我国在3DNAND存储器研发领域取得标志性进展
近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会（ICTech Summit 2017）上介绍，32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求。该款存储器芯片由长江存储与微电子所三维存储器研发中心联合开发，在微电子所三维存储器研发中心主任、长江存储NAND技术研发部项目资深技术总监霍宗亮的带领下，成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。 在大数据需求驱动下，存储器芯片已是电子信息领域占据市场份额最大的集成电路产品。我国在存储器芯片领域长期面临市场需求大而自主知识产权和关键技术缺乏的困境，开展大容量存储技术的研究和相关产品研制迫在眉睫。传统平面型NAND存储器在降低成本的同时面临单元间串扰加剧和单......阅读全文
纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储验收会召开
9月29日，重大科学研究计划“纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究”课题验收会在中国科学院微电子研究所召开。中国科学院吴德馨院士、解思深院士、李树深院士、高鸿钧院士，南京大学郑有炓院士、施毅教授，国家外国专家局马俊如研究员，北京大学薛增泉教授、朱星教授，国家自然科学基金委员会何杰研究员，
先进CMOS工艺一览（一）
2020年6月15日至18日（美国时间，第二天为日本时间）举行了“ 2020年技术与电路专题讨论会（VLSI 2020年专题讨论会）”，但实际上所有的讲座录了视频，并可付费观看至2020年8月底。如果像过去那样在酒店场所召开会议，则您只能参加众多平行会议中的一个会议。但是以视频点播形式，您可
存储行业二季度有望继续上行－上市公司紧抓机遇拓市场
2024年第二季度，存储行业有望延续上行趋势。据TrendForce集邦咨询预计，第二季度NANDFlash（闪存存储器）合约价将强势上涨约13%至18%，DRAM（动态随机存取存储器）价格涨幅约3%至8%。 产业链部分企业率先感受到市场暖意。近日，上市公司佰维存储表示，当前行业迎来景
国科大等：二维半导体新成果登上Nature
创新方法打破硅基逻辑电路的底层“封印”经过数十年发展，半导体工艺制程已逐渐逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路以实现三维集成技术的突破，已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离
国科大等：二维半导体新成果登上Nature
经过数十年发展，半导体工艺制程已逐渐逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路以实现三维集成技术的突破，已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，难以实现在一层离子注入的
闪存技术大餐——架构/颗粒/接口/可靠性全面解析架（二）
SSD接口技术 我们知道闪存磁盘是在HDD以后出现的，由于SSD优异的随机性能、越来越大的容量和越来越低的成本等优势，使得闪存热度上升、乃至替换HDD的趋势。由于历史继承性等原因，SSD在设计是也是借鉴了部分HDD技术，包含接口技术，现在绝大多数SSD都是采用SATA/SAS接口。SATA接口
微电子所揭示阻变存储器失效机制
近日，中国科学院微电子研究所刘明课题组在阻变存储器（RRAM）研究方向取得新进展，揭示了阳离子基阻变存储器复位失效现象的微观机制，通过增加离子阻挡层，改善了器件的可靠性，主要研究成果于10月17日发表在《先进材料》（Advanced Materials，DOI: 10.1002/adma.201
院企合作突破相变存储器关键技术
今天，记者从中科院上海微系统与信息技术研究所获悉，该所联合中芯国际集成电路制造（上海）有限公司开展的相变存储器（PCRAM）研究，在130纳米技术节点相变存储器技术方面取得重大突破。近四年来，合作双方与珠海艾派克微电子有限公司合作开发的打印机用PCRAM芯片取得工程应用突破，实现了产业化销售。
高维固态量子存储器研制成功
中国科学技术大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室李传锋研究组，在固态系统中首次实现对三维量子纠缠态的量子存储，保真度高达99.1％，存储带宽达1千兆赫，存储效率为20％，而且该存储器具有对高达51维的量子态的存储能力。该成果发表在近日物理学国际权威期刊《物理评论快报》上。 远程量子纠缠
官网2024全球存储器芯片(深圳)博览会
参展申请:2024深圳半导体展会 2024深圳国际半导体展火热招商中 深圳半导体展|半导体芯片展会|半导体材料设备展览会 2024中国(深圳)国际半导体展览会 2024中国深圳半导体展会|半导体材料与设备制造展 深圳·2024半导体博览会 深圳半导体显示博览会2024_官网 深圳半导体展|2
新自旋电子存储器写入效率提高二十倍
据美国物理学家组织网近日报道，由新加坡国立大学工程师领导的国际团队，研发出一种新型自旋电子存储装置。与现有商用自旋电子存储器相比，新设备操控数字信息的效率以及稳定性分别提升了20倍和10倍，有望加速自旋存储设备的商业化发展。 新设备由新加坡国立大学与日本丰田技术研究所、名古屋大学和韩国首尔大学
物理所基于忆耦器实现非易失性多态存储
随着摩尔定律的失效，基于半导体集成电路的信息技术已逐步逼近物理极限，后摩尔时代的信息技术亟待全新的范式和原理。现代计算机自问世以来一直采用冯·诺依曼结构，即运算器与存储器分离，这种结构使得运算器与存储器之间的数据传输成为影响系统性能的瓶颈（称为冯·诺依曼瓶颈），大大限制了计算机性能的提高；同时，
3D打印技术
3D打印技术，是一种以数字模型文件为基础，运用粉末状金属或塑料等可粘合材料，通过逐层打印的方式来构造物体的技术。它无需机械加工或任何模具，就能直接从计算机图形数据中生成任何形状的零件，从而极大地缩短产品的研制周期，提高生产率和降低生产成本。灯罩、身体器官、珠宝、根据球员脚型定制的足球靴、赛车零件
3D碳纳米管计算机芯片问世
美国研究人员表示，他们使用碳纳米管替代硅为原料，让存储器和处理器采用三维方式堆叠在一起，降低了数据在两者之间的时间，从而大幅提高了计算机芯片的处理速度，运用此方法研制出的3D芯片的运行速度有可能达到目前芯片的1000倍。 研究人员之一、斯坦福大学电子工程学博士候选人马克斯·夏拉克尔解释道，阻
“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过验收
12月20日，国家“十一五”863计划新材料领域“相变随机存储器存储材料及关键技术”重点课题通过科技部组织的验收。科技部高技术研究中心材料处处长史冬梅，以及清华大学潘峰教授、南京大学刘治国教授、华东师范大学孙卓教授、中科院上海技术物理所陆卫研究员、吉林师范大学杨景海教授等验收专家出席了会议。课题
关于2024上海国际存储器展览会开展通知|
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
碳纳米管有望实现存储器微型化
耗电量极低 能以高速记录信息 英国科学家发现，将两根碳纳米管套在一起将能够最终产生使用二进制编码保存信息所需的“1”或“0”状态。 自从1958年发明集成电路以来，计算机产业的发展趋势就是使硬件体积越变越小。如今，英国科学家正在尝试用性能独特的碳纳米管来生产低成本、小体积的存储器
我国成功研制80纳米“万能存储器”核心器件
想必大家都曾经遭遇过电脑突然断电，因数据未及时保存后悔不已；或是因为手机待机时间太短而莫名焦虑……这些尴尬有望避免。记者日前获悉，北京航空航天大学电子信息工程学院教授赵巍胜与中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超联合团队经过三年攻关，成功制备国内首个80纳米自旋转移矩-磁随机存储器器件
高性能铁电畴壁信息存储器新方法
华南师范大学华南先进光电子研究院教授高兴森团队联合南京大学教授刘俊明等，提出了一种构筑高性能铁电畴壁信息存储器的新方法。相关研究近日发表于《先进材料》。 随着人工智能和大数据等新兴领域的发展，人们对高性能信息技术的需求也日益增长。然而，在当前器件持续微型化的趋势下，传统的信息载体和技术途径在不久
2024上海国际存储器展「时间/地点/展览馆」
电子元器件展，电子仪器仪表展，电子仪器仪表展，电子元器件展，电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，电子仪器展，电仪器展览会，继电器展，电容器展，连接器展，集成电路展2024上海国际电子元器件材料设备展览会地点：上海国际博览中心2024年11月18-20日【指导单位】中国电子器材有限公
《组委会》「通知」芯片展2025深圳国际存储器芯片展
2025深圳半导体展暨中国电子信息博览会（CITE）即将于4月9日至11日在深圳会展中心盛大开幕。本届博览会以“深化交流与合作，推动产业创新发展”为主题，通过九大展馆的全面展示，为全球半导体行业带来一场交流与合作的盛宴。本届展会将重点打造半导体产业链馆和新型显示及应用馆，全面展示IC设计、半导体材料
这种新材料为什么能实现稳定波导光存储器
近日，来自中国科技大学量子信息研究所的研究人员们报告了在151Eu3+:Y2SiO5晶体中使用飞秒激光微加工制作II型波导，并验证了基于该波导的光量子存储器的可靠性。图：实验装置示意图。主激光束被分成两部分，分别作为制备模式、控制模式和输入模式。输入模式可以通过自旋波AFC方案中的输入1模式注入
存储器老化测试系统ITT－B3000ES共享
仪器名称：存储器老化测试系统-IT&T B3000ES仪器编号：18026683产地：156生产厂家：IT&T CO.,Ltd型号：B3000ES出厂日期：购置日期：2018/10/25所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>高精尖放置地点：荷清大厦高精尖一层实验室固定电话：固定手机：15510039
芯片产业迎来转折点？全球半导体业即将回暖？
02 复苏说 7月6日，美国半导体行业协会（SIA）发布了5月全球半导体业的营收数据，同比下降了21.1%，但环比增长了1.7%，值得注意的是，这已经是连续第三个月小幅增长，引发了人们对下半年市场反弹的乐观预期。 从地区来看，虽然同比多为负增长，但环比趋暖迹象明显，中国增长3.9%，欧洲增长
3D打印技术封锁
湖南省科技厅今天组织专家对“激光烧结用碳纤维复合材料的研发与应用”重大专项进行现场综合验收，与会专家对该重大专项的研究成果表示高度赞赏并一致通过。该重大专项打破了欧美国家对3D打印领域的技术封锁，推动了我国增材制造产业发展。 湖南华曙高科有限责任公司承担的“激光烧结用碳纤维复合材料的研发与应用
3D打印肾肿瘤
大多数患者都依靠他们的医生破译CT扫描中的黑色，白色和灰色图像获取自己肾脏信息。但是，如果患者能有（由CT图像制作的）自己肾脏的3D模型？那么，他们获取的信息将更加全面清晰。 到目前为止，在杜兰大学泌尿外科部接受治疗的6例患者在手术前，已经看到了他们肾癌的3D模型。 紫外线激光器使用树脂材料
AlgiMatrix™－3D－Culture－System
实验概要The AlgiMatrix™ 3D Culture System is an animal origin-free bioscaffold that facilitates three-dimensional (3D) cell culture. Each bioscaffold is
“半导体相变存储器”等三个项目结题验收
上海市科学技术委员会、中国科学院前沿科学与教育局： 重大科学研究计划“半导体相变存储器”等3个项目（项目清单见附件）实施期满，根据《国家重点基础研究发展计划管理办法》的要求，应进行结题验收。结题验收工作分为课题验收和项目验收两个阶段。课题验收由项目首席科学家会同项目依托部门组织，于10月20日
物理所等在阻变存储器研究中取得进展
阻变存储器是利用薄膜材料在电激励条件下薄膜电阻在不同电阻状态（高阻态和低阻态）之间的互相转换来实现数据存储的，具有单元尺寸小、读写速度快、功耗低、制备工艺和器件结构简单等优点。理解高低组态相互转化的微观机制对于设计和优化阻变存储器是至关重要的。目前，对于导电桥类型的阻变存储器的阻态翻转机理，如导
上海微系统所三维存储器设计取得进展
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组在三维存储器设计领域取得进展，研究成果以A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM为题，发表在IEEE Transaction