宁波材料所在超低压双电层微纳晶体管领域取得系列进展
薄膜晶体管(Thin-film transistors, TFTs)是一类重要的半导体器件，在平板显示、传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年，宽带隙氧化物半导体由于其具有低温成膜、高电子迁移率、可见光透明等优点，在薄膜晶体管领域引起了人们广泛的研究兴趣。由于常规SiO2栅介质电容耦合较弱，当前薄膜晶体管的典型工作电压一般大于10V，大大限制了其在便携式领域的应用。研究表明，离子液、离子凝胶（Ion Gels）具有高达10μF/cm2的低频双电层电容。研究人员采用该类双电层栅介质制作了工作电压仅为1.0V-2.0V有机薄膜晶体管。但到目前为止，该类栅介质很少用于无机氧化物半导体晶体管器件研制。 2009年开始，中科院宁波材料技术与工程研究所万青课题组在纳米SiO2颗粒组成的微孔薄膜体系中观测到了巨大的双电层电容，并用该介质薄膜作为栅介质，成功研制了高性能、低压透明薄膜晶体管，其工作电压小于1.5......阅读全文
晶体管图示仪
半导体管图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线的仪器，并可测量低频静态参数。是从事半导体管研究制造及无线电领域工作者的一种必不可少的仪器。具有双簇显示功能特有场效应管配对和测试功能,5kV高压测试台。 技术参数： 集电极范围 20uA/DIV～1A/DIV 分15档，误差不
半导体功率器件可靠性水基清洗分析
导读：目前5G通讯和新能源汽车正进行得如火如荼，而功率器件及半导体芯片正是其核心元器件。如何确保功率器件和半导体芯片的品质和高可靠性？一、什么是半导体：半导体是指同时具有容易导电的“导体”和不导电的“绝缘体”两方面特性的物质。能够实现交流电转为直流电—“整流”、增大电信号—“增幅”、导通或者阻断电—
有弹性的晶体管“皮肤”来了
斯坦福大学化学工程系教授鲍哲楠课题组日前研制出一种可拉伸晶体管，即便被拉伸至原有两倍长度，其导电性也只有极微小下降。现有坚硬的可穿戴电子产品有望因此变得像人的皮肤一样柔软富有弹性，甚至可以成为具有功能性的人体“第二层皮肤”。相关研究成果发表在最新一期的《科学》杂志上。 论文共同第一作者、斯坦福
化学所在新型有机偏振发光晶体管研究中取得进展
有机发光晶体管（OLETs）是兼具有机场效应晶体管（OFETs）和有机发光二极管（OLEDs）功能的小型化光电集成器件，具有制备工艺简单、集成更容易等优势，被认为是实现下一代变革性新型显示技术的重要器件基元。同时，OLETs独特的横向器件结构为有机半导体材料中电荷注入、传输和复合过程的原位研究提供了
浙大学者《自然·通讯》发文：新材料有望为芯片加速
近日，浙江大学物理学系百人计划研究员谢燕武课题组，联合浙江大学电镜中心田鹤课题组、张泽院士以及美国斯坦福大学Harold Hwang教授，首次发现在钛酸锶与铪酸钙异质界面存在一种与钛酸锶终止面无关的，且又极为稳定的电子气。这项研究为氧化物电子器件的发展提供一个新的实用平台。 这项工作近日被刊发
半导体所等实现晶圆级高质量InAs纳米结构的维度调控
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561）报道了中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者在晶圆级高质量InAs纳米结构维度调控方面的最新研究成果。 InAs是一种重要的III-V
迄今速度最快能耗最低二维晶体管问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497096.shtm 本报北京3月26日电（记者晋浩天）北京大学电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组日前制备出10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳
苏州纳米所等发现提升半导体氧化物SERS性能的新方法
自上世纪70年代表面增强拉曼光谱（SERS）面世后，贵金属基底的引入将拉曼检测灵敏度提升了百万倍，克服了传统拉曼光谱与生俱来的信号微弱等缺点，使得拉曼检测在食品安全、环境监测、生命科学等领域得到广泛应用，并迅速成长为最为灵敏的表面物种现场谱学检测技术之一。然而，人们欣喜的同时却遗憾地发现，SER
分子尺度实现二维有机材料电子学性质精确调控
近日，南京大学电子科学与工程学院、固体微结构物理国家重点实验室、人工微结构科学与技术协同创新中心的王欣然、施毅教授，中国人民大学季威教授，香港中文大学许建斌教授等课题组深入合作，在二维有机半导体的精确可控外延生长、输运性质调控和器件研究中取得突破性进展，相关研究成果于201
中国科大在黑磷低维原子晶体中实现高迁移率二维电子气
近日，中国科学技术大学教授陈仙辉课题组与复旦大学教授张远波课题组合作，继去年首次制备出二维黑磷场效应晶体管之后，再次在薄层黑磷晶体研究中取得新进展，成功在这一体系中实现高迁移率二维电子气。相关研究成果发表在5月18日的《自然·纳米科技》上。 2014年5月，陈仙辉课题组与复旦大学张远波等课题组
2所“双一流”，齐发Nature
3月3日，南京大学、武汉大学分别在国际顶级学术期刊Nature刊发研究成果。南京大学3月3日，国际顶级学术期刊Nature刊发了南京大学现代工程与应用科学学院聂越峰教授课题组、吴迪教授课题组与美国加州大学尔湾分校的潘晓晴教授课题组等国际团队合作的研究成果“High-density Switchabl
5个层级带你看清一颗芯片的内部结构（二）
双极性晶体管（BJT）在早期的时候用的比较多，俗称三极管。它连上电阻、电源、电容，本身就具有放大信号的作用。像堆积木一样，可以用它构成各种各样的电路，比如开关、电压／电流源电路、上面提到的逻辑门电路、滤波器、比较器、加法器甚至积分器等等。由BJT构建的电路我们称为TTL（Transistor
以色列研究：芯片中的硅或可被新材料取代
以色列理工学院近日发布公报说，该院人员领衔的一项新研究开发出了一种新材料，将来有可能取代芯片中的硅。 一个芯片可能包含数十亿个晶体管，芯片性能的提升基于晶体管的不断小型化。近年来硅晶体管的小型化速度已放缓，因为到达一定微小尺度后，晶体管功能会受到量子力学某些效应的干扰，从而影响正常运行。 这
关于半导体气敏传感器的基本介绍
半导体气敏传感器是利用待测气体与半导体(主要是金属氧化物)表面接触时，产生的电导率等物性变化来检测气体。按照半导体与气体相互作用时产生的变化只限于半导体表面或深入到半导体内部，可分为表面控制型和体控制型。第一类，半导体表面吸附的气体与半导体间发生电子授受，结果使半导体的电导率等物性发生变化，但内
单层二硫化钼低功耗柔性集成电路研究
柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟
中国科学家晶体管开发取得突破
中国研究人员8月8日在美国《科学》杂志上报告说，他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更容易、迅速，整个过程都可在低电压条件下完成，为实现芯片低功耗运行创造了条件。 研究负责人、复旦大学教授王鹏飞对新华社记者说：“我国集成
长春光机所研究成果获国际化学领域认可
27日，记者从中科院长春光机所获悉，该所发光学及应用国家重点实验室李斌课题组自主设计了具有红光发射的带有正电荷的溴化乙锭有机单体，在国际上首次制备出带电荷的有机二维多孔晶体骨架材料，该材料在有机半导体器件和光电传感等领域有重要的应用前景。日前，这项研究成果发表在国际化学领域著名的期刊《美国化学会
研究者发表p型氧化物电子学前沿研究综述
近日，电子科技大学基础与前沿研究院电子薄膜与集成器件全国重点实验室刘奥团队受邀在《自然综述：电气工程》发表前沿评论文章，梳理了团队近年来在“p型氧化物电子学”领域的研究进展，阐述了半金属-氧化物新材料体系的物理内涵与器件发展思路，并对该领域未来研究方向进行了展望。P型氧化物半导体是构建互补金属氧化物
先进的半导体工艺：FinFET简介
FinFET简介 FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状
微波晶体管相关简介
在微波波段工作的晶体管。微波波段指频率在300兆赫～300吉赫的电磁波谱。按功能分类，微波晶体管包括微波低噪声晶体管和微波大功率晶体管。按结构分类，微波晶体管可分为双极型晶体管和场效应晶体管。 由于工作频率高，微波晶体管必须具有微米或亚微米的精细几何尺寸。随着薄层外延技术、浅结扩散或离子注入技
晶体管类型要用对
晶体管当作开关使用，已是司空见惯的事情了，今天硬是要找点话题来讲讲，且聊聊在接GND和接VCC的开关电路中，用不同类型的晶体管究竟会产生什么样不同的影响？一、图例说明（图片来自《电子电气工程师必知必会》）二、原理分析图3－4，人个觉得两种控制电路都可用，只是左边电路设计会存在一些问题，故曰不
微波低噪声晶体管
主要用于微波通信、卫星通信、雷达、电子对抗以及遥测、遥控系统中的接收机前置放大器。微波晶体管的噪声越低,接收机的灵敏度越高,这些系统的作用距离越大。 双极型晶体管的噪声来源有：热噪声、散弹噪声、分配噪声和1/ 噪声（也称闪烁噪声）。场效应晶体管是多数载流子器件，故不存在少数载流子引起的散弹噪声
《自然》最新成果突破领域二十年研究瓶颈
近日，电子科技大学研究团队首创高迁移率稳定的非晶P型（空穴）半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈，进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的发展。该成果由电子科技大学和韩国浦项科技大学共同合作完成，在线发表于《自然》。相比于多晶半导体，非晶体系具有诸多优势，如低成本、
《自然》最新成果突破领域二十年研究瓶颈
近日，电子科技大学研究团队首创高迁移率稳定的非晶P型（空穴）半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈，进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的发展。该成果由电子科技大学和韩国浦项科技大学共同合作完成，在线发表于《自然》。相比于多晶半导体，非晶体系具有诸多优势，如低成本、
化学所在有机共轭聚合物半导体研究方面取得系列进展
近年来，有机共轭聚合物由于具有优异的半导体性质，其研究受到广泛关注。人们发现聚合物的侧链不仅可以提高聚合物在有机溶剂中的溶解性，而且可以影响聚合物的半导体性能。 在中国科学院战略性先导科技专项的支持下，中科院化学研究所有机固体院重点实验室研究员张德清课题组科研人员在调控侧链改变聚合物半导体性能
二维材料成功集成到硅微芯片内
沙特阿卜杜拉国王科技大学科学家在27日出版的《自然》杂志上发表论文指出，他们成功将二维材料集成在硅微芯片上，并实现了优异的集成密度、电子性能和良品率。研究成果将帮助半导体公司降低制造成本，及人工智能公司减少数据处理时间和能耗。二维材料有望彻底改变半导体行业，但尽管科学家们研制出了多款类似设备，但技术
什么是半导体材料？常见半导体材料有哪些？
半导体材料是什么？半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1
国家纳米中心在层状材料光电晶体管方向取得新进展
二维层状材料是近些年兴起的一类新兴材料，通常其层内以较强的共价键或者离子键结合而成，而层间则是依靠较弱的范德华力堆叠在一起。尤其是2004年单原子层石墨烯的发现极大地推动了二维材料的发展，使其迅速成为研究前沿。然而众所周知，本征石墨烯由于受到六重对称性保护几乎没有能隙，限制了其在半导体器件中的应
CMOS传感器的特点简介
CMOS传感器采用一般半导体电路最常用的CMOS工艺，具有集成度高、功耗小、速度快、成本低等特点，最近几年在宽动态、低照度方面发展迅速。CMOS即互补性金属氧化物半导体，主要是利用硅和锗两种元素所做成的半导体，通过CMOS上带负电和带正电的晶体管来实现基本的功能。这两个互补效应所产生的电流即可被
长春应化所发明一种绿色环保型高导电率纳米粉体材料
中国科学院长春应用化学研究所杨小牛研究员等科研人员发明的“一种高电导率铝掺杂氧化锌纳米粉体及其制备方法”ZL，获得了国家知识产权局的授权。 透明导电氧化物(TCO)具有优良的电学、光学性能及化学稳定性，被广泛应用于太阳能电池、平板显示器、光伏器件、有机光发射二极管、透明薄膜晶体管及导电复合