新型存储器有望推动存储技术的变革
集成电路，俗称“芯片”，是信息技术产业的核心，被誉为国家的工业粮食。而存储器是存储信息的主要载体，占集成电路市场的四分之一，我国存储器市场占全球市场的一半，但缺乏自主知识产权和人才，导致高密度、大容量存储器完全依赖进口。这给我国的信息安全带来了极大的隐患。 为解决此难题，有一个团队默默耕耘了十多年时间，正是凭着这种“把冷板凳坐热”的精神，使他们终于摘得2016年度国家自然科学奖二等奖的桂冠。这正是中国科学院微电子研究所刘明院士领导的新型非易失存储器研究团队，经过15年的努力，在高密度、大容量存储器领域积累了系统的自主知识产权、培养了人才。而他们研制的新型阻变存储器正在推进产业化进程，有望在未来进入主流存储器市场。 解密阻变存储器 项目第二完成人刘琦研究员，正是团队中的一员。回忆起与项目负责人、导师刘明院士的相识，刘琦不得不惊叹命运对自己的眷顾。2006年刘琦还在安徽大学读研究生的时候，被刘明院士的一场报告深深吸引，热爱......阅读全文
高速存储器测试系统ADVANTEST－T5833ES－TU1共享
仪器名称：高速存储器测试系统-ADVANTEST T5833ES TU1仪器编号：18508803产地：392生产厂家：Advantest型号：T5833ES出厂日期：购置日期：26-12月-18所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>高精尖放置地点：荷清大厦高精尖一层实验室固定电话：固定手机：150
中国科学技术大学：实现毫秒级可集成量子存储器
中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿团队在可集成量子存储领域取得进展。该团队李传锋、周宗权研究组基于团队原创的无噪声光子回波（NLPE）方案，将可集成量子存储器的存储时间从10微秒级提升至毫秒级，突破了传统光纤延迟线的效率。 光量子存储器是克服信道损耗、构建大尺度量子网络的核心器件。光量
多功能存储器芯片的测试系统设计：提高芯片测试效率1
本文提出了一种多功能存储器芯片的测试系统硬件设计与实现，对各种数据位宽的多种存储器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）进行了详细的结口电路设计（如何挂载到NIOSII的总线上），最终解决了不同数据位宽的多种存储器的同平台测试解决方案，并详细地设
多功能存储器芯片的测试系统设计：提高芯片测试效率2
硬件电路设计在测试NAND FLASH时，测试时间长达十个小时不等。在此为提高测试效率，增加测试速度，本设计采用两套完全一样且独立的硬件系统构成。可同时最多测试2片NAND FLASH器件。每一个硬件系统由一个微处理器（NIOSII）加一个大容量FPGA及一个存储器测试扩展接口（即ABUS接
郭光灿院士团队制备出高性能可集成固态量子存储器
中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿团队在量子存储领域取得新进展。该团队李传锋、周宗权等人采用飞秒激光微加工技术制备出高保真度的可集成固态量子存储器，并基于自主研制设备首次实现稀土离子的电子自旋及核自旋相干寿命的全面提升。相关成果分别于2月20日和28日发表在物理学期刊Optica和Phy
长鑫存储最新专利：半导体结构及其制作方法、存储器
据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法、存储器“，公开号CN117320438A，申请日期为2022年6月。 专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器，其中，所述半导体结构包括：多个第一半导体柱、多个第二半导体柱、第一支撑层及存
中国科大实现世界最高保真度的固态量子存储器
近日，中国科学技术大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室李传锋研究组，在固态系统中实现了目前世界上最高保真度的量子存储器，保真度高达99.9%。研究成果发表在5月11日出版的美国《物理评论快报》上，并被美国物理学会网站Physics Synopsis栏目作为亮点报道。
微电子所在阻变存储器研发与平台建设方面取得进展
日前，中科院微电子研究所在阻变存储器与大生产CMOS工艺集成研究上取得进展。 阻变存储器（RRAM）是近些年兴起的新型不挥发存储技术，具有单元尺寸小、速度快、功耗低、工艺及器件结构简单和可嵌入功能强等优点，是国际上公认的32nm节点以下主流存储器技术的有力竞争者之一。微电子所纳
刘明院士团队三种新型存储器件取得突破性进展
近日，2019国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了新型存储器件（选通管、可编程二极管）、负电容晶体管紧缩模型、类脑神经元器件电路的最新研究成果。 在存储器件方面，刘明团队提出了一种基于HZO铁电薄膜极性反转调制的电场可编程二极管及1T2D结构的电压
微电子所在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展
日前，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展。 阻变随机存储器(RRAM)具有结构简单、高速、低功耗、易于3D集成等优势，是下一代高密度非易失性存储器的有力竞争者之一。然而，阻变机制的不清晰阻碍了RRAM的快速发展。从最基
中国科大郭光灿团队制备出高性能可集成固态量子存储器
中国科学技术大学郭光灿院士团队在量子存储领域取得重要进展。该团队李传锋、周宗权等人采用飞秒激光微加工技术制备出高保真度的可集成固态量子存储器，并基于自主研制设备首次实现稀土离子的电子自旋及核自旋相干寿命的全面提升。相关成果分别于2月20日和2月28日发表在《光学》和《应用物理评论》上。 量子
科学家研发出新的植入式瞬态可溶蚕丝蛋白存储器
日前，记者从中国科学院上海微系统与信息技术研究所获悉，该所研究员陶虎团队开发出了用于多模态信息存储加密的植入式瞬态可溶蚕丝蛋白存储器，相关成果于4月8日发表在国际期刊《先进材料》上。瞬态可溶存储器是柔性电子与可植入器件中的重要组成部分和信息存储媒介，器件在实现可控降解的同时，还需具备稳定的存储和加密
我国科学家在铁电隧道结存储器研究中获进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519161.shtm
技术原理类似纠缠“装配线”－首个可编程光学量子存储器
德国帕德博恩大学和乌尔姆大学研究人员合作，开发出首个可编程光学量子存储器。新技术的工作原理类似于纠缠“装配线”，其中纠缠的光子对会按顺序创建并与存储的光子结合。该研究作为“编辑推荐”发表在最新一期《物理评论快报》杂志上。 今年，诺贝尔物理学奖颁发给在量子纠缠实验方面具有重要贡献的3名科学家。量子纠
蚕丝蛋白注入－让新型的光响应性阻变存储器可降解
高等研究院周晔研究员以蚕丝蛋白为材料主体，水溶性碳量子点为光调控单元，并结合简易的三明治器件结构，构筑了一种新型的光响应性阻变存储器。 该存储器展现出存储窗口大（106）、耐受性好、稳定性好（106 s）等优点。同时，在紫外光照射条件下，存储器的开启电压会显著下降（1.2 V），见图1。图1.
我国科学家在阻变存储器集成应用研究获进展
中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。（a）28nm RRAM 1Mb芯片版图；（b）28nm RRAM单元TEM界面图8层堆叠RRAM截面图 以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后
中科院金属所研发出新型门可调阻变存储器
近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。相关研究成果11
具有极限操作速度的相变存储器研制方面取得新进展
当今，电脑系统采用层次化存储架构：缓存、内存和闪存。离CPU越近，对存储器存储速度需求越高，如内存的速度为纳秒级别，而缓存则需要皮秒级别。作为下一代存储器的有力竞争者，相变存储器的速度决定了其应用领域，而相变存储器速度主要由相变材料的结晶速度（写速度）所决定。研究表明，相变存储器的热稳定性越差，
上海微系统所在三维垂直型存储器设计领域取得进展
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组针对三维垂直型存储器，从理论上总结了芯片速度受限的原因和偏置方法的相关影响，提出了新型的偏置方法和核心电路，相关成果以研究长文的形式发表在2018年7月的国际超大规模集成电路期刊IEEE Transactions on Very Larg
863项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过检查
9月6日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究员主持承担的863计划重点课题项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过中期检查。 国家集成电路研发中心主任赵宇航、国家科技部高技术研究中心处长史冬梅、材料处办公室张芳以及中科院半导体所副所长陈弘达、中科院光
微电子所在阻变存储器与铁电FinFET研究中取得进展
近日，2018国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山召开。会上，中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件的最新研究成果。 对于新型存储器RRAM，初始电形成过程会增加电路设计复杂度，带来可靠性问题，一直
2024北京存储器芯片展|2024第21届北京半导体展览会
2024第二十一届中国国际半导体博览会（IC China）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已连续成功举办二十届，是我国半
我国科学家研制出百毫秒级高效量子存储器
记者6月6日从中国科学技术大学获悉：该校潘建伟和包小辉教授等采用冷原子系综成功研制出百毫秒级高效量子存储器，为远距离量子中继系统的构建奠定了坚实基础。该成果近日发表在国际权威学术期刊《自然·光子学》上。 量子中继可以解决光子信号在光纤内指数衰减的重大难题，是未来实现超远距离量子通信的重要途径之
铁电随机存储器FRAM在动力电池管理上的应用
电池管理系统（Battery Management System， 即BMS）主要实现三大核心功能：电池充放电状态的预测和计算（即SOC）、单体电池的均衡管理，以及电池健康状态日志记录与诊断。功能框图如下：在整个电池管理系统中，电池荷电状态的预测和计算（即SOC）是其最重要的功能，因为有了精确的电池
搭建远距离量子网络－为什么要先搞定量子存储器
量子存储器用于储存光子的纠缠态，作为不同链路内纠缠建立以及纠缠交换过程的同步装置，它是量子中继器能够实现纠缠分发加速的关键。我国已利用墨子号卫星实现了长达1200公里的远程纠缠分发，但尚未引入量子存储器。日前，有媒体报道了国外学者把一个量子比特的信息存储在晶体内并保存长达20毫秒的消息，为远距离量子
李传锋研究组成功研制出世界最高效固态量子存储器
中国科学技术大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室李传锋研究组，成功实现确定性单光子的多模式固态量子存储，一次可以存储100个量子比特，创造了世界最高水平。该成果发表在10月15日的世界著名学术期刊《自然·通讯》上。 量子通信被认为是绝对安全的通信方式，其基本原理是利用单个光子加密携带一
我国在3D－NAND存储器研发领域取得标志性进展
近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会（ICTech Summit 2017）上介绍，32层3D NAND芯片顺利通过电学
纳米等离子体复合玻璃中具有增强杨氏模量的数据存储器
引言根据国际数据公司（IDC）2017年白皮书的最新报告，信息增长率比2010年和2012年的预测快得多，到2025年，总数据量将达到160 ZB（109 TB），这比2012年的预测高出4倍。大数据中心的快速发展激励着科学家和工程师研究和记录持续数百年的现象，这些现象以长时间的数据
AI芯片展会|2024上海国际存储器芯片展览会「上海半导体展」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
我国科学家成功研制出百毫秒级高效量子存储器
中国科学技术大学潘建伟和包小辉教授等采用冷原子系综成功研制出百毫秒级高效量子存储器，为远距离量子中继系统的构建奠定了坚实基础。该成果5月31日发表在国际权威学术期刊《自然·光子学》上。 量子中继可以解决光子信号在光纤内指数衰减的重大难题，是未来实现超远距离量子通信的重要途径之一。量子中继的基本