超纯砷化镓电子态遵守量子力学法则
据美国每日科学网站7月27日报道，美国科学家成功制造出了超纯的砷化镓，并让其呈现出某种特殊的状态，在这种状态下，电子不再遵守单粒子的物理学法则而被它们之间的相互作用（由量子力学法则来解释）所掌控，这种超纯材料和状态都有望用于高速量子计算机的研究中。 量子计算机使用电子的量子力学行为来存储和处理信息，与传统计算机相比，其功能更强大、效率更高。这需要让电子处于一种相互关联的状态中，一个电子上的变化立刻会由其他电子反应出来。如果科学家能控制这些过程，就能使用它来制造并行处理以执行经典计算机无法完成的计算。 美国普渡大学的物理学副教授迈克尔·芒弗拉指出，要想捕捉到显微镜内的电子并迫使它们仅仅相互作用，要求材料必须非常纯净，任何杂质都可能导致电子散射并破坏这个脆弱的关联状态。同时，科学家们也必须将电子冷却到相当低的温度并施加磁场来让其达到这种关联状态。 芒弗拉领导的团队设计和制造出了一个名为高流动性砷化......阅读全文
最纯砷化镓半导体面世
美国普林斯顿大学研究人员在《自然·材料》杂志报告称，他们研制出了世界上迄今最纯净的砷化镓。该砷化镓样品的纯度达到每100亿个原子仅含有一个杂质，纯度甚至超过了用于验证一千克标准的世界上最纯净的硅样品。 砷化镓是一种半导体，主要用于为手机和卫星等提供电力。新研究得到的砷化镓样品呈正方形，边长与一
超纯砷化镓电子态遵守量子力学法则
据美国每日科学网站7月27日报道，美国科学家成功制造出了超纯的砷化镓，并让其呈现出某种特殊的状态，在这种状态下，电子不再遵守单粒子的物理学法则而被它们之间的相互作用（由量子力学法则来解释）所掌控，这种超纯材料和状态都有望用于高速量子计算机的研究中。 量子计算机使用电子的量子力
挪威研制最新半导体新材料砷化镓纳米线
挪威科技大学的研究人员近日成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术ZL，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。 以Helge W
砷化镓的结构特性
砷化镓（gallium arsenide）是一种无机化合物，化学式为GaAs，为黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
砷化镓的安全术语
S20/21：When using do not eat, drink or smoke.使用时，不得进食，饮水或吸烟。S28：After contact with skin, wash immediately with plenty of ... (to be specified by the m
砷化镓的毒理资料
GaAs的毒性没有被很完整的研究。因为它含有As，经研究指出，As是剧毒的。但是，因为GaAs的晶体很稳定，所以如果身体吸收了少量的GaAs，其实是可以忽略的。当要做晶圆抛光制程（磨GaAs晶圆使表面微粒变小）时，表面的区域会和水起反应，释放或分解出少许的As。
砷化镓生产方式介绍
GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，在250℃的条件下，光电转换性能仍很良好，其最高光电转换效率约30%，特别适合做高温聚光太阳电池。砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需要采用磊晶技术制造，这种
砷化镓材料的材料特性
GaAs拥有一些较Si还要好的电子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。如果等效的GaAs和Si元件同时都操作在高频时，GaAs会产生较少的噪音。也因为GaAs有较高的崩溃压，所以GaAs比同样的Si元件更适合操作在高功率的场合。因为这些特性，GaAs电路可以运用在移动电话、卫星通讯、
砷化镓的理化性质
密度：5.31g/cm3熔点：1238℃折射率：3.57相对介电常数：13.18电子亲和能：4.07 eV晶格能：5.65×10-10m禁带宽度：1.424e（300K）电子迁移率：8500 cm2/(V·s) （300 K）外观：黑灰色固体
半导体所在砷化镓/锗中拓扑相研究方面获重要发现
中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。 拓扑绝缘体是目前凝聚态物理的前沿热点问题之一。它具有
新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”获得技术ZL
近日挪威科技大学的研究人员成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术ZL，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。 以Helge
“重利用”开启砷化镓新时代
斯坦福大学的研究人员发明了一种可以大大降低生产砷化镓电子设备成本的制造工艺，开辟了砷化镓的新用途。 在电脑芯片、太阳能电池以及其它的电子设备中，半导体一直都是传统的硅材料；硅制成的特殊材料拥有独特的电性能-----可以控制（打开或关闭）电流，就像水龙头控制水流一样。当然，还
砷化镓材料的研究进展
砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优
工业化砷化镓的生产工艺介绍
工业化砷化镓生长工艺包括：直拉法（Cz法）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB法）以及垂直梯度凝固法（VGF法）等。以上方法各有优劣，除了实际工艺制备的方法，另外一种就是通过计算机来实现砷化镓的晶体生长数值模拟，如利用FEMAG/VB能模拟VB、VGF法生长工艺，利用FEMAG/Cz能模拟
什么是砷化镓太阳能电池？
单晶硅是制造太阳能电池的理想材料，但是由于其制取工艺相对复杂，耗能大，仍然需要其他更加廉价的材料来取代。为了寻找单晶硅电池的替代品，人们除开发了多晶硅，非晶硅薄膜太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物，硫化镉，碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。
砷化镓太阳能电池性能详解
砷化镓太阳能电池 GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，在250℃的条件下，光电转换性能仍很良好，其最高光电转换效率约30%，特别适合做高温聚光太阳电池。 砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需
美开发出迄今最小砷化铟镓晶体管
硅半导体作为微芯片之王的日子已经屈指可数了，据物理学家组织网近日报道，美国麻省理工学院科学家开发出了有史以来最小的砷化铟镓晶体管。该校微系统技术实验室科研团队开发的这个复合晶体管，长度仅为22纳米。研究团队近日在旧金山举行的国际电子设备会议上介绍了该项研究成果。 麻省理工学院电气工程和计算
砷化镓太阳能电池有望打破能效记录
据美国物理学家组织网11月8日（北京时间）报道，美国科学家通过与传统科学研究相反的新思路，用砷化镓制造出了最高转化效率达28.4%的薄膜太阳能电池。该太阳能电池效率提升的关键并非是让其吸收更多光子而是让其释放出更多光子，未来用砷化镓制造的太阳能电池有望突破能效转化记录的极限。
实测半导体砷化硼，理论预言“稳了”
7月22日，国家纳米科学中心（以下简称纳米中心）研究员刘新风研究团队在《科学》上发表论文，首次在半导体砷化硼中检测到其电子空穴约化迁移率约 1550 cm2/Vs, 这一测量结果与理论预测值的1680 cm2/Vs 非常接近，有望为半导体砷化硼在集成电路领域的应用提供重要基础数据指导。利用瞬态反射显
国电光伏砷化镓电池通过德国Fraunhofer－ISE检测机构认证
日前，国电光伏科技宣布，公司柔性薄膜砷化镓电池顺利通过德国Fraunhofer ISE检测机构(世界三大权威检测机构之一)认证。 经检测，国电光伏柔性薄膜砷化镓电池转换效率达到34.5%(AM1.5G)，是目前世界上已报道的效率最高的柔性薄膜太阳能电池。 据了解，通过国电光伏自主研发的独特工
科学家研发出砷化镓晶片批量生产技术
新一期英国《自然》杂志报告说，美国研究人员研发出一种可批量生产砷化镓晶片的技术，克服了成本上的瓶颈，从而使砷化镓这种感光性能比硅更优良的材料有望大规模用于半导体和太阳能相关产业。 据介绍，砷化镓是一种感光性能比当前广泛使用的硅更优良的材料，理论上它可将接收到的阳光的40%转
砷化镓pn结注入式激光器的功能介绍
中文名称砷化镓p-n结注入式激光器英文名称gallium arsenide p-n junction injection laser定 义以砷化镓材料构成p-n结，以晶体解理面构成谐振腔，当p-n结中注入大电流，便以平行于结面的方向射出激光的激光器。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科
砷化镓pn结注入式激光器的结构功能
中文名称砷化镓p-n结注入式激光器英文名称gallium arsenide p-n junction injection laser定 义以砷化镓材料构成p-n结，以晶体解理面构成谐振腔，当p-n结中注入大电流，便以平行于结面的方向射出激光的激光器。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科
锑化镓的应用
锑化镓（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半导体，属于闪锌矿、直接带隙材料，其禁带宽度为0.725eV（300K），晶格常数为0.60959nm。GaSbChemicalbook具有优异的物理化学性能，常被用做衬底材料，应用于8~14mm及大于14mm的红外探测器和激
氮化镓半导体材料的应用前景
对于GaN材料，长期以来由于衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，但是器件水平已可实用化。1994年日亚化学所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd蓝光（450nmLED），绿光12cd(520nmLED);日本1998年制定一个采用宽禁带氮化物材料开发LED的 7年规划，其目标是
苏州纳米所基于高效砷化镓电池的聚光光伏发电系统获进展
基于高效砷化镓电池的聚光型光伏发电系统是未来光伏领域的重要发展方向，具有稳定、高效、低成本等诸多优越性。太阳能光伏发电厂有明显的节能减排效果，同时大大减小了土地使用面积，发电系统所覆盖的土地也可以间歇性的受到光照，不影响当地植被的生存，具有就近就地分散发供电，进入和退出电网灵活的
半导体砷化硼有望应用到集成电路领域
7月22日，国家纳米科学中心（以下简称纳米中心）研究员刘新风研究团队在《科学》上发表论文，首次在半导体砷化硼中检测到其电子空穴约化迁移率约 1550 cm2/Vs, 这一测量结果与理论预测值的1680 cm2/Vs 非常接近，有望为半导体砷化硼在集成电路领域的应用提供重要基础数据指导。利用瞬态反射显
科学家首次实验发现类似引力子的粒子
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519926.shtm几十年来，物理学家一直在寻找引力子，即一种被认为携带引力的假想粒子。这些粒子从未在太空中被探测到，但现在，科学家在半导体中发现了类似引力子的粒子。利用它来理解引力子的行为，可能有助于将
美制成兼具电学光学性质的光子晶体
据美国物理学家组织网7月24日报道，美国科学家研发出了一种新方法，改变了半导体的三维结构，使其在保持电学特性的同时拥有了新的光学性质，并据此研制出了首块光学电学性能都很活跃的新型光子晶体，为以后研制出新式太阳能电池、激光器、超材料等打开了大门。研究发表在最新一期《自然·材料学》杂志上。 光子晶
氮化镓半导体材料的优点与缺陷
①禁带宽度大（3.4eV），热导率高（1.3W/cm-K），则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强；②导带底在Γ点，而且与导带的其他能谷之间能量差大，则不易产生谷间散射，从而能得到很高的强场漂移速度（电子漂移速度不易饱和）；③GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁