XPS表征的是样品的表面还是体相？
XPS是一种典型的表面分析手段。其根本原因在于：尽管X射线可穿透样品很深, 但只有样品近表面一薄层发射出的光电子可逃逸出来。样品的探测深度（d）由电子的逃逸深度（λ, 受X射线波长和样品状态等因素影响）决定，通常，取样深度d = 3λ。对于金属而言λ为0.5-3 nm;无机非金属材料为2-4 nm; 有机物和高分子为4-10 nm。......阅读全文
XPS表征的是样品的表面还是体相？
XPS是一种典型的表面分析手段。其根本原因在于：尽管X射线可穿透样品很深, 但只有样品近表面一薄层发射出的光电子可逃逸出来。样品的探测深度（d）由电子的逃逸深度（λ, 受X射线波长和样品状态等因素影响）决定，通常，取样深度d = 3λ。对于金属而言λ为0.5-3 nm;无机非金属材料为2-4 nm;
XPS与EDS表征结果中元素含量不一致
合成了金银纳米簇，进行XPS和EDS表征。审稿人问，为什么我的XPS和EDS表征结果中，金元素和银元素含量相差很多？？？确实是，XPS结果中金银比例差不多1:1，而EDS出来的结果中，银的含量相对金来说，非常低。我认为这两种表征都是半定量的，这种含量很不准确。所以写文章的时候压根没考虑到这个问题，现
XPS与EDS表征结果中元素含量不一致
合成了金银纳米簇，进行XPS和EDS表征。审稿人问，为什么我的XPS和EDS表征结果中，金元素和银元素含量相差很多？？？确实是，XPS结果中金银比例差不多1:1，而EDS出来的结果中，银的含量相对金来说，非常低。我认为这两种表征都是半定量的，这种含量很不准确。所以写文章的时候压根没考虑到这个问题，现
高分子领域常用的表征方法之X射线光电子能谱仪（XPS）
XPS技术已被公认为研究固态聚合物的结构与性能最好的技术之一。它不但可以研究简单的均聚物，而且可以研究共聚物、交联聚合物和共混物聚合物。在对黏结、聚合物降解以及聚合物中添加剂的扩散、聚合物表面化学改性、等离子体和电晕放电表面改性等工艺的应用得到了很多重视，已显示出良好的应用前景。
XPS能谱仪XPS谱图分析技术
在XPS谱图中,包含极其丰富的信息,从中可以得到样品的化学组成,元素的化学状态及其各元素的相对含量。XPS谱图分为两类,一类是宽谱(wide)。当用AlKα或MgKα辐照时,结合能的扫描范围常在0-1200eV或 0-1000eV。在宽谱中,几乎包括了除氢和氦元素以外的所有元素的主要特征能量的光电子
xps－样品要求
定性分析首先扫描全谱，由于荷电存在使结合能升高，因此要通过C结合能284.6eV对全谱进行荷电校正，然后对感兴趣的元素扫描高分辨谱，将所得结果与标准图谱对照，由结合能确定元素种类，由化学位移确定元素得化学状态，为了是结果准确在每一次扫描得结果分别进行荷电校正。XPS谱图中化学位移的分析一般规律为：1
XPS应用举例
（1）例1 硅晶体表面薄膜的物相分析对薄膜全扫描分析得下图，含有Zn和S元素，但化学态未知。为得知Zn和S的存在形态，对Zn的最强峰进行窄扫描，其峰位1022eV比纯Zn峰1021.4eV更高，说明Zn内层电子的结合能增加了，即Zn的价态变正，根据含有S元素并查文献中Zn的标准谱图，确定薄膜中Zn是
XPS图谱解释
（1）谱线识别X射线入射在样品上，样品原子中各轨道电子被激发出来成为光电子。光电子的能量统计分布（X射线光电子能谱）代表了原子的能级分布情况。不同元素原子的能级分布不同，X射线光电子能谱就不同，能谱的特征峰不同，从而可以鉴别不同的元素。电子能量用E = Enlj 表示。光电子则用被激发前原来所处的能
颗粒表征
1. 颗粒尺寸激光散射法具体是怎样的，可以举例说明吗激光照射到颗粒上会发生光散射，散射光的强度和角度与颗粒尺寸有关。大颗粒的散射光较强，但散射角度较窄；小颗粒的散射光强度较弱，但角度较宽。将不同角度检测器收集到的光信号，根据数学模型转换成颗粒尺寸。2. 请问DSL测定纳米粒径时，溶液的溶剂，浓度，温
PET表征
塞塔拉姆 DSC131 差示扫描量热仪 - PET表征 实验条件：实验仪器：DSC131样品：聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）样品质量：25.88 mg坩埚：铝坩埚气氛：空气从25℃以10 K.min -1的程序升温速率加热至300℃。 实验结论：从曲线中可以看出：玻璃化转点为75.8℃，其比热容变
XPS测试是什么
x光电子能谱仪.待测物受X光照射后内部电子吸收光能而脱离待测物表面(光电子)，透过对光电子能量的分析可了解待测物组成,XPS主要应用是测定电子的结合能来实现对表面元素的定性分析，包括价态。但是目前标准数据很少，最好用标准物质对照一下。
xps的物理原理
XPS的原理是用X射线去辐射样品，使原子或分子的内层电子或价电子受激发射出来。被光子激发出来的电子称为光电子。可以测量光电子的能量，以光电子的动能/束缚能 binding energy,(Eb=hv光能量-Ek动能-W功函数)为横坐标，相对强度（脉冲/s）为纵坐标可做出光电子能谱图。从而获得试样有关
XPS定性分析
实际样品的光电子谱图是样品中所有元素的谱图组合。根据全扫描所得的光电子谱图中峰的位置和形状，对照纯元素的标准谱图来进行识别。一般分析过程是首先识别最强峰，因C, O经常出现，所以通常考虑C1S和O1S的光电子谱线，然后找出被识别元素的其它次强线，并将识别出的谱线标示出来。分析时最好选用与标准谱图中相
xps的物理原理
XPS的原理是用X射线去辐射样品，使原子或分子的内层电子或价电子受激发射出来。被光子激发出来的电子称为光电子。可以测量光电子的能量，以光电子的动能/束缚能 binding energy,(Eb=hv光能量-Ek动能-W功函数)为横坐标，相对强度（脉冲/s）为纵坐标可做出光电子能谱图。从而获得试样有关
XPS怎么分峰
XPS数据分析及测试亲爱的同学您好！我们提供合理的数据处理结果，保证数据处理的合理性、真实性，但是更进一步数据结果背后所隐含的“真相”，抱歉暂时无法提供服务。详情简介：a. XPS数据分析可以对全谱进行定性定量分析，精细谱定量分析，以及标注拟合元素的化学态、峰位置和含量。b. 此外，XPS数据分析还
小角xrd表征什么，大角xrd又表征什么
小角XRD应该是指小角X射线散射吧（SAXS）一般的2θ
颗粒表征小贴士
人们可以制造各种颗粒，自然界存在更多种类的粒子。而我们需要量子力学或更复杂的理论去解释那些基本的粒子，如中子，电磁学和经典的机械物理学通常足以解释大于1nm的粒子的基本行为。但这并不意味着我们可以轻而易举的预判诸如此类的粒子的行为，科学家几乎每天都能碰到让人眼花缭乱难以捉摸的粒子行为，在这一
X射线光电子能谱—扫描电镜联用表征技术最新进展
科学技术在不断的蓬勃发展，日新月异的创新不仅改变着我们的生活方式，也推动着样品分析表征领域前所未有的进步与探索。目前，在样品分析表征中，仍然存在着多项挑战： 对样品的全面了解通常需要使用不同的仪器进行分析 扫描电子显微镜（SEM）： 提供高空间分辨的样品表面形貌图像，利用配套的X射线能谱分
岛津材料化学研究表征技术研讨会成功举办
2023年12月22日，岛津材料化学研究表征技术研讨会在湖南大学成功举办，会议邀请了各大高校专家老师参与了此次会议。 会议现场湖南大学化工学院书记王双印教授首先致辞，他对参会的各位嘉宾表示了欢迎，岛津公司和湖南大学化学化工学院建有合作实验室，和电催化与电合成实验室亦有很多的互动交流沟通，之前，我们合
XPS测试怎么看
中国科学院山西煤炭化学研究所、中国科学院化学研究所分别在今年7月、11月与岛津签订了高端配置的X射线光电子能谱仪(XPS)的订单。两台仪器分别用于催化剂原位研究及固体表面有机/金属沉积薄膜分析。 针对科学院的高水平分析需求，配置了Ar/C24H12双模式离子枪，该离子枪的C
XPS谱图能量校准
XPS的定性分析和价态分析都是基于光电子谱图中峰位置的能量值。为确保分析的准确性，XPS仪应定期（每工作几个月或半年）进行能量校准。能量校准方法：在实际的工作中，一般选用碳氢化合物(CH2)n中的污染峰C1s峰作参考进行调节，(CH2)n一般来自样品的制备处理及机械泵油的污染。也有人将金镀到样品表面
XPS定量分析
因光电子信号强度与样品表面单位体积的原子数成正比，故通过测量光电子信号的强度可以确定产生光电子的元素在样品表面的浓度。采用相对灵敏度因子法，原理与俄歇电子能谱方法相同，元素X的原子分数为：相对灵敏度因子通常以F1s谱线强度为基准，有峰面积S和峰高h之分，面积法精度高些。因影响因素多，只能半定量。
XPS主要功能
全扫描：取全谱与标准谱线对照，找出各条谱线的归属。以便识别样品中所有元素，并为窄区谱（高分辨谱）的能量设置范围寻找依据。结合能扫描范围1100～0 eV，分辨率2eV。分辨率0.1eV。扫描区间包括待测元素的能量范围，但又没有其他元素的谱线干扰。窄扫描可以得到谱线的精细结构。另外，定量分析最好也用窄
xps原理有什么不同
（1）固体表面的激发与检测 X射线光电子能谱（XPS）：激发源为X射线，用X射线作用于样品表面，产生光电子。通过分析光电子的能量分布得到光电子能谱。用于研究样品表面组成和结构。又称为化学分析光电子能谱法（ESCA）。 紫外光电子能谱（UPS）：激发源为紫外光，只能激发原子的价电子，用于量子化学
XPS测试怎么看
XPS的测试与数据分析 XPS 的样品一般是10mm*10mm* 5mm，也可以更小些，厚度不能超过 5mm。XPS 分析室的真空度可以达到
XPS图谱之鬼峰
有时，由于X射源的阳极可能不纯或被污染，则产生的X射线不纯。因非阳极材料X射线所激发出的光电子谱线被称为“鬼峰”。
怎样分析XPS能谱
PEAKFIT，然后查到各个峰的位置，也就是找到横坐标：结合能（Bindingenergy），再和标准的峰位表进行比对，就可以确定这个峰到底是对应什么元素了。大体就是这个思路，因为我做的是稀磁半导体的掺杂，所以我使用XPS来确定我掺杂物的价态，所以我简要说了我的工作所涉及的步骤，XPS还有其他很多用
XPS图谱荷电校正
当用XPS测量绝缘体或者半导体时，由于光电子的连续发射而得不到电子补充，使得样品表面出现电子亏损，这种现象称为“荷电效应”。荷电效应将使样品表面出现一稳定的电势Vs，对电子的逃离有一定束缚作用。因此荷电效应将引起能量的位移，使得测量的结合能偏离真实值，造成测试结果的偏差。在用XPS测量绝缘体或者半导
xps和eds的区别
原子吸收光谱（Atomic Absorption Spectrometry, AAS） 根据蒸气相中被测元素的基态原子对其原子共振辐射的吸收强度来测定试样中被测元素的含量；适合对纳米材料中痕量金属杂质离子进行定量测定，检测限低 ，ng/cm3，10-10—10-14g；测量准确度很高，1%（3
XPS图谱之卫星峰
常规Ｘ射线源(Al/Mg Kα1,2)并非是单色的，而是还存在一些能量略高的小伴线（Kα3,4,5和Kβ等），所以导致XPS中，除Kα1,2所激发的主谱外，还有一些小的伴峰。