宁波材料所在无结薄膜晶体管领域取得重要进展
最近，国外科研人员报道了一种新型的无结纳米线晶体管(Nature Nanotechnology. 5, 225 (2010)）。这种晶体管源极和漏极与沟道区之间没有结的存在。相比传统的结型晶体管，无结晶体管的源极、漏极与沟道共用一根重掺杂的硅纳米线，从而大大简化了传统器件的制备工艺并降低了器件的制作成本。遗憾的是，这种无结晶体管通常都是基于多栅的非平面硅纳米线器件结构，工艺上实现起来还需要在绝缘硅衬底（SOI）上利用电子束光刻（EBL）来制作硅纳米线。到目前为止还没有推广到低成本氧化物半导体和薄膜晶体管。 中科院宁波材料技术与工程研究所所属新能源所的万青研究员课题组首次在氧化物体系中制备出高性能的无结共平面栅薄膜晶体管。只要简单地控制磁控溅射ITO的薄膜厚度，就可以一次性完成晶体管的源极、漏极、沟道和栅极的沉积，实现了真正意义上的无结共平面栅薄膜晶体管。 图1(a)显示了无结透明共平面栅薄膜晶......阅读全文
纳米线晶体管能自我修复
据美国电气与电子工程师协会《光谱》杂志网站11日报道，美国国家航空航天局（NASA）与韩国科学技术研究院（KAIST）合作，研制出了一款能自我修复的晶体管。研究人员表示，最新自我修复技术有助于研制单芯片飞船，其能以五分之一光速飞行，在20年内抵达距太阳系最近的恒星“比邻星”。 今年4月12日
硅纳米线的主要成分
Si纳米线当然成分就是Si了，要是SiO2不就是SiO2纳米线了？不过Si确实不稳定，极易氧化，表面一定会有SiO2层的。
碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管
据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道，该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑，将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技术领域大展宏图。 碳纳米管管壁只有一个原子厚，是最好的导电材料之一，
硅纳米线将绘电子器件新版图
虽然我国目前已经初步实现了硅纳米晶体管、传感器等纳米器件的部分功能，但是离纳米器件的大规模集成还有相当大的距离。 美国斯坦福大学研究人员已经研发出用硅纳米线制成的“纸电池”。 当全世界的科学家一窝蜂地关注碳纳米管时，殊不知，另一种一维纳米材料硅纳米线同样能给人带来意想不到的惊喜。
百余根硅纳米线阵列监测循环肿瘤DNA
近日，杭州电子科技大学副教授李杜娟通过引入高效能晶体管生物传感器，在癌症早期诊断以及术后监控上取得新进展。相关研究成果发表于《生物传感器和生物电子》Biosensors and Bioelectronics。 生物传感器是一类用于检测特定分析物的分析设备，通常由生物识别元件、换能器和电子检测
复合半导体纳米线成功整合在硅晶圆上
据美国物理学家组织网11月9日报道，美国科学家开发出一种新技术，首次成功地将复合半导体纳米线整合在硅晶圆上，攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示，这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。 III—
硅纳米晶体管展现出强量子限制效应
据美国物理学家组织网3月21日报道，美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管，表现出明显的量子限制效应，纳米线的直径越小，电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。相关研究发表在最近出版的《纳米快报》上。 实验中，他们用平版
功能协同的纳米银/硅纳米线复合材料具有长效抑菌性能
中国科学院上海应用物理研究所物理生物学实验室和香港城市大学的研究人员近期在材料领域著名杂志《先进材料》 (Advanced Materials, 2010, 22, 48: 5463-5467）报道了一种纳米银/硅纳米线复合材料在长效持久抑菌方面的工作。《自然》杂志在“研究热点”(
微电子所在新型硅基环栅纳米线MOS器件研究中取得进展
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线（Gate-all-around silicon nanowire，GAA SiNW）MOS器件的结构和制造方法研究中取得新进展。 5纳米以下集成电路技术中现有的FinFET器件结构面临诸多挑战。环栅
IIIV族纳米线材料为新一代芯片赋予光学特性
IBM苏黎世研究实验室(IBM Research of Zurich)开发出一种尺寸极其微小的纳米线，具有一般标准材料所没有的光学特性，从而为开发出基于半导体纳米线的“新一代晶体管”电路研究而铺路。 该研究实验室与挪威科技大学(Norwegian University of Science
宁波材料所在无结薄膜晶体管领域取得重要进展
最近，国外科研人员报道了一种新型的无结纳米线晶体管(Nature Nanotechnology. 5, 225 (2010)）。这种晶体管源极和漏极与沟道区之间没有结的存在。相比传统的结型晶体管，无结晶体管的源极、漏极与沟道共用一根重掺杂的硅纳米线，从而大大简化了传统器件的制备工
有了这个方法，硅纳米线锂电负极材料将不再是困难
近日，中国科学院过程工程研究所在热等离子体制备硅纳米线负极材料上取得新进展，实现每小时公斤级量产，且制备的电池容量和寿命都达到较高标准，与碳材料复合后循环1000次的容量仍有2000mAh/g，为硅碳负极材料的产业化进展提供了新思路。相关研究结果发表在ACS Nano上。 目前传统的石墨负极材
可在p型与n型间转换的新式晶体管问世
据美国物理学家组织网12月21日（北京时间）报道，德国科学家研制出一种新式的通用晶体管，其既可当p型晶体管又可当n型晶体管使用，最新晶体管有望让电子设备更紧凑；科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。 目前，大部分电子设备都包含两类不同的场效应晶体管：
美研制出新型“4维”晶体管
据物理学家组织网12月6日(北京时间)报道，美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明：一种外形如同一颗圣诞树一样的新型晶体管，其重要组件“门”(栅极)的长度缩减到了突破性的20纳米。这个被称为“4维”晶体管的新事物预告了引领半导体工业和未来计算机领域发展的潮流。该研究成果将于1
上海微系统所等在硅纳米线阵列宽光谱发光研究获进展
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料与器件课题组在硅纳米线阵列宽光谱发光方面取得新进展。课题组研究人员将SOI与表面等离子体技术相结合，研究了硅纳米线阵列的发光性能，并且与复旦大学合作借助时域有限差分法(FDTD)理论计算了硅纳米线发光峰位与纳米腔共振模
硅与非硅材料“混搭”难题解决
美国加州大学戴维斯分校的科学家最近展示了一种具有三维结构的纳米线晶体管，并借助该技术成功将硅与非硅材料集成到了一个集成电路中。研究人员称，该技术有望帮助硅材料突破瓶颈，为更快、更稳定的电子和光子设备的制造铺平道路。 硅是目前最常见的一种电子材料，但它并不是万能的。建立在传统蚀刻工艺基础的硅集成
硅与非硅材料“混搭”难题解决
美国加州大学戴维斯分校的科学家最近展示了一种具有三维结构的纳米线晶体管，并借助该技术成功将硅与非硅材料集成到了一个集成电路中。研究人员称，该技术有望帮助硅材料突破瓶颈，为更快、更稳定的电子和光子设备的制造铺平道路。 硅是目前最常见的一种电子材料，但它并不是万能的。建立在传统蚀刻工艺基础的硅集成
4.16电子伏特！新型硅带隙创世界纪录
美国东北大学科学家主导的国际科研团队发现了一种新形式的高密度硅，并开发出一种新型可扩展的无催化剂蚀刻技术，能将这种硅制成直径为2—5纳米的超窄硅纳米线。这一成果发表于最新一期《自然·通讯》杂志，有望给半导体行业带来革命性变化，还有望应用于量子计算等领域。 十年前，东北大学研究人员在实验中发现了
日本成功开发磁性纳米线
据《日刊工业新闻》7月3日报道，日本大阪大学大学院理学研究科附属强磁场科学研究中心的萩原政幸教授和日本首都大学东京大学院理工学研究科的真庭豊教授共同研究，在单层碳纳米管内充填氧分子，成功开发了可成为纳米结构新型磁性体的纳米线。磁性体纳米线作为自旋电子材料可用于信息传输和控制等领域。 共同研
人类细胞竟能“吞噬”纳米线
硅纳米线和人类细胞同处一“室”，竟被细胞“吞噬”！据美国电气与电子工程师协会《光谱》杂志网站近日报道，美国芝加哥大学研究人员将人体内皮细胞与硅纳米线放在同一个培养皿中，利用电子显微镜和特制光学成像工具，首次视频呈现“吞噬”细节。这项发表在《科学进展》杂志上的新研究，能帮助开发出突破人体屏障的给药
EDS检测纳米线黑森林
纳米线黑森林来看看GaAs/GaInP纳米线形成的黑森林SEM照片。纳米线分两步长成：树干GaAs通过金属有机物气相外延法（MOVPE）使用金颗粒作为种子。取出反应容器中的样品，并在样品表面喷一层HSQ抗蚀剂。第二步MOVPE 制备GaInP时，抗蚀剂可以阻止GaInP在GaAs上生长。图片经过人工
用作气体传感的纳米线
用作气体传感的纳米线 一篇具有启发性的文章（X. Chen et al., Sensors and Actuators B: Chemical, 177 (2013): 178-195. ）详细描述了基于纳米线的气体传感器的制造流程，配置，工作原理。它们通常具有高灵敏度和响应时间迅速、高选择性和高稳
全球最小晶体管抛弃硅材料
北京时间10月7日晚间消息，美国劳伦斯伯克力国家实验室(以下简称“伯克力实验室”)教授阿里-加维(Ali Javey)领导的一个研究小组日前利用碳纳米管和一种称为二硫化钼的化合物开发出了全球最小的晶体管。 晶体管由三个终端组成：源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)。电流从
固体所在构筑异质复杂一维纳米结构方法上取得进展
与单一材料的一维纳米结构相比，由异质材料组成的复杂形貌一维纳米结构，具有更多的功能与更好的性能。这种异质复杂一维纳米结构在各种纳米器件与多功能复杂系统中具有广泛的应用前景。此前，人们根据高纯铝在阳极氧化过程中所形成孔的直径与阳极氧化电压成正比的关系，采用在阳极氧化过程中降低电压、
硅纳米管：自组生长新纳米材料
湖南大学博士生导师唐元洪教授课题组率先合成自组生长的硅纳米管，标志着我国在纳米材料研究方面取得重大突破。 自组生长的硅纳米管是在一定条件下由一个个原子自己搭建生成、内部排列有序的纳米管，它完全可以体现硅纳米管的真实特性，同时具备碳纳米材料和硅纳米线材料的性能，在传感器、晶体管、光电器件等方
硅表面铁磁锰单原子纳米线的结构与生长机制研究取得进展
硅半导体表面重构以及表面吸附原子在硅表面上的自组装研究是理论和实验科学工作者长期以来共同关注的重要课题之一。由于MnSi等锰基化合物具有铁磁性和较高的居里温度，因此被认为是最有望实现自旋传导的磁性材料。实验发现，锰在室温下可在硅(001)面上自组装形成单原子纳米线和小纳米团簇，为
巴斯夫收购Seashell公司纳米线技术
近日，巴斯夫与总部位于加利福尼亚州圣地亚哥的顶尖纳米科技公司Seashell共同宣布，巴斯夫已购买Seashell有关银纳米线的技术及其ZL知识。此次收购拓展了正在成长中的巴斯夫电子材料部门为显示器行业提供的解决方案组合。 “Seashell是银纳米线技术的先驱之一，促进了多个应用领域的发展
我国科学家在新型垂直纳米环栅器件研究中取得进展
垂直纳米环栅晶体管是集成电路2纳米及以下技术代的主要候选器件，但其在提高器件性能和可制造性等方面面临着众多挑战。在2018年底举办的国际集成电路会议IEDM上，来自IMEC的Ryckaert博士将垂直纳米器件的栅极长度及沟道与栅极相对位置的控制列为关键挑战之一。 中国科学院微电子研究所先导中心
世界最小！美国麻省理工学院团队研制出全新纳米级3D晶体管
美国麻省理工学院团队利用超薄半导体材料，成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。这是迄今已知最小的3D晶体管，其性能和功能可比肩甚至超越现有硅基晶体管，将为高性能节能电子产品的研制开辟新途径。相关论文发表于5日出版的《自然·电子学》杂志。 新型晶体管的“艺术照”。图片来源：美国麻省理工学院官网
上海微系统所上海应物所制出超高灵敏硅纳米线DNA传感器
在最新一期的Nano Letters上(Nano Lett., 2011, 11 (9), pp 3974–3978, DOI:10.1021/nl202303y)，中科院上海微系统与信息技术研究所王跃林/李铁课题组与上海应用物理研究所樊春海课题组以快报形式报导了他们在超高灵敏硅纳