我国在3DNAND存储器研发领域取得标志性进展
近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会（ICTech Summit 2017）上介绍，32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求。该款存储器芯片由长江存储与微电子所三维存储器研发中心联合开发，在微电子所三维存储器研发中心主任、长江存储NAND技术研发部项目资深技术总监霍宗亮的带领下，成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。 在大数据需求驱动下，存储器芯片已是电子信息领域占据市场份额最大的集成电路产品。我国在存储器芯片领域长期面临市场需求大而自主知识产权和关键技术缺乏的困境，开展大容量存储技术的研究和相关产品研制迫在眉睫。传统平面型NAND存储器在降低成本的同时面临单元间串扰加剧和单......阅读全文
我国在3D－NAND存储器研发领域取得标志性进展
近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会（ICTech Summit 2017）上介绍，32层3D NAND芯片顺利通过电学
2D－NAND和3D－NAND间有哪些区别和联系？
如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话，那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里，围绕着闪存颗粒发生了一系列大事，包括闪存颗粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争，以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。那么，到底什么是闪存颗？2D NA
化学原料行业新材料系列报告之六
我国半导体芯片受制于人,大容量存储迎来突破。2017年我国集成电路市场规模达到1.67万亿元,同比增长17.5%,但是国内集成电路市场主要依赖进口,进口额达到2601亿美元,贸易逆差达到1932亿美元。作为使用最为普遍的一种高端通用芯片,存储器在集成电路细分市场中规模居首。由于越来越多经济、社会
半导体的3D时代（一）
每年在SPIE高级光刻会议召开之前的星期日，尼康都会举行其Litho Vision研讨会。我有幸连续第三年受邀发言，不幸的是，由于新冠肺炎的影响，该活动不得不取消。但是到活动宣布取消时，我已经完成了演讲文稿，所以在此分享。概述我演讲的题目是“ Economics in the 3D Era”。在
破解垄断－我国首批32层3D－NAND闪存芯片年内将量产
位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台１１日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的３２层３ＤＮＡＮＤ闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。图片来源于网络 目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基
闪存技术大餐——架构/颗粒/接口/可靠性全面解析架（二）
Flash颗粒解析 学习过模拟电路的同学都知道，在模电原理里三极管分两种，一种是双极性三极管，主要基于载流子用来做电流放大，另一种叫做CMOS场效应三极管，通过电场控制的金属氧化物半导体。NAND Flash就是基于场效应P/N沟道和漏极、栅极技术通过浮栅Mosfet对栅极充电
英特尔3D－XPoint内存封装逆向
TechInsights的研究人员针对采用XPoint技术的英特尔Optane内存之制程、单元结构与材料持续进行深入分析与研究。英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年，英特尔发布采用3D XPoin
AMAT推出新型CDSEM产品，专用于EUV光刻工艺测量
美国东部时间，2月28日，应用材料公司推出了一款新型电子束测量系统，专门设计用于精确测量采用EUV和新兴高数值孔径EUV光刻技术的半导体器件特征的关键尺寸。芯片制造商使用CD-SEM（特征尺寸测量用扫描电子显微镜）在光刻扫描仪将其从掩模转移到光刻胶后对图案进行亚纳米级测量。这些测量持续校准光刻工艺性
14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND三大尖端...
14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND三大尖端产品的影响近期笔者在清洗业务研讨会上发表了演讲。我不是一名清洗工艺专家，在演讲中介绍更多的是制造工艺的发展趋势及其对清洗的影响。我将在这篇文章中分享并进一步讨论那次演讲的内容，主要围绕DRAM、逻辑器件和NAND这三大尖端产品。DRAM
多功能存储器芯片的测试系统设计：提高芯片测试效率1
本文提出了一种多功能存储器芯片的测试系统硬件设计与实现，对各种数据位宽的多种存储器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）进行了详细的结口电路设计（如何挂载到NIOSII的总线上），最终解决了不同数据位宽的多种存储器的同平台测试解决方案，并详细地设
多功能存储器芯片的测试系统设计：提高芯片测试效率2
硬件电路设计在测试NAND FLASH时，测试时间长达十个小时不等。在此为提高测试效率，增加测试速度，本设计采用两套完全一样且独立的硬件系统构成。可同时最多测试2片NAND FLASH器件。每一个硬件系统由一个微处理器（NIOSII）加一个大容量FPGA及一个存储器测试扩展接口（即ABUS接
现场设备系统如何避免损坏或丢数据？（一）
记录数据的可靠性，通常只考虑到突然掉电、写入不完全等，往往忽略了存储器件的使用寿命。存储器件的擦除次数寿命是行业公认的客观事实，工程师只能尽量的符合器件使用规范，以免过快损耗擦写寿命。Nand－Flash／eMMC（带有Flash控制器的Nand－Flash）作为一种非线性宏单元模式存储器，为固态大
半导体的3D时代（六）
图15展示了DRAM单位比特成本趋势。图15． DRAM单位比特成本趋势。图15是基于战略成本和价格模型中的晶圆成本估算值与图14中的单位比特密度相结合得出的。所有晶圆厂都是新建工厂，每月产能为75，000片晶圆，因为这是2020年DRAM晶圆厂的平均产能。这里假设的公司与国家对应关系是，美光－日本
我国科学家在阻变存储器集成应用研究获进展
中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。（a）28nm RRAM 1Mb芯片版图；（b）28nm RRAM单元TEM界面图8层堆叠RRAM截面图 以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后
半导体的3D时代（二）
图3在左轴上显示了按年份和公司分类的串堆叠，在右轴上显示了每个单元的最大比特数。图3．堆叠层数，每单元比特数。图4展示了我们对按曝光类型，公司和年份划分的掩模数量的分析。虚线是每年的平均掩模数，从2017年的42张增加到2025年的73张，这与层数从2017年的平均60个增加到2025年的512个相
中芯国际推出自主研发38纳米NAND闪存工艺
9月11日，中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称中芯国际）宣布38纳米NAND闪存工艺制程已准备就绪，中芯国际凭此成为唯一一家可生产NAND产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发，可满足特殊存储器无晶圆厂对高质量、低密度NAND闪存持续增长的需求，使中芯国际占据该领域的领先地位。
Nand－Flash的特性及其烧录关键点详解（一）
为什么烧录Nand Flash经常失败？为什么烧录成功了，一部分Nand芯片贴板之后系统却运行不起来？…，等等，问了那么多为什么，那我反问一个问题：你了解Nand Flash的特性及其烧录关键点吗？ 一、Nand flash的特性 1、位翻转 在 NAND 闪存是通过对
Nand－Flash的特性及其烧录关键点详解（二）
二、Nand系统裸片量产烧录的关键点 由于Nand flash芯片的特性，以其作为存储介质时必须对这些特性进行恰当处理，这样系统才能正常运行。系统设定各分区数据在Nand芯片的存储布局，并且在存储驱动层对Nand进行位纠错、坏块管理等处理，这些信息需要系统/驱动工程师明确。 研发阶段
国产新星半导体巨头崛起，实现弯道超车
首先是长江存储在全球拥有10，000多名员工，7000多项ZL申请。是一家以3D NAND闪存为主，涵盖计算机、移动通信等领域的电路企业，致力于成为存储技术的领导者。如今，作为三星、东芝这样的高科技企业，长江存储曾经有着令人钦佩的R&D历史。长江存储的前身武汉新鑫，因经济衰退而举步维艰。危急之时
“超级光盘”存储器问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517834.shtm上海理工大学光子芯片研究院顾敏院士、中国科学院上海光学精密机械研究所阮昊研究员、上海理工大学光电信息与计算机工程学院文静教授等合作，在国际上首次利用双光束调控聚集诱导发光超分辨光存储技
半导体的3D时代（三）
Logic对于3D NAND“节点”，可以轻松地根据物理层数进行定义，对于DRAM节点一般采用有源区的半节距，而逻辑节点几乎是公司营销人员称之为多少就是多少。由于FinFET是3D结构，因此某些人认为当前的FinFET前沿工艺是3D，但在本次讨论中，我们认为3D是指器件堆叠，即允许堆叠多个有源层以创
一文解析SLC、MLC和TLC三者的区别
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术
阻变存储器是什么？
伴随着科学的发展和技术的进步，新的存储器不断被提出并被应用于现今社会，在今天，电阻存储器的研究已经非常普遍，因为电阻存储器[36-39]具有其本身非常大的优点，具体地说，首先它具有非常大的存储密度，因为电阻存储器采用的是纳米技术工艺，也就是说在几十纳米的数量级范围内对器件进行设计和构造，所以它具有非
阻变存储器是什么？
伴随着科学的发展和技术的进步，新的存储器不断被提出并被应用于现今社会，在今天，电阻存储器的研究已经非常普遍，因为电阻存储器[36-39]具有其本身非常大的优点，具体地说，首先它具有非常大的存储密度，因为电阻存储器采用的是纳米技术工艺，也就是说在几十纳米的数量级范围内对器件进行设计和构造，所以它具
半导体大消息！美国放开对华市场，网友：不买不买！
刚刚，半导体传来一则大消息。 10月9日，韩国总统办公室通报，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其它许可。意味着，在无需单独批准的情况下，三星电子、SK海力士可以向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。值得一提的是，全球最大和第二大存储芯片制造商，三星电子、SK海力士在
中央媒体采访团走进光谷调研“中国制造2025”
11月11日，由人民日报、新华社、光明日报、经济日报、中国日报、中央电视台、中新社等媒体组成的“中国制造2025调研行”采访团来到光谷，近60名媒体记者一起参观了光谷展示中心、长飞公司等地，了解光谷创新发展情况。 东湖高新区是我国第二个自主创新示范区，诞生了我国第一根光纤、第一套光传输系统
激光让玻璃变身新式存储器
据英国《每日电讯报》8月15日（北京时间）报道，英国科学家首次研发出了玻璃存储器。这种存储器块头小，存储能力强，而且，寿命长达几千年，大型机构和公司的海量信息今后可以长时间安全存储其中。相关研究发表在最新一期《应用物理学快报》杂志上。 英国南安普敦大学的科学家使用激光让玻璃块
细菌DNA序列可作信息“存储器”
阿根廷科学家近日成功将该国国歌旋律以人工基因编码形式植入某种细菌染色体中。这一方法不仅可以用来存储音乐旋律，还可能发展为一种拥有巨大应用潜力的信息存储方式。 据阿根廷媒体报道，主持研究的阿根廷信息生物学家费德里克·普拉达介绍说，生物的DNA(脱氧核糖核酸)由四种脱氧核苷酸组成，即腺嘌呤、胸
耐600℃高温存储器问世
科技日报北京5月5日电 （记者刘霞）美国宾夕法尼亚大学科学家研制出一款可在600℃高温下持续工作60小时的存储器。这一耐受温度是目前商用存储设备的两倍多，表明该存储器具有极强的可靠性和稳定性，有望在可导致电子或存储设备故障的极端环境下大显身手，也为在恶劣条件下进行密集计算的人工智能系统奠定了基础。相
SOT型磁性存储器研究领域
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器（MRAM）研究领域取得进展。 实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra