我国在3DNAND存储器研发领域取得标志性进展
近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会（ICTech Summit 2017）上介绍，32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求。该款存储器芯片由长江存储与微电子所三维存储器研发中心联合开发，在微电子所三维存储器研发中心主任、长江存储NAND技术研发部项目资深技术总监霍宗亮的带领下，成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。 在大数据需求驱动下，存储器芯片已是电子信息领域占据市场份额最大的集成电路产品。我国在存储器芯片领域长期面临市场需求大而自主知识产权和关键技术缺乏的困境，开展大容量存储技术的研究和相关产品研制迫在眉睫。传统平面型NAND存储器在降低成本的同时面临单元间串扰加剧和单......阅读全文
自旋分子存储器研究获进展
经典的冯·诺依曼计算机架构中，数据存储与处理分离。由于指令、数据在存储器和处理器之间的高频转移，导致计算机发展的“存储墙瓶颈”与“功耗墙瓶颈”。能否模仿人类的大脑，构建新型器件实现计算和存储一体化，完成低功耗的复杂并行计算？ 理论提出的自旋场效应晶体管（自旋FET）同时具有实现数据存储和处理的
蚕丝蛋白注入－让新型的光响应性阻变存储器可降解
高等研究院周晔研究员以蚕丝蛋白为材料主体，水溶性碳量子点为光调控单元，并结合简易的三明治器件结构，构筑了一种新型的光响应性阻变存储器。 该存储器展现出存储窗口大（106）、耐受性好、稳定性好（106 s）等优点。同时，在紫外光照射条件下，存储器的开启电压会显著下降（1.2 V），见图1。图1.
中央媒体采访团走进光谷调研“中国制造2025”
11月11日，由人民日报、新华社、光明日报、经济日报、中国日报、中央电视台、中新社等媒体组成的“中国制造2025调研行”采访团来到光谷，近60名媒体记者一起参观了光谷展示中心、长飞公司等地，了解光谷创新发展情况。 东湖高新区是我国第二个自主创新示范区，诞生了我国第一根光纤、第一套光传输系统
存内计算，未来智能技术发展必经之路
存内计算由于突破传统冯·诺依曼架构瓶颈，实现了存储单元与逻辑单元的融合，成为实现智能计算的主要技术路线之一，受到业界龙头大厂的高度重视。在近日召开的国际固态半导体电路会议（ISSCC）上，SK海力士发表了基于GDDR接口的DRAM存内计算，台积电共发表（或合作发表）6篇有关存内计算存储器IP的论文。
原子级工艺实现纳米级图形结构的要求（二）
原子层刻蚀有助于减少这些随机缺陷的影响。因为它在自限性步骤中逐层进行，而且因为工艺步骤将化学活性物质与高能离子相分离，因此原子层刻蚀不会产生传统的刻蚀工艺中出现的粗糙的镶边层。更重要的是，原子层刻蚀与原子层沉积的重复循环，能够降低EUV中随机缺陷引起的粗糙度。凹凸表面比平面具有较高的表面体积比，这就
纳米限制结构相变存储器成功开发
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究团队基于12英寸集成工艺，开发出纳米限制结构相变存储器。该团队通过优化器件集成工艺，在12英寸晶圆上制备出嵌入式纳米加热电极，实现了超过1.0×1011次的器件循环擦写次数，较传统器件结构提升了1000倍，刷新了蘑菇型结构相变存储器的循环擦写纪录。科研人
储存和存储器的不同特性比较
目前最广泛使用的数字储存装置是硬盘（HDD），但它受欢迎的程度正迅速下滑…数字数据储存正历经强大的成长态势，2016年即已增加到超过10，000艾位元组（Exabyte；EB）或10皆位元组（Zettabyte；ZB）的电子数据。值得一提的是，在位元的次方单位表中，目前只剩下“佑位元组”（Y
关于傅里叶变换的存储器控制介绍
因FFT是为时序电路而设计的，因此，控制信号要包括时序的控制信号及存储器的读写地址，并产生各种辅助的指示信号。同时在计算模块的内部，为保证高速，所有的乘法器都须始终保持较高的利用率。这意味着在每一个时钟来临时都要向这些单元输入新的操作数，而这一切都需要控制信号的紧密配合。 为了实现FFT的流形
我国科学家开发出超低功耗铁电存储器新技术
北京大学电子学院邱晨光研究员-彭练矛院士团队日前成功研制出“纳米栅超低功耗铁电晶体管”，通过引入纳米栅极电场汇聚增强效应将铁电晶体管工作电压降低至0.6V，能耗降低至0.45 fJ/μm，是目前国际上尺寸最小、功耗最低的铁电晶体管。该研究成果近日在线发表于Science Advances。研究成果在
上海微系统所团队在超导存储器件研究取得进展
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员陈垒、王镇提出了一种新型3D nano-SQUID超导存储器件，发现利用其特有的偏离正弦函数的电流-位相关系。研究结果以Miniaturization of the Superconducting Memory Cell via a Three-D
国产相变存储器开启产业化应用
潜心相变存储器研究15年，中科院上海微系统所研究院宋志棠团队在130纳米技术节点相变存储器技术研发取得重大突破。近4年来，通过和珠海艾派克微电子有限公司产学研用协同合作开发的打印机用相变存储器芯片，实现了产业化销售。截至今年6月，该芯片已销售1600万颗。这是记者从6月28日上海微系统所举行的成
主办EXPO－2024上海存储器展官网」
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
IBM研发出最新多位相变存储器
据美国物理学家组织网近日报道，IBM的科学家演示了最新的多位相变存储器，其每个存储格都能长时间可靠地存储多个字节的数据。最新技术让人们朝成本更低、速度更快、更耐用的存储技术前进了一大步，可广泛应用于包括手机在内的消费电子设备、云存储以及对性能要求更高的企业数据存储中。 相变存
新型存储器有望推动存储技术的变革
集成电路，俗称“芯片”，是信息技术产业的核心，被誉为国家的工业粮食。而存储器是存储信息的主要载体，占集成电路市场的四分之一，我国存储器市场占全球市场的一半，但缺乏自主知识产权和人才，导致高密度、大容量存储器完全依赖进口。这给我国的信息安全带来了极大的隐患。 为解决此难题，有一个团队默默耕耘了十
韩企加速抢占高带宽存储器市场
当地时间3月18日至21日，在美国圣何塞举行的英伟达年度开发者会议“GTC 2024”上，韩国半导体企业全面展示了第五代HBM（高带宽存储器）产品，瞄准人工智能（AI）半导体用内存市场展开激烈竞争。英伟达在“GTC 2024”中推出新一代AI半导体产品“Blackwell”，性能较现有产品大幅提升，
一文读懂存储器的工作原理
1、存储器构造存储器就是用来存放数据的地方。它是利用电平的高低来存放数据的，也就是说，它存放的实际上是电平的高、低，而不是我们所习惯认为的1234这样的数字，这样，我们的一个谜团就解开了，计算机也没什么神秘的吗。图1让我们看图1。单片机里面都有这样的存储器，这是一个存储器的示意图：一个存储器就象一个
电子天平数据存储器功能解析
电子天平内部具有微处理器、计数器、一定容量的数据存储器RAM、程序存储器ROM、总线、输入/输出接口以及其它多种功能器件。主要功能的介绍如下： 1、中央处理单元CPU。中央处理单元CPU是将运算器、控制器和寄存器组等功能部件，通过内部总线集成在一块硅片上，CPU具有如下功能：可
韩企加速抢占高带宽存储器市场
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为什么在NAND闪存存储系统中实现低故障率不仅需要强...
为什么在NAND闪存存储系统中实现低故障率不仅需要强大的ECC代码？ 该行业非常重视单个ECC代码的强度：但经常被忽视的是错误预防的强度，这在纠正甚至发挥作用之前是重要的我们如何在基于NAND闪存的系统中实现最低的故障率？您可能已在工程团队或存储系统供应商之间进行过此次讨论。正在采取哪些措施来
三星2023年净利润下滑72％，等待存储行业穿越周期
在2023年的四季度，存储行业终于显示出增势，逆势上涨。三星发布的财报显示，尽管全年销售收入同比下滑14.32%，净利润同比下滑72.17%，但存储和晶圆代工业务（DS业务）以及以显示面板为主的SDC业务在四季度出现逆势上涨。存储业务同比和环比均领涨所有业务，显示半导体产业链上游的复苏态势。此前的存
太字节数据“塞进”毫米级存储器
美国芝加哥大学研究人员开发出一种创新性的存储技术，利用晶体内的单原子缺陷来表示数据存储中的二进制数“1”和“0”，将几个太字节（TB）的数据存储在边长仅为1毫米大小的晶体立方体中。相关论文发表在最新一期《纳米光子学》杂志上。 研究中使用的晶体在紫外线下充电。芝加哥大学普利兹克分子工程学院实验室
非易失性存储器国际研讨会在上海落幕
由国际电子电气工程师学会主办、中科院上海微系统与信息技术研究所和新加坡数据学院共同承办的第11届非易失性存储器国际研讨会于11月9日在上海落幕。来自美、俄、日等10个国家和地区的200多位专家学者和产业界人士，围绕非易失性存储器领域的最新进展进行了研讨。 与易失性存储器相比，非易失性存储器具有
－DNA变身超级存储器－保存信息可达百万年
腾讯科学讯 据国外媒体报道，科学家们已经在数字存储领域获得突破，能够让信息在单一DNA分子中储存百万年。这项突破能够让我们建立数字档案馆，以DNA的形式存储所有信息，这种方法理论上能够让信息保存数十万年，而且不会出现任何数据丢失。 瑞士联邦理工学院的Robert Grass和同事们称，他们已经
中国科大实现毫秒级可集成量子存储器
中国科学技术大学郭光灿院士团队的李传锋、周宗权研究组基于团队原创的无噪声光子回波方案，将可集成量子存储器的存储时间从10微秒级提升至毫秒级，同时成功突破了传统光纤延迟线的效率。3月26日，该成果发表于《科学-进展》。 光量子存储器作为克服信道损耗、构建大尺度量子网络的核心器件，其规模化应用需实
为高性能FPGA平台选择最佳存储器（一）
在演算法交易领域的最新进展是导入一些更低延迟的解决方案，其中最佳的方式是使用FPGA搭建的客制硬体。这些FPGA硬体可说是硬编码ASIC的极致性能和CPU的灵活度之间的桥梁，提供大量的资源且可加以配置，使其得以较软体解决方案更大幅缩短往返交易延迟。 高性能运算对于许多应用至关重要。在其
为高性能FPGA平台选择最佳存储器（二）
另一个资料集－订单簿－是所有订单的资料库，包含交易系统需要维护的符号和价格。这个资料库通常根据交易客户感兴趣的证券而包含所有金融工具的一部份。订单簿必须根据从客户而来的资讯同步进行更新与存取。订单簿中的相关资料与从交易所收到的资料进行比较，然后再根据交易演算法做出买、卖或保留金融工具的决策。
关于全站仪的存储器等部件介绍
1、键盘 键盘是全站仪在测量时输入操作指令或数据的硬件，全站型仪器的键盘和显示屏均为双面式，便于正、倒镜作业时操作。 2、存储器 全站仪存储器的作用是将实时采集的测量数据存储起来，再根据需要传送到其它设备如计算机等中，供进一步的处理或利用，全站仪的存储器有内存储器和存储卡两种。 全站仪内
碳纳米管光电传感存储器件问世
电荷耦合器件（CCD）与电荷存储器件（Memory）作为现代电子系统中两个独立分支分别沿着各自的路径发展，同时具备光电传感和存储功能的碳基原型器件尚未见报道。近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心联合中科院苏州纳米所、吉林大学，于《先进材料》（Advanced Materials）在
微电子所在阻变存储器研究中取得新进展
近日，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道（Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based R
我国学者在阻变器件电流保持特性调控研究中取得新进展
近日，中国科学院微电子研究所刘明院士团队及其合作者（中国科学院上海微系统与信息技术研究所狄增峰课题组、武汉大学肖湘衡课题组等）在阳离子基阻变器件电流-保持特性调控上取得重要进展。图1：石墨烯缺陷工程调控所得高驱动电流、低保持特性易失性选择器及低操作电流、高保持特性非易失性存储器的特征I-V曲线