因为此，与之相关的突破性研究成果备受关注。 2月25日，清华大学的一项科研成果刊登在《自然》上，引起了国内外学术界及产业界的高度关注。《自然》评阅人认为其“展示了一种新的方法论”，“必将引起粒子加速器和
韩国三星首次研发5纳米半导体工艺
韩国《中央日报》发布消息称，三星电子已成功研发出5纳米(nm)半导体工艺，并于4月中正式量产首个利用极紫外光刻(EUV)的7纳米芯片。对于新一代半导体的精密工艺问题，三星电子与各企业间的技术较量也日趋激烈。 三星电子宣布成功开发的5纳米精密工艺采用了比现有的ArF更优越的EUV技术。与ArF工
原子级工艺实现纳米级图形结构的要求（一）
原子层刻蚀和沉积工艺利用自限性反应，提供原子级控制。泛林集团先进技术发展事业部公司副总裁潘阳博士分享了他对这个话题的看法。图 1． 原子层工艺中的所有半周期反应是自限性反应。技术节点的每次进步都要求对制造工艺变化进行更严格的控制。最先进的工艺现在可以达到仅7 nm的fin宽度，比30个硅原子
28纳米光刻机如何生产5纳米芯片
28纳米光刻机作为先进半导体芯片制造中的重要设备之一，其本身的生产工艺无法支持5纳米的芯片生产。但是，通过使用一系列先进的制造技术和调整设备参数等手段，可以将28纳米光刻机用于5纳米芯片生产。主要方法包括以下几个方面：1. 使用多重曝光技术：将同一影像进行多次叠加曝光，在不同的位置形成复杂图形，在提
5nm是物理极限－芯片发展将就此结束？（二）
有外媒报道的劳伦斯伯克利国家实验室将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，其晶体管就是由碳纳米管掺杂二硫化钼制作而成。不过这一技术成果仅仅处于实验室技术突破的阶段，目前还没有商业化量产的能力。至于该项技术将来是否会成为主流商用技术，还有待时间检验。再来说说光刻机分辨率的事要想做出更
21年来首次！佳能扩产光刻机设备！
据日经新闻报道，佳能计划投资500亿日元提高光刻机产量，将其在日本的半导体制造设备产量翻一番。报道称，佳能将在日本东部栃木县新建一座半导体设备厂，目标将当前产能提高一倍，总投资额超过500亿日元（约3.45亿美元），工厂计划在2023年动工，2025年开始运营。光刻是半导体电路形成不可或缺的核心技术
极紫外光刻新技术问世
据日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新报告，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。 在传统光学系统中，例如照相机、望远镜和
攻克“光源中的光源”，中国芯走上新道路
当前，芯片问题广受关注，而半导体工业皇冠上的明珠——以极紫外（EUV）光刻机为代表的高端光刻机，则是我国集成电路（IC）产业高质量发展必须迈过的“如铁雄关”。 如何在短期内加快自主生产高端光刻机的步伐，打破国外的技术封锁和市场垄断？笔者认为，应找准关键技术，攻克核心设备，跻身上游产业。认清光刻关
漫谈半导体工艺节点（二）
可能的选择 短期内，芯片制造商们明确地会在FinFet和二维的FD-SOI技术上将节点推进到10nm。到了7nm之后，沟道上的的“门”就会上去控制，这就亟待一种全新的晶体管架构。 7nm上的一个领先竞争者就是高电子迁移率的FinFet，也就是在沟道上使用III-V 材料的FinFet
接触式光刻机在涂胶工艺上有哪些特殊之处？
2020年11月25日 17:23 来源: 岱美仪器技术服务（上海）有限公司 >>进入该公司展台分享： 作为光刻工艺中zuì重要设备之一，接触式光刻机一次次革命性的突破，使大模集成电路制造技术飞速向前发展。了解提高接触式光刻机性能的关键技术以及了解下一代光刻技术的发展情况是十分重要的。
台积电早期－5nm－测试芯片良率－80％－HVM－（二）
通常情况下，芯片制造商会首先咋移动处理器上小试牛刀，以分摊新工艺的高昂成本吗，比如基于 7nm EUV 的麒麟 990 5G SoC（面积接近 110 平方毫米）。尽管 AMD Zen 2 芯片看起来很大，但并非所有组件都采用 EUV 工艺生产。不过展望未来，它也更适合迁移至 5nm EUV
薄膜沉积设备工艺升级－差异化布局加速国产化进程
本篇报告通过对逻辑、存储芯片的微观结构拆分展示了薄膜结构的种类多样性、工艺复杂性以及多款设备相互补充等特性，并从制程推进、多层趋势、工艺迭代等维度论述了薄膜沉积设备行业的成长性。薄膜沉积设备与光刻、刻蚀并列作为IC 前道制造三大主设备之一，全球市场空间超过200 亿美元，当前国产化率不足5%
一篇文章说清半导体制程发展史（二）
第二个问题，为什么现在的技术节点不再直接反应晶体管的尺寸呢？原因也很简单，因为无法做到这个程度的缩小了。有三个主要原因：首先，原子尺度的计量单位是埃，为0.1nm。10nm的沟道长度，也就只有不到100个硅原子而已。未来晶体管物理模型是这样的：用量子力学的能带论计算电子的分布，但是用经典的电
让摩尔定律一再放缓－晶圆厂的cycle－time是什么？（二）
对于切割，芯片制造商使用SADP/SAQP，或双重曝光工艺。双重曝光有时被称为曝光-刻蚀-曝光-刻蚀（LELE）。三重曝光包括LELELE。对于多重曝光中，7nm工艺所进行沉积、蚀刻和清洁步骤是16nm/14nm的两倍。 Coventor首席技术官David Fried表示：“随着我
光刻技术与纳米光刻简介
距离理查德·菲利普斯·费曼著名的演讲“There’s plenty of room at the bottom”有将近60年历史。在他的论文中，他曾问到：“我们怎么样写小？”在今天的科学技术研究中，仍有同样的问题。虽然自上世纪60年代以来，科研技术已经大大进步，半导体行业中使用的线宽已经大幅度下
光刻技术与纳米光刻简介
距离理查德·菲利普斯·费曼著名的演讲“There’s plenty of room at the bottom”有将近60年历史。在他的论文中，他曾问到：“我们怎么样写小？”在今天的科学技术研究中，仍有同样的问题。虽然自上世纪60年代以来，科研技术已经大大进步，半导体行业中使用的线宽已经大幅度下
光刻技术与纳米光刻简介
距离理查德·菲利普斯·费曼著名的演讲“There’s plenty of room at the bottom”有将近60年历史。在他的论文中，他曾问到：“我们怎么样写小？”在今天的科学技术研究中，仍有同样的问题。虽然自上世纪60年代以来，科研技术已经大大进步，半导体行业中使用的线宽已经大幅度下
漫谈半导体工艺节点（三）
Brand指出，环形栅极场效应管并没有想象中那么不稳定，它其实非常实用，你甚至可以把它当做FinFET的改良版。实际上它只是在沟道上增加了几个面。Brand不确定环形栅极场效应管是否能在7nm实现，或者在5nm实现，这一切都取决于业界的进展。更决定于公司在降低栅极长度上是否足够激进。
打破垄断－上下游协同推进－国产光刻胶谋出路
近日，光刻胶产能紧缺的新闻见诸报端。上游芯片材料供应紧张引发全球“缺芯”，使得核心材料光刻胶靠“抢”才能获得。这种情况对于光刻胶对外依存度高达90%的我国来说，无疑是雪上加霜。 “我国长期依赖国外胶的参数和工艺，不愿或没有条件调整工艺使用国产胶，这是当下最大的问题。”浙江大学高分子科学与工程
一文读懂半导体制程技术进步的“燃料”——光刻胶
一文读懂半导体制程技术进步的“燃料”——光刻胶 光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据
不鸣则已、一鸣惊人，国产先进光刻机问世只是时间问题
半导体产业可以说是一个国家工业的战略高地，而光刻机又是半导体产业的基础核心，所以美国、荷兰、日本等国均对光刻机的出口进行了严格限制，要想不被“卡脖子”，只能走自主研发、自主可控的道路，对此本文将着重探讨三个方面的问题，一是光刻机产业的现状？二是当前国产光刻机技术究竟发展到了什么程度？三是国产光刻
宽刀雕细活－我国造出新式光刻机
11月29日，中科院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光源实现了22纳米分辨率的光刻机。 光刻机相当于一台投影仪，将精细的线条图案投射于感光平板，光就是一把雕刻刀。但线条精细程度有极限——不能低于光波长的一半。“光太胖，门缝太窄，
ASML要求美国员工暂停为中国客户提供服务
集微网消息，中美贸易战持续升温，半导体设备大厂ASML下令美国员工遵循拜登政府的最新规范，停止为中国客户提供服务。一份内部邮件显示，ASML要求其在美国的员工，包括美国公民、绿卡持有者和居住在当地的海外人士避免直接或间接为中国客户提供服务、出货或是其他支持，ASML公司仍在评估哪些特定晶圆厂可能受到
「官网」2025深圳13届国际半导体光刻工艺展「半导体展会」
「官网」2025深圳13届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2024年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间四位
蔡司集团2018/2019年度财报：收入超64亿欧元增长超10％
分析测试百科网讯，卡尔蔡司（Carl Zeiss AG）发布2018/2019财年的年报。年报显示，蔡司2018/2019财年收入64.28亿欧元，相比上一年度的58.17亿欧元增长10.5%。毛利润35亿欧元，毛利率为54.5%；净利润7.48亿欧元，净利润率为11.6%。研发投入7.05亿欧元，