上海微系统所三维存储器设计取得进展
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组在三维存储器设计领域取得进展，研究成果以A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM为题，发表在IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs上。 相变存储器利用电脉冲诱导存储材料在非晶态与晶态之间切换，具有非挥发性、循环寿命长、写入速度快、稳定性好、功耗低等优点，被业界认为是下一代存储技术的最佳解决方案之一。 三维集成技术通过芯片或器件在垂直方向的堆叠，可显著增加芯片集成度，是延续摩尔定律的一种重要技术。其中，一种交叉堆叠(cross point)的三维存储结构被广泛应用于非易失存储器。 当前，三维新型非易失存储器的研究集中在器件和阵列层面。与传统的二维存储器不同，三......阅读全文
太字节数据“塞进”毫米级存储器
美国芝加哥大学研究人员开发出一种创新性的存储技术，利用晶体内的单原子缺陷来表示数据存储中的二进制数“1”和“0”，将几个太字节（TB）的数据存储在边长仅为1毫米大小的晶体立方体中。相关论文发表在最新一期《纳米光子学》杂志上。 研究中使用的晶体在紫外线下充电。芝加哥大学普利兹克分子工程学院实验室
中国科大实现毫秒级可集成量子存储器
中国科学技术大学郭光灿院士团队的李传锋、周宗权研究组基于团队原创的无噪声光子回波方案，将可集成量子存储器的存储时间从10微秒级提升至毫秒级，同时成功突破了传统光纤延迟线的效率。3月26日，该成果发表于《科学-进展》。 光量子存储器作为克服信道损耗、构建大尺度量子网络的核心器件，其规模化应用需实
为高性能FPGA平台选择最佳存储器（二）
另一个资料集－订单簿－是所有订单的资料库，包含交易系统需要维护的符号和价格。这个资料库通常根据交易客户感兴趣的证券而包含所有金融工具的一部份。订单簿必须根据从客户而来的资讯同步进行更新与存取。订单簿中的相关资料与从交易所收到的资料进行比较，然后再根据交易演算法做出买、卖或保留金融工具的决策。
高维固态量子存储器研制成功
中国科学技术大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室李传锋研究组，在固态系统中首次实现对三维量子纠缠态的量子存储，保真度高达99.1％，存储带宽达1千兆赫，存储效率为20％，而且该存储器具有对高达51维的量子态的存储能力。该成果发表在近日物理学国际权威期刊《物理评论快报》上。 远程量子纠缠
官网2024全球存储器芯片(深圳)博览会
参展申请:2024深圳半导体展会 2024深圳国际半导体展火热招商中 深圳半导体展|半导体芯片展会|半导体材料设备展览会 2024中国(深圳)国际半导体展览会 2024中国深圳半导体展会|半导体材料与设备制造展 深圳·2024半导体博览会 深圳半导体显示博览会2024_官网 深圳半导体展|2
微电子所揭示阻变存储器失效机制
近日，中国科学院微电子研究所刘明课题组在阻变存储器（RRAM）研究方向取得新进展，揭示了阳离子基阻变存储器复位失效现象的微观机制，通过增加离子阻挡层，改善了器件的可靠性，主要研究成果于10月17日发表在《先进材料》（Advanced Materials，DOI: 10.1002/adma.201
新自旋电子存储器写入效率提高二十倍
据美国物理学家组织网近日报道，由新加坡国立大学工程师领导的国际团队，研发出一种新型自旋电子存储装置。与现有商用自旋电子存储器相比，新设备操控数字信息的效率以及稳定性分别提升了20倍和10倍，有望加速自旋存储设备的商业化发展。 新设备由新加坡国立大学与日本丰田技术研究所、名古屋大学和韩国首尔大学
院企合作突破相变存储器关键技术
今天，记者从中科院上海微系统与信息技术研究所获悉，该所联合中芯国际集成电路制造（上海）有限公司开展的相变存储器（PCRAM）研究，在130纳米技术节点相变存储器技术方面取得重大突破。近四年来，合作双方与珠海艾派克微电子有限公司合作开发的打印机用PCRAM芯片取得工程应用突破，实现了产业化销售。
AFM－三维形貌观测
三维形貌观测通过检测探针与样品间的作用力可表征样品表面的三维形貌，这是AFM 最基本的功能。AFM 在水平方向具有0.1-0.2nm 的高分辨率，在垂直方向的分辨率约为0.01nm。尽管AFM 和扫描电子显微镜（SEM）的横向分辨率是相似的，但AFM 和SEM 两种技术的最基本的区别在于处理试样深
电镜三维重构理论
电镜三维重构理论D.De Rosier和A.Klug提出的三维重构理论是借助一系列沿不同方向投影的电子显微像来重构被测物体的立体构型；他们提出利用计算机数字图像处理技术进行电子显微像三维重构测定生物大分子结构的概念和方法。电镜三维重构思想的数学基础是傅立叶变换的投影与中央截面定理。中央截面定理的含
三维离子阱简介
三维离子阱，由一对环形电极（ring electrod）和两个呈双曲面形的端盖电极（end cap electrode）组成。在环形电极上加射频电压或再加直流电压，上下两个端盖电极接地。逐渐增大射频电压的最高值，离子进入不稳定区，由端盖极上的小孔排出。因此，当射频电压的最高值逐渐增高时，质荷比从
工业CT三维扫描
工业CT是工业用计算机断层成像技术的简称，采用辐射成像原理，实现对产品的非接触式三维高精度扫描成像，可获得产品内部高精度的三维断层数据和材料数据，清晰、准确、直观地展示被检测物体内部的结构、组成、材质及缺损状况。目 的：在不破坏零件的前提下通过CT技术重建零件的三维模型，进行材料缺陷分析、无损测量、
三维荧光光谱
三维荧光光谱（Three-dimensional excitation emission matrix fluorescence spectroscopy, 3DEEM），也可称为总发光光谱或激发－发射矩阵图，与常规荧光光谱技术的主要区别是能够普获得激发波长和发射波长同时变化时的荧光强度信息。三维荧
中国科大在国际上首次研制成功高维固态量子存储器
记者8月19日从中国科大获悉，该校科研人员在国际上首次研制成功高维固态量子存储器，成果发表在最新一期物理学国际权威期刊《物理评论快报》上。 据介绍，中科院量子信息重点实验室李传锋研究组，在固态系统中首次实现对三维量子纠缠态的量子存储，保真度高达99.1%，存储带宽达1千兆赫，存储效率为20%，
科学家提出一种单质新原理开关器件
中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠、朱敏研究团队在集成电路存储器研究领域获重大进展，成功研制出一种单质新原理开关器件，为海量三维存储芯片提供了新方案。这项研究成果12月10日发表于《科学》。 集成电路是我国的战略性、基础性和先导性产业，其中存储芯片是集成电路的三大芯片之一，直接关系到国
我国科学家在阻变存储器集成应用研究获进展
中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。（a）28nm RRAM 1Mb芯片版图；（b）28nm RRAM单元TEM界面图8层堆叠RRAM截面图 以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后
关于2024上海国际存储器展览会开展通知|
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
高性能铁电畴壁信息存储器新方法
华南师范大学华南先进光电子研究院教授高兴森团队联合南京大学教授刘俊明等，提出了一种构筑高性能铁电畴壁信息存储器的新方法。相关研究近日发表于《先进材料》。 随着人工智能和大数据等新兴领域的发展，人们对高性能信息技术的需求也日益增长。然而，在当前器件持续微型化的趋势下，传统的信息载体和技术途径在不久
碳纳米管有望实现存储器微型化
耗电量极低 能以高速记录信息 英国科学家发现，将两根碳纳米管套在一起将能够最终产生使用二进制编码保存信息所需的“1”或“0”状态。 自从1958年发明集成电路以来，计算机产业的发展趋势就是使硬件体积越变越小。如今，英国科学家正在尝试用性能独特的碳纳米管来生产低成本、小体积的存储器
这种新材料为什么能实现稳定波导光存储器
近日，来自中国科技大学量子信息研究所的研究人员们报告了在151Eu3+:Y2SiO5晶体中使用飞秒激光微加工制作II型波导，并验证了基于该波导的光量子存储器的可靠性。图：实验装置示意图。主激光束被分成两部分，分别作为制备模式、控制模式和输入模式。输入模式可以通过自旋波AFC方案中的输入1模式注入
我国成功研制80纳米“万能存储器”核心器件
想必大家都曾经遭遇过电脑突然断电，因数据未及时保存后悔不已；或是因为手机待机时间太短而莫名焦虑……这些尴尬有望避免。记者日前获悉，北京航空航天大学电子信息工程学院教授赵巍胜与中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超联合团队经过三年攻关，成功制备国内首个80纳米自旋转移矩-磁随机存储器器件
2024上海国际存储器展「时间/地点/展览馆」
电子元器件展，电子仪器仪表展，电子仪器仪表展，电子元器件展，电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，电子仪器展，电仪器展览会，继电器展，电容器展，连接器展，集成电路展2024上海国际电子元器件材料设备展览会地点：上海国际博览中心2024年11月18-20日【指导单位】中国电子器材有限公
上海微系统所团队在超导存储器件研究取得进展
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员陈垒、王镇提出了一种新型3D nano-SQUID超导存储器件，发现利用其特有的偏离正弦函数的电流-位相关系。研究结果以Miniaturization of the Superconducting Memory Cell via a Three-D
存储器老化测试系统ITT－B3000ES共享
仪器名称：存储器老化测试系统-IT&T B3000ES仪器编号：18026683产地：156生产厂家：IT&T CO.,Ltd型号：B3000ES出厂日期：购置日期：2018/10/25所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>高精尖放置地点：荷清大厦高精尖一层实验室固定电话：固定手机：15510039
“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过验收
12月20日，国家“十一五”863计划新材料领域“相变随机存储器存储材料及关键技术”重点课题通过科技部组织的验收。科技部高技术研究中心材料处处长史冬梅，以及清华大学潘峰教授、南京大学刘治国教授、华东师范大学孙卓教授、中科院上海技术物理所陆卫研究员、吉林师范大学杨景海教授等验收专家出席了会议。课题
《组委会》「通知」芯片展2025深圳国际存储器芯片展
2025深圳半导体展暨中国电子信息博览会（CITE）即将于4月9日至11日在深圳会展中心盛大开幕。本届博览会以“深化交流与合作，推动产业创新发展”为主题，通过九大展馆的全面展示，为全球半导体行业带来一场交流与合作的盛宴。本届展会将重点打造半导体产业链馆和新型显示及应用馆，全面展示IC设计、半导体材料
Nature：三维计算机方法成功构建基因活性三维图谱
一种三维计算机模型（或者说算法）使得科学家们能够快速地确定哪些基因在哪些细胞中有活性，以及它们在器官中的精确位置。在一项新的研究中，德国亥姆霍兹协会马克斯-德尔布吕克分子医学中心的Nikolaus Rajewsky教授、以色列希伯来大学的Nir Friedman教授及其团队近期在Nature期刊
思看三维扫描仪高精度三维测量的运用领域
思看三维扫描仪高精度三维测量的运用领域 1.模具检测 思看三维扫描仪高精度三维测量的运用领域在模具的质量评估常常需要进行首件检测和产品检测，三维扫描仪可以协助模具制造商在模具成型阶段进行快速质量评估。思看科技的扫描检测软件ScanViewer通过比对扫描数据和原型图纸生成尺寸偏差
三维扫描仪简介
三维扫描仪（3D scanner）是一种科学仪器，用来侦测并分析现实世界中物体或环境的形状（几何构造）与外观数据（如颜色、表面反照率等性质）。搜集到的数据常被用来进行三维重建计算，在虚拟世界中创建实际物体的数字模型。这些模型具有相当广泛的用途，举凡工业设计、瑕疵检测、逆向工程、机器人导引、地貌测
三维检测扫描仪
三维检测扫描仪是一种用于机械工程领域的仪器，于2016年12月02日启用。 技术指标 测量范围: 13 x 10 x 3 mm3 数据采集时间: 2s/4s 数据分析计算时间: 4s 深度方向分辨率:1 μm 横向分辨率:8 μm。 主要功能 测量控制以及数据显示 1. 照相机测量界面显