中芯国际推出自主研发38纳米NAND闪存工艺
9月11日，中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称中芯国际）宣布38纳米NAND闪存工艺制程已准备就绪，中芯国际凭此成为唯一一家可生产NAND产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发，可满足特殊存储器无晶圆厂对高质量、低密度NAND闪存持续增长的需求，使中芯国际占据该领域的领先地位。 据悉，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，是近年来发展最为迅速的非易失性存储（NVM）产品。38纳米NAND闪存主要面向嵌入式产品、移动计算、物联网、电视及机顶盒等多种大需求量的特殊应用领域。也可利用此技术带动串行外设接口（SPI）NAND市场的发展以及不断增长的物联网相关产品的应用。此次中芯国际成功推出38纳米NAND闪存技术，能够帮助客户满足中国及全球市场对此技术的需求。......阅读全文
中芯国际推出自主研发38纳米NAND闪存工艺
9月11日，中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称中芯国际）宣布38纳米NAND闪存工艺制程已准备就绪，中芯国际凭此成为唯一一家可生产NAND产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发，可满足特殊存储器无晶圆厂对高质量、低密度NAND闪存持续增长的需求，使中芯国际占据该领域的领先地位。
为什么在NAND闪存存储系统中实现低故障率不仅需要强...
为什么在NAND闪存存储系统中实现低故障率不仅需要强大的ECC代码？ 该行业非常重视单个ECC代码的强度：但经常被忽视的是错误预防的强度，这在纠正甚至发挥作用之前是重要的我们如何在基于NAND闪存的系统中实现最低的故障率？您可能已在工程团队或存储系统供应商之间进行过此次讨论。正在采取哪些措施来
破解垄断－我国首批32层3D－NAND闪存芯片年内将量产
位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台１１日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的３２层３ＤＮＡＮＤ闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。图片来源于网络 目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基
2D－NAND和3D－NAND间有哪些区别和联系？
如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话，那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里，围绕着闪存颗粒发生了一系列大事，包括闪存颗粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争，以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。那么，到底什么是闪存颗？2D NA
半导体大消息！美国放开对华市场，网友：不买不买！
刚刚，半导体传来一则大消息。 10月9日，韩国总统办公室通报，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其它许可。意味着，在无需单独批准的情况下，三星电子、SK海力士可以向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。值得一提的是，全球最大和第二大存储芯片制造商，三星电子、SK海力士在
Nand－Flash的特性及其烧录关键点详解（一）
为什么烧录Nand Flash经常失败？为什么烧录成功了，一部分Nand芯片贴板之后系统却运行不起来？…，等等，问了那么多为什么，那我反问一个问题：你了解Nand Flash的特性及其烧录关键点吗？ 一、Nand flash的特性 1、位翻转 在 NAND 闪存是通过对
一文解析SLC、MLC和TLC三者的区别
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术
闪存技术大餐——架构/颗粒/接口/可靠性全面解析架（二）
Flash颗粒解析 学习过模拟电路的同学都知道，在模电原理里三极管分两种，一种是双极性三极管，主要基于载流子用来做电流放大，另一种叫做CMOS场效应三极管，通过电场控制的金属氧化物半导体。NAND Flash就是基于场效应P/N沟道和漏极、栅极技术通过浮栅Mosfet对栅极充电
国产新星半导体巨头崛起，实现弯道超车
首先是长江存储在全球拥有10，000多名员工，7000多项ZL申请。是一家以3D NAND闪存为主，涵盖计算机、移动通信等领域的电路企业，致力于成为存储技术的领导者。如今，作为三星、东芝这样的高科技企业，长江存储曾经有着令人钦佩的R&D历史。长江存储的前身武汉新鑫，因经济衰退而举步维艰。危急之时
美国或将会限制对华芯片出口，韩国芯片被波及
据知情人士透露，美国正考虑限制向中国存储芯片商出口美国芯片制造设备，其中包括长江存储科技有限公司 (YMTC)。专业人士分析，如果这一决议落实，可能会殃及池鱼，韩国芯片巨头三星电子(005930.KS)和SK海力士(000660.KS)业务也将受到影响。三星设在西安的半导体工厂据了解，韩国在中国大陆
中国第一颗55纳米智能卡芯片问世
中芯国际集成电路制造有限公司与北京中电华大电子设计有限责任公司（“华大电子”）共同宣布，华大电子推出中国第一颗55纳米智能卡芯片，该芯片采用中芯国际55纳米低功耗（LL）嵌入式闪存（eFlash）平台，具有尺寸小、功耗低、性能高的特点，目前已实现量产供货，其优良性能得到客户的广泛认可。 中芯
闪存技术大餐——架构/颗粒/接口/可靠性全面解析架（二）
SSD接口技术 我们知道闪存磁盘是在HDD以后出现的，由于SSD优异的随机性能、越来越大的容量和越来越低的成本等优势，使得闪存热度上升、乃至替换HDD的趋势。由于历史继承性等原因，SSD在设计是也是借鉴了部分HDD技术，包含接口技术，现在绝大多数SSD都是采用SATA/SAS接口。SATA接口
芯海科技群芯闪耀2024上海国际嵌入式展(上海浦东新国际博览中心举办)
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
科技部重大专项办公室赴中芯国际、北方微电子调研
近期，科技部重大专项办公室徐建国主任一行专程赴北京经济技术开发区，对牵头承担极大规模集成电路装备及成套工艺国家科技重大专项重点研发任务的中芯国际、北方微电子两家公司进行了专题调研，专项实施管理办公室主要负责同志和总体组部分专家参加了调研。 徐主任一行现场参观
存储行业二季度有望继续上行－上市公司紧抓机遇拓市场
2024年第二季度，存储行业有望延续上行趋势。据TrendForce集邦咨询预计，第二季度NANDFlash（闪存存储器）合约价将强势上涨约13%至18%，DRAM（动态随机存取存储器）价格涨幅约3%至8%。 产业链部分企业率先感受到市场暖意。近日，上市公司佰维存储表示，当前行业迎来景
固态硬盘闪存颗粒是什么
闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据，而且是以固定的区块为单位，而不是以单个的字节为单位。因其，体积小，耐抗性强，存储稳定等优势，目前开始大规模运用在电子产品中。其中，固态硬盘产品的由来，就得益于闪存颗粒的大发展而诞生。与此同时，近年来手机、平板等电子
三星2023年净利润下滑72％，等待存储行业穿越周期
在2023年的四季度，存储行业终于显示出增势，逆势上涨。三星发布的财报显示，尽管全年销售收入同比下滑14.32%，净利润同比下滑72.17%，但存储和晶圆代工业务（DS业务）以及以显示面板为主的SDC业务在四季度出现逆势上涨。存储业务同比和环比均领涨所有业务，显示半导体产业链上游的复苏态势。此前的存
我国在3D－NAND存储器研发领域取得标志性进展
近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会（ICTech Summit 2017）上介绍，32层3D NAND芯片顺利通过电学
“国产芯”再突破，性能直追国际主流产品
芯片是计算机最核心的部件，所有数据都会由CPU（中央处理器）进行处理，一旦芯片存在任何漏洞，在特殊情况下就有可能被人利用，导致信息被窃或者系统瘫痪。可以说，CPU是信息产业的基础和核心，上联国家信息安全，下联产业安全。图片来源于网络 如何补上“国产芯”短板，打破“国际芯”垄断，中国集成电路产业
化学原料行业新材料系列报告之六
我国半导体芯片受制于人,大容量存储迎来突破。2017年我国集成电路市场规模达到1.67万亿元,同比增长17.5%,但是国内集成电路市场主要依赖进口,进口额达到2601亿美元,贸易逆差达到1932亿美元。作为使用最为普遍的一种高端通用芯片,存储器在集成电路细分市场中规模居首。由于越来越多经济、社会
固态硬盘闪存颗粒分哪几类
分为三种颗粒，MLC,TLC,SLCSLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000
Nand－Flash的特性及其烧录关键点详解（二）
二、Nand系统裸片量产烧录的关键点 由于Nand flash芯片的特性，以其作为存储介质时必须对这些特性进行恰当处理，这样系统才能正常运行。系统设定各分区数据在Nand芯片的存储布局，并且在存储驱动层对Nand进行位纠错、坏块管理等处理，这些信息需要系统/驱动工程师明确。 研发阶段
英特尔3D－XPoint内存封装逆向
TechInsights的研究人员针对采用XPoint技术的英特尔Optane内存之制程、单元结构与材料持续进行深入分析与研究。英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年，英特尔发布采用3D XPoin
我国科学家在阻变存储器集成应用研究获进展
中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。（a）28nm RRAM 1Mb芯片版图；（b）28nm RRAM单元TEM界面图8层堆叠RRAM截面图 以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后
石墨烯联手辉钼矿催生新型闪存
据物理学家组织网近日报道，瑞士洛桑联邦理工学院的科学家通过将石墨烯和辉钼矿(分子式为MoS2)两种具有优越电性能的材料相结合，制成了新型闪存的原型，在性能、尺寸、柔性和能耗等方面都很具前景。相关研究报告发表在近期出版的《美国化学学会・纳米》杂志上。 辉
半导体的3D时代（一）
每年在SPIE高级光刻会议召开之前的星期日，尼康都会举行其Litho Vision研讨会。我有幸连续第三年受邀发言，不幸的是，由于新冠肺炎的影响，该活动不得不取消。但是到活动宣布取消时，我已经完成了演讲文稿，所以在此分享。概述我演讲的题目是“ Economics in the 3D Era”。在
国产55纳米相变存储芯片
11月28日，宁波时代全芯科技有限公司在宁波现场发布了自主研发的55纳米相变存储芯片。这一成果的发布，使该公司成为继韩国三星、美国美光之后，世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业，业内人士认为这将有利于打破存储器芯片生产技术被国外公司垄断的局面。 目前静态随机存储技术、
闪存技术有望带来太赫兹量级光子芯片
据科技日报报道，以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将计算机和相关通信设备的运行速度提高100倍。分析称，新研究有助科学家研制出新的、功能更强大的无线设备，大幅提高数据传输速度——这是改变
闪存技术有望带来太赫兹频率光子芯片
据美国《每日科学》网站25日报道，以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将计算机和相关通信设备的运行速度提高100倍。 北京大学现代光学所陈建军研究员对科技日报记者说，到目前为止，研制
闪存技术有望带来太赫兹频率光子芯片
闪存技术有望带来太赫兹频率光子芯片将计算机运行速度提高一百倍科技日报北京3月26日电（记者刘霞）据美国《每日科学》网站25日报道，以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将计算机和相关通信设备