宁波材料所在超低压双电层微纳晶体管领域取得系列进展
薄膜晶体管(Thin-film transistors, TFTs)是一类重要的半导体器件，在平板显示、传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年，宽带隙氧化物半导体由于其具有低温成膜、高电子迁移率、可见光透明等优点，在薄膜晶体管领域引起了人们广泛的研究兴趣。由于常规SiO2栅介质电容耦合较弱，当前薄膜晶体管的典型工作电压一般大于10V，大大限制了其在便携式领域的应用。研究表明，离子液、离子凝胶（Ion Gels）具有高达10μF/cm2的低频双电层电容。研究人员采用该类双电层栅介质制作了工作电压仅为1.0V-2.0V有机薄膜晶体管。但到目前为止，该类栅介质很少用于无机氧化物半导体晶体管器件研制。 2009年开始，中科院宁波材料技术与工程研究所万青课题组在纳米SiO2颗粒组成的微孔薄膜体系中观测到了巨大的双电层电容，并用该介质薄膜作为栅介质，成功研制了高性能、低压透明薄膜晶体管，其工作电压小于1.5......阅读全文
新年第一篇！南京大学成果登Nature
下一代电子技术的发展需要将通道材料厚度缩小到二维极限，同时保持超低的接触电阻。过渡金属二卤属化合物可以维持晶体管扩展到路线图的结束，但尽管有无数的努力，器件性能仍然受到接触限制。特别是，由于固有的范德华间隙，接触电阻还没有超过共价结合的金属-半导体结，最好的接触技术面临稳定性问题。 2023年
迄今速度最快能耗最低二维晶体管问世
北京大学电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组日前制备出10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳米节点的硅基鳍型晶体管，并将二维晶体管的工作电压降到0.5V，这也是世界上迄今速度最快能耗最低的二维半导体晶体管。该研究成果以《二维硒化铟弹道晶体管》为
北京大学一天宣布两大芯片成果
《Cell》（细胞）、《Nature》（自然）和《Science》（科学）三本杂志号称三个世界顶级学术刊物，简称为CNS，是科研工作者的最爱，我国每年公布的世界十大科技新闻大多来源于CNS。 其中，《Nature》杂志创刊于1869年，由Springer Nature出版社出版。150多年以来
物理所实现多层MoS2外延晶圆推动二维半导体的器件应用
以二硫化钼为代表的二维半导体材料，因其极限的物理厚度、极佳的柔性/透明性，是解决当前晶体管微缩瓶颈及构筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半导体芯片的一类新材料。近年来，国际上已在单层二硫化钼的晶圆制备及大面积器件构筑方面不断突破，在晶圆质量和器件性能方面逐渐逼近极限。例如，中国科学院物理研究所
认识晶体管
晶体管原理及应用晶体管全称双极型三极管（Bipolar junction transistor，BJT）又称晶体三极管，简称三极管，是一种固体半导体器件，可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。晶体管作为一种可变开关．基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可用作电流的开关。和一般
科学家开发出三维垂直场效应晶体管
科技日报北京6月14日电 （记者张梦然）通过铁电栅极绝缘体和原子层沉积氧化物半导体通道，日本科学家制造了三维垂直场效应晶体管，可用来生产高密度数据存储器件。此外，通过使用反铁电体代替铁电体，他们发现擦除数据只需要很小的净电荷，从而提高了写入的效率。发表在2022年IEEE硅纳米电子研讨会上的该
我国研发成功一种超陡垂直晶体管技术
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517724.shtm随着集成电路制造工艺下探亚5纳米技术节点，传统的晶体管尺寸微缩路线无法像过去一样使“器件-芯片”性能提升并控制成本。“在此背景下，学术界与工业界近年来提出多种创新器件技术，以期克服常规
金属氧化物半导体材料的制备、微分析及应用研究
本论文以氧化锌稀磁半导体和纳米二氧化钛光催化剂材料为研究对象,针对目前这一领域需要解决的一些问题,将表面微分析技术应用于它们的研究。一方面,探求了制备条件与材料组成、微结构、形貌以及性能的关系；另一方面,研究了载体、外加磁场等对纳米二氧化钛光催化性质的影响,并成功制备了具有实际应用前景的新型阳离子聚
碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管
据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道，该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑，将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技术领域大展宏图。 碳纳米管管壁只有一个原子厚，是最好的导电材料之一，
薄膜晶体管的历史及现状
人类对 TFT 的研究工作已经有很长的历史. 早在 1925 年, Julius Edger Lilienfeld 首次提出结型场效应晶体管 (FET) 的基本定律,开辟了对固态放大器的研究.1933 年,Lilienfeld 又将绝缘栅结构引进场效应晶体管(后来被称为 MISFET).1962
我科学家成功制备二维黑磷场效应晶体管
记者从中国科学技术大学获悉，该校微尺度物质科学国家实验室陈仙辉教授课题组与复旦大学张远波教授、封东来教授和吴骅教授课题组合作，在二维类石墨烯场效应晶体管研究中取得重要进展，成功制备出具有几个纳米厚度的二维黑磷场效应晶体管。研究成果日前在线发表在《自然·纳米科技》杂志上。 单层原子厚度的石墨
宋国胜课题组设计CL成像引导CDT半导体聚合物平台获进展
化学动力学疗法（CDT）是利用纳米催化剂通过Fenton-like催化反应，将内源性双氧水催化生成具有细胞杀伤性的活性氧（ROS），为癌症治疗提供了新的机会，这比其他基于活性氧的癌症治疗策略（如放射治疗或光动力疗法）更为有效。但CDT试剂未知的催化活性可能会导致CDT在体内产生不可预测的结果。此
硅元素半导体的应用介绍
硅以其优越的物理性质、成熟而较为容易的制备方法以及地球上丰富的资源而成为当前应用最为广泛的元素半导体。硅在地壳中的资源含量约为27%，因而自20世纪50年代末起，随着提纯和晶体生长技术以及硅平面工艺的发展，硅很快就在半导体工业中取代了锗的位置。到目前为止，二极管、晶体管和集成电路的制造，仍然是半导体
上海有机所在有机半导体材料方面取得新进展
有机晶体管由于质量轻，可大面积制备和可应用于柔性基底的特点，在柔性显示、电子标签、传感器等方面具有重要应用。高性能有机半导体材料是有机晶体管的核心组成部分，是有机晶体管应用的基础。近期，上海有机所李洪祥课题组在p-型和n-型高性能有机半导体材料方面取得了一系列进展。 p-型高性能有机半导体
美开发出迄今最小砷化铟镓晶体管
硅半导体作为微芯片之王的日子已经屈指可数了，据物理学家组织网近日报道，美国麻省理工学院科学家开发出了有史以来最小的砷化铟镓晶体管。该校微系统技术实验室科研团队开发的这个复合晶体管，长度仅为22纳米。研究团队近日在旧金山举行的国际电子设备会议上介绍了该项研究成果。 麻省理工学院电气工程和计算
中国科大合作制备出二维黑磷场效应晶体管
近日，中国科学技术大学教授陈仙辉课题组在二维类石墨烯场效应晶体管研究中取得进展。研究组与复旦大学教授张远波、封东来和吴骅课题组通力合作，成功制备出具有几个纳米厚度的二维黑磷场效应晶体管。该研究成果于3月2日在线发表在《自然·纳米科技》杂志上。 单层原子厚度的石墨烯的发现标志着二维晶体作为一
化学所在有机场效应光电功能集成器件方面取得新进展
有机场效应晶体管(OFET)是有机电路的基本构筑基元，在驱动显示，柔性、可印刷大面积电子学，可穿戴电子等方面具有重要应用前景。高性能有机场效应晶体管器件的构筑是推动实现其真正应用的重要研究目标。 在中国科学院先导项目和国家自然科学基金委支持下，中科院化学研究所有机固体重点实验室董焕丽课题组与天
科学家开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
8月7日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）研究员狄增峰团队，在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展，相关研究发表于《自然》。硅基集成电路是现代技术进步的基石，但在尺寸缩小方面面临着严峻的挑战。二维半导体材料具有高载流子迁移率和抑制短沟道效
上海有机所在有机半导体材料研究中取得系列进展
有机晶体管由于质量轻，可大面积制备和可应用于柔性基底的特点，在柔性显示、电子标签、传感器等方面具有重要应用。高性能有机半导体材料是有机晶体管的核心组成部分，是有机晶体管应用的基础。近期，中科院上海有机化学研究所李洪祥课题组在p-型和n-型高性能有机半导体材料方面取得了一系列进展。 p-型高
访《科学》论文作者：横空出世的半浮栅晶体管
8月9日出版的《科学》(Science)杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题组提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管(SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor)。这是我国科学家在该顶级学术期刊上发表的第一篇微电子器件领域的原创性成
一种运行更快、功耗更少的晶体管
集成电路是由被称作晶体管的半导体装置组成的，这些晶体管已经小到了详尽的电力运作所允许的最小程度，但是现在，聚焦于继续改进这些极小装置——加速它们的运行并降低其功耗——的研究已经找到了一种无需使其缩小就能达到这一效果的新方式。晶体管(这是控制电流流量的电子装置)是高速电脑的主要组成部分，帮助电脑进
科学家开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
8月7日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）研究员狄增峰团队，在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展，相关研究发表于《自然》。硅基集成电路是现代技术进步的基石，但在尺寸缩小方面面临着严峻的挑战。二维半导体材料具有高载流子迁移率和抑制短沟道效
纳米能源所首次提出摩擦电子学新研究领域
最近，中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士领导的研究小组将摩擦纳米发电机与传统场效应晶体管相结合，研制出接触起电场效应晶体管，首次提出了摩擦电子学（Tribotronics）这一新的研究领域。相关研究成果于8月16日在线发表于ACS Nano（DOI: 10.1021/nn5039806
扩大功率半导体产能，全球再添一座12英寸晶圆厂
近日，东芝电子元件及存储装置公司（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）宣布，将在日本石川县的主要分立半导体生产基地（加贺东芝电子公司）建造一座新的300毫米晶圆制造工厂，用于生产功率半导体。Source：东芝官网 据介绍，该晶圆厂的
化学所在分子材料和器件研究方面取得系列进展
在科技部、国家自然科学基金委和中国科学院的支持下，化学研究所有机固体院重点实验室的相关研究人员致力于分子材料和器件的研究，取得了一些新进展，引起了国际学术界的关注，并分别在Chem. Rev. 和Chem. Soc. Rev.上发表了综述。 在有机场效应晶体管(OFET)中，介
II族氧化物半导体光电子器件基础研究启动
近日，“973”计划项目“II族氧化物半导体光电子器件的基础研究”启动会在长春召开。中科院长春光机所、物理所、上海光机所和南京大学、中山大学、东南大学、吉林大学等单位将瞄准目前半导体领域的前沿和热点，把II族氧化物半导体作为主要研究对象，以期在短波长激光器件和紫外光电探测器等方面实现突
场效应管简介
场效应管（Field Effect Transistor，缩写FET）是场效应晶体管的简称，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 它主要有两种类型：结型场效应管和金属 -氧化物半导体场效应管，具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集
我国学者在高迁移率白色有机偏振发光半导体研究中取得进展
图 材料创制与电致发光器件。（a）WOPESSCs中能量和偏振转移示意图；（b）大面积WOPESSCs荧光图片；（c）WOPESSCs荧光发射光谱；（d）WOPESSCs有机偏振发光二极管电致发光图片；（e）性能总结与对比图；（f）宽色域三基色成像 在国家自然科学基金项目（批准号：52233010
侧链调控共轭聚合物半导体性能研究方面取得系列进展
近年来，有机共轭聚合物由于其优异的半导体性能，以及在多个领域的应用前景，受到广泛关注。载流子迁移率是有机半导体性能的重要参数。国内外众多课题组主要通过设计合成新的共轭分子和高分子来调节分子的电子结构和聚集态结构，进而提高载流子迁移率。近年来，研究结果表明共轭分子和高分子中的烷基侧链的结构不仅可以
晶体管图示仪
半导体管图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线的仪器，并可测量低频静态参数。是从事半导体管研究制造及无线电领域工作者的一种必不可少的仪器。具有双簇显示功能特有场效应管配对和测试功能,5kV高压测试台。 技术参数： 集电极范围 20uA/DIV～1A/DIV 分15档，误差不