863项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过检查
9月6日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究员主持承担的863计划重点课题项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过中期检查。 国家集成电路研发中心主任赵宇航、国家科技部高技术研究中心处长史冬梅、材料处办公室张芳以及中科院半导体所副所长陈弘达、中科院光机所主任吴谊群作为评审专家出席了会议。中科院上海微系统所党委书记、常务副所长王曦院士，科技处长胡善荣以及项目组成员共计20余人参加了此次会议。会议由检查专家组长陈弘达主持。 会上，项目负责人宋志棠研究员汇报了课题中期进展，专家组认真审查了相关技术文件和资料，参观了课题组完成的16Kbit-1M的封装芯片和RFID-PCRAM流片样品，并现场测试8寸1Mb测试芯片。结果表明，各项技术指标均全面满足合书同要求，专家组对此给予了高度评价和肯定。 专家组评议认为，该课题自启动至今取得了重大的关键技术突破和阶段性成果：组建了强大的100多人......阅读全文
“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过验收
12月20日，国家“十一五”863计划新材料领域“相变随机存储器存储材料及关键技术”重点课题通过科技部组织的验收。科技部高技术研究中心材料处处长史冬梅，以及清华大学潘峰教授、南京大学刘治国教授、华东师范大学孙卓教授、中科院上海技术物理所陆卫研究员、吉林师范大学杨景海教授等验收专家出席了会议。课题
863项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过检查
9月6日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究员主持承担的863计划重点课题项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过中期检查。 国家集成电路研发中心主任赵宇航、国家科技部高技术研究中心处长史冬梅、材料处办公室张芳以及中科院半导体所副所长陈弘达、中科院光
院企合作突破相变存储器关键技术
今天，记者从中科院上海微系统与信息技术研究所获悉，该所联合中芯国际集成电路制造（上海）有限公司开展的相变存储器（PCRAM）研究，在130纳米技术节点相变存储器技术方面取得重大突破。近四年来，合作双方与珠海艾派克微电子有限公司合作开发的打印机用PCRAM芯片取得工程应用突破，实现了产业化销售。
上海微系统所召开国家纳米重大项目2010年度总结会
4月15日，国家纳米重大科学研究计划项目“基于纳米机构的相变机理及嵌入式PCRAM应用基础研究”及“相变存储器规模制造技术关键基础问题研究”2010年度项目总结会在依托单位中科院上海微系统与信息技术研究所召开。 上海微系统所所长助理宋志棠研究员介绍了会议议程并致欢迎词。国家纳米重大专项专家
高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现
集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一，是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地，存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断，对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体存
研究获重要发现高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料
集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一，是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地，存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断，对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体
“超级光盘”存储器问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517834.shtm上海理工大学光子芯片研究院顾敏院士、中国科学院上海光学精密机械研究所阮昊研究员、上海理工大学光电信息与计算机工程学院文静教授等合作，在国际上首次利用双光束调控聚集诱导发光超分辨光存储技
我国学者在相变存储异质结研究方面取得重要进展
在国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（批准号：61622408）、面上项目（批准号：61774123）等资助下，深圳大学材料学院饶峰教授与西安交通大学金属材料强度国家重点实验室张伟教授、美国约翰霍普金斯大学马恩教授等合作，在相变存储材料与器件研究方面取得重要进展。相关成果以“Phase-cha
新型存储器有望推动存储技术的变革
集成电路，俗称“芯片”，是信息技术产业的核心，被誉为国家的工业粮食。而存储器是存储信息的主要载体，占集成电路市场的四分之一，我国存储器市场占全球市场的一半，但缺乏自主知识产权和人才，导致高密度、大容量存储器完全依赖进口。这给我国的信息安全带来了极大的隐患。 为解决此难题，有一个团队默默耕耘了十
这种新材料为什么能实现稳定波导光存储器
近日，来自中国科技大学量子信息研究所的研究人员们报告了在151Eu3+:Y2SiO5晶体中使用飞秒激光微加工制作II型波导，并验证了基于该波导的光量子存储器的可靠性。图：实验装置示意图。主激光束被分成两部分，分别作为制备模式、控制模式和输入模式。输入模式可以通过自旋波AFC方案中的输入1模式注入
非易失性存储器国际研讨会在上海落幕
由国际电子电气工程师学会主办、中科院上海微系统与信息技术研究所和新加坡数据学院共同承办的第11届非易失性存储器国际研讨会于11月9日在上海落幕。来自美、俄、日等10个国家和地区的200多位专家学者和产业界人士，围绕非易失性存储器领域的最新进展进行了研讨。 与易失性存储器相比，非易失性存储器具有
阻变存储器是什么？
伴随着科学的发展和技术的进步，新的存储器不断被提出并被应用于现今社会，在今天，电阻存储器的研究已经非常普遍，因为电阻存储器[36-39]具有其本身非常大的优点，具体地说，首先它具有非常大的存储密度，因为电阻存储器采用的是纳米技术工艺，也就是说在几十纳米的数量级范围内对器件进行设计和构造，所以它具
阻变存储器是什么？
伴随着科学的发展和技术的进步，新的存储器不断被提出并被应用于现今社会，在今天，电阻存储器的研究已经非常普遍，因为电阻存储器[36-39]具有其本身非常大的优点，具体地说，首先它具有非常大的存储密度，因为电阻存储器采用的是纳米技术工艺，也就是说在几十纳米的数量级范围内对器件进行设计和构造，所以它具有非
新型相变材料突破存储速度极限数据
模拟显示了在600皮秒内的晶核扩展，新相变材料迅速实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换。 图片来自《科学》杂志官网 据《科学》杂志官网14日报道，中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员饶峰和同事研发出一种全新的相变材料——钪锑碲合金，可在不到1纳秒内实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换
激光让玻璃变身新式存储器
据英国《每日电讯报》8月15日（北京时间）报道，英国科学家首次研发出了玻璃存储器。这种存储器块头小，存储能力强，而且，寿命长达几千年，大型机构和公司的海量信息今后可以长时间安全存储其中。相关研究发表在最新一期《应用物理学快报》杂志上。 英国南安普敦大学的科学家使用激光让玻璃块
自旋分子存储器研究获进展
经典的冯·诺依曼计算机架构中，数据存储与处理分离。由于指令、数据在存储器和处理器之间的高频转移，导致计算机发展的“存储墙瓶颈”与“功耗墙瓶颈”。能否模仿人类的大脑，构建新型器件实现计算和存储一体化，完成低功耗的复杂并行计算？ 理论提出的自旋场效应晶体管（自旋FET）同时具有实现数据存储和处理的
耐600℃高温存储器问世
科技日报北京5月5日电 （记者刘霞）美国宾夕法尼亚大学科学家研制出一款可在600℃高温下持续工作60小时的存储器。这一耐受温度是目前商用存储设备的两倍多，表明该存储器具有极强的可靠性和稳定性，有望在可导致电子或存储设备故障的极端环境下大显身手，也为在恶劣条件下进行密集计算的人工智能系统奠定了基础。相
细菌DNA序列可作信息“存储器”
阿根廷科学家近日成功将该国国歌旋律以人工基因编码形式植入某种细菌染色体中。这一方法不仅可以用来存储音乐旋律，还可能发展为一种拥有巨大应用潜力的信息存储方式。 据阿根廷媒体报道，主持研究的阿根廷信息生物学家费德里克·普拉达介绍说，生物的DNA(脱氧核糖核酸)由四种脱氧核苷酸组成，即腺嘌呤、胸
SOT型磁性存储器研究领域
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器（MRAM）研究领域取得进展。 实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
存储器大突破，迄今密度最高！
机构预计今年上半年存储周期触底复苏，行业存储龙头有望迎业绩反转。 迄今最高存储密度器件面世 据科技日报，美国南加州大学电气和计算机工程教授杨建华及合作者在最新一期《自然》杂志上刊发论文称，他们已经为边缘人工智能（便携式设备内的人工智能）开发出了迄今存储密度最高的新型器件和芯片，有望在便携式设
研究团队发现铁硅化合物可用作非易失性存储器材料
日本东京大学与理化学研究所、东北大学、原子能研究机构等合作研究，成功地将自然界存储丰富的铁硅化合物应用于不使用电源也能保持记忆的“非挥发性存储”信息记忆技术。研究发现，铁硅化合物的表面与晶体内部不同，具有与磁铁相同性质，可通电。这一成果将有助于电子器件的省电化和高功能化。 以前，铁硅化合物因结
碲化铌展现下一代存储器材料前景
美国东北大学研究人员验证了溅射技术在制造大面积二维范德华四硫属化物方面的潜在用途。利用这项技术，他们制造并鉴定了一种非常有前途的材料——碲化铌，它具有约447℃（起始温度）的超低熔点。这一成果发表在最近的《先进材料》杂志上。 相变存储器是一种非易失性存储器，它利用相变材料从非晶态（原子
“高密度存储与磁电子材料关键技术”取得突破
阻变存储器、相变存储器、磁存储器、高灵敏度磁传感器和隔离耦合器件等是具有良好应用前景的新型存储和磁电子技术，在移动通信、个人电脑、数码相机、电子标签等领域具有广阔的市场价值。“十二五”期间，863计划新材料技术领域支持了 “高密度存储与磁电子材料关键技术”主题项目。近日，科技部高新司在北京组织专
储存和存储器的不同特性比较
目前最广泛使用的数字储存装置是硬盘（HDD），但它受欢迎的程度正迅速下滑…数字数据储存正历经强大的成长态势，2016年即已增加到超过10，000艾位元组（Exabyte；EB）或10皆位元组（Zettabyte；ZB）的电子数据。值得一提的是，在位元的次方单位表中，目前只剩下“佑位元组”（Y
关于傅里叶变换的存储器控制介绍
因FFT是为时序电路而设计的，因此，控制信号要包括时序的控制信号及存储器的读写地址，并产生各种辅助的指示信号。同时在计算模块的内部，为保证高速，所有的乘法器都须始终保持较高的利用率。这意味着在每一个时钟来临时都要向这些单元输入新的操作数，而这一切都需要控制信号的紧密配合。 为了实现FFT的流形
纳米限制结构相变存储器成功开发
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究团队基于12英寸集成工艺，开发出纳米限制结构相变存储器。该团队通过优化器件集成工艺，在12英寸晶圆上制备出嵌入式纳米加热电极，实现了超过1.0×1011次的器件循环擦写次数，较传统器件结构提升了1000倍，刷新了蘑菇型结构相变存储器的循环擦写纪录。科研人
长鑫存储最新专利：半导体结构及其制作方法、存储器
据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法、存储器“，公开号CN117320438A，申请日期为2022年6月。 专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器，其中，所述半导体结构包括：多个第一半导体柱、多个第二半导体柱、第一支撑层及存
IBM研发出最新多位相变存储器
据美国物理学家组织网近日报道，IBM的科学家演示了最新的多位相变存储器，其每个存储格都能长时间可靠地存储多个字节的数据。最新技术让人们朝成本更低、速度更快、更耐用的存储技术前进了一大步，可广泛应用于包括手机在内的消费电子设备、云存储以及对性能要求更高的企业数据存储中。 相变存
国产相变存储器开启产业化应用
潜心相变存储器研究15年，中科院上海微系统所研究院宋志棠团队在130纳米技术节点相变存储器技术研发取得重大突破。近4年来，通过和珠海艾派克微电子有限公司产学研用协同合作开发的打印机用相变存储器芯片，实现了产业化销售。截至今年6月，该芯片已销售1600万颗。这是记者从6月28日上海微系统所举行的成
主办EXPO－2024上海存储器展官网」
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体