我国科学家创新研发第三类存储技术半浮栅结构晶体管
复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。4月10日，这一重要研究成果将以长文形式在线发表于《自然—纳米技术》。 据了解，目前半导体电荷存储技术主要有两类：第一类是易失性存储，例如计算机中的内存，掉电后数据会立即消失；第二类是非易失性存储，例如人们常用的U盘，在写入数据后无须额外能量可保存10年。前者可在几纳秒左右写入数据，第二类电荷存储技术需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来。 这次研发的新型电荷存储技术，既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制（10秒—10年）的可调控数据准非易失特性。张卫表示，这种全新特性不仅在高速内存中可以极大降低存储功耗，还可以实现数据有效期截止后自然消失，在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。 “这项研究创新性地选择多重二维材料堆叠构成了半浮栅......阅读全文
我国科学家创新研发第三类存储技术半浮栅结构晶体管
复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。4月10日，这一重要研究成果将以长文形式在线发表于《自然—纳米技术》。 据了解，目前半导体电荷存储技术主要有两类：
访《科学》论文作者：横空出世的半浮栅晶体管
8月9日出版的《科学》(Science)杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题组提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管(SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor)。这是我国科学家在该顶级学术期刊上发表的第一篇微电子器件领域的原创性成
一种运行更快、功耗更少的晶体管
集成电路是由被称作晶体管的半导体装置组成的，这些晶体管已经小到了详尽的电力运作所允许的最小程度，但是现在，聚焦于继续改进这些极小装置——加速它们的运行并降低其功耗——的研究已经找到了一种无需使其缩小就能达到这一效果的新方式。晶体管(这是控制电流流量的电子装置)是高速电脑的主要组成部分，帮助电脑进
中国科学家晶体管开发取得突破
中国研究人员8月8日在美国《科学》杂志上报告说，他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更容易、迅速，整个过程都可在低电压条件下完成，为实现芯片低功耗运行创造了条件。 研究负责人、复旦大学教授王鹏飞对新华社记者说：“我国集成
我国科研人实现碳纳米管光电传感存储器件
电荷耦合器件（CCD）与电荷存储器件（Memory）作为现代电子系统中两个独立分支分别沿着各自的路径发展，同时具备光电传感和存储功能的碳基原型器件尚未见报道。近日，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心联合中国科学院苏州纳米技术研究所、吉林大学，于《先进材料》在线发表了题
碳纳米管光电传感存储器件问世
电荷耦合器件（CCD）与电荷存储器件（Memory）作为现代电子系统中两个独立分支分别沿着各自的路径发展，同时具备光电传感和存储功能的碳基原型器件尚未见报道。近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心联合中科院苏州纳米所、吉林大学，于《先进材料》（Advanced Materials）在
关于嵌入式闪存的一些错误观念（一）
多年来，汽车行业的发展和创新一直推动着半导体行业的发展。根据IHS的数据可知，汽车半导体市场的年收入已经超过300亿美元，而随着ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，这一数字还将不断上升。目前，每辆豪华车内部半导体元件的总价值约为1000美元，而中档车内部半导体元件的总价值约为350美元，
我学者基于铝纳米晶制备出柔性碳纳米管存储一体化器件
电荷耦合器件（CCD）与电荷存储器件（Memory）作为现代电子系统中两个独立分支分别沿着各自的路径发展，同时具备光电传感和存储功能的原型器件尚未见报道。近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心科研人员与国内多家单位合作，在《先进材料》（Advanced Materials）在线发表题
场效应晶体管的分类
场效应晶体管是依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻（简称场效应），使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。 根据栅的结构，场效应晶体管可以分为三种： ①结型场效应管(用PN结构成栅极)； ②MOS场效应管（用金属-氧化物－
8月9日Science杂志精选
疟疾疫苗探索的第一期进展 疟疾是一种威胁生命的疾病，世界卫生组织在2010年估计每天这种疾病会造成2000人死亡，且长期以来一直缺乏高效的疫苗，但现在，研究人员正在这一领域取得进展。尽管他们制造的疫苗仅能通过静脉给予(而不是更为常见的通过肌肉内、皮内或鼻腔内通路给予)，但它的确为广泛适用的
“记忆晶体管”可同时存储和处理信息
《自然》杂志22日在线发布的一项研究成果显示，美国西北大学科学家开发了一种被称为“记忆晶体管”的新型器件，能同时发挥存储器和信息处理功能，运行方式非常类似神经元。 计算机有单独的处理和存储单元，而大脑使用神经元来执行这两种功能。据物理学家组织网报道，凭借忆阻器和晶体管的组合特性，该新型器件包含
闪存技术大餐——架构/颗粒/接口/可靠性全面解析架（二）
Flash颗粒解析 学习过模拟电路的同学都知道，在模电原理里三极管分两种，一种是双极性三极管，主要基于载流子用来做电流放大，另一种叫做CMOS场效应三极管，通过电场控制的金属氧化物半导体。NAND Flash就是基于场效应P/N沟道和漏极、栅极技术通过浮栅Mosfet对栅极充电
纳米结构电荷俘获材料及存储项目课题通过验收
9月29日，由中国科学院微电子研究所承担的纳米研究重大科学研究计划2010年项目“纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究”课题验收会在北京召开。中国科学院吴德馨院士、解思深院士、李树深院士、高鸿钧院士、南京大学郑有炓院士等相关专家、项目主管部门代表以及项目组成员等参加了会议。 项目首
物理所电荷捕获存储器中的电荷分布研究取得新进展
电荷捕获存储器作为下一代高密度存储器的候选者，一直是微电子领域相关基础研究和产业开发的重点。电荷存储器的主要结构为隧穿层、捕获层和阻挡层构成的三明治结构，其中捕获层为存储电子的场所。电荷可能分布在捕获层的上下界面或者内部，其具体位置影响到器件的编程/擦除速度和电荷保持能力，是决定器件实
微电子所在铁电垂直环栅纳米器件研究方面取得进展
铁电晶体管（FeFET）具有非易失性数据存储、纳秒级的编程/擦除速度、低功耗操作、超长的数据保存时间以及与CMOS工艺兼容等优点，被认为是未来非易失存储器应用的候选器件。在5nm技术节点以下，由于器件栅长（小于18纳米）和铁电薄膜厚度（大约10纳米）相近，基于FinFET和水平环栅晶体管（GAAFE
半导体器件有哪些分类
现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类
微电子所在有机分子晶体器件的载流子输运研究中获进展
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在有机分子晶体器件的载流子输运研究中取得重要进展。 相比于传统基于无序半导体材料的场效应晶体管中掺杂引起的缺陷钝化（trap-healing）现象，由有序单晶电荷转移界面制备的场效应晶体管整体电导、迁移率高，并具有跨导不依赖于栅压的电
微电子所在铁电垂直环栅纳米器件研究方面取得进展
铁电晶体管（FeFET）具有非易失性数据存储、纳秒级的编程/擦除速度、低功耗操作、超长的数据保存时间以及与CMOS工艺兼容等优点，被认为是未来非易失存储器应用的候选器件。在5nm技术节点以下，由于器件栅长（小于18纳米）和铁电薄膜厚度（大约10纳米）相近，基于FinFET和水平环栅晶体管（GAA
朱慧珑团队在铁电垂直环栅纳米器件研究获进展
铁电晶体管（FeFET）具有非易失性数据存储、纳秒级的编程/擦除速度、低功耗操作、超长的数据保存时间以及与CMOS工艺兼容等优点，被认为是未来非易失存储器应用的候选器件。在5nm技术节点以下，由于器件栅长（小于18纳米）和铁电薄膜厚度（大约10纳米）相近，基于FinFET和水平环栅晶体管（GAA
宁波材料所在人造神经网络技术领域取得进展
神经元晶体管(vFET)作为一种多功能、智能化的晶体管，在人造神经网络应用中起着重要的作用。这类晶体管是通过电容耦合效应计算多端输入信号的加权和，来控制晶体管的导通和截止，能量消耗少，非常类似于人工神经元器件的工作模式。这类器件是在传统硅基电路的基础上发展起来的，采用复杂的CMOS 工艺制作
纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储验收会召开
9月29日，重大科学研究计划“纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究”课题验收会在中国科学院微电子研究所召开。中国科学院吴德馨院士、解思深院士、李树深院士、高鸿钧院士，南京大学郑有炓院士、施毅教授，国家外国专家局马俊如研究员，北京大学薛增泉教授、朱星教授，国家自然科学基金委员会何杰研究员，
锗能生产最灵活自适应的晶体管？开创芯片技术新纪元
锗的特殊性质和专用编程栅电极的使用，使人们有可能为一种开创芯片技术新纪元的新元件制造出原型。据近日发表在美国化学学会《纳米杂志》上的研究，奥地利维也纳工业大学没有依靠硅基晶体管技术，而是利用锗生产出世界上最灵活的晶体管。这种新型自适应晶体管可以在运行时动态切换，能执行不同的逻辑任务。这从根本上改
简介功率场效应晶体管的特性
功率场效应晶体管及其特性 一、 功率场效应晶体管是 电压控制器件，在功率场效应晶体管中较多采用的是 V沟槽工艺，这种工艺生产地管称为 VMOS场效应晶体管，它的栅极做成V型，有沟道短、耐压能力强、跨导线性好、开关速度快等优点，故在 功率应用领域有着广泛的应用，出现一种更好的叫 TMOS管，它是
科学家首次研制成功单电子半加器
11月21日报道，研究人员一直在努力降低硅基计算组件的尺度，以满足日益增长的小规模、低能耗计算需求。这些元件包括晶体管和逻辑电路，它们都被用于通过控制电压来处理电子设备内的数据。在一项新研究中，韩国、日本和英国科学家组成的科研小组仅用5个晶体管就制造出一个半加器，它是所有逻辑电路中最小的一种。这
物理所等实现二维原子晶体硒化铟高性能光电探测器
二维层状原子晶体材料的物理性能（如带隙等）随厚度减小而变化，在光子和光电子器件的应用中具有广阔前景。光电探测器作为重要的光电应用单元器件，引发学界广泛关注，近年来基于二维原子晶体材料的光电晶体管成为最主要的关注对象之一。除半金属的石墨烯之外，半导体二维原子晶体材料（如过渡金属硫属化合物、II-V
有机电荷转移分子调控二维材料电学特性研究取得进展
近日，中国科学院微电子研究所在有机电荷转移分子调控二维材料电学特性研究中取得新进展。 薄层过渡金属二硫化物（TMDCs）以其独特的电学、光电、机械和磁学特性为探索低维系统中的新物理特性和应用途径提供了一个新的平台。其中，在场效应晶体管应用中，少层二硫化钼（MoS2）可以突破传统半导体材料的短沟
一文解析SLC、MLC和TLC三者的区别
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术
科研人员研发出新型“动静双感”电荷耦合光电晶体管
随着自动导引、具身智能等前沿技术的发展，机器视觉对图像采集提出了更高要求，需要精准记录静态图像，还要能够灵敏捕捉场景中的动态变化。现有的动态与有源像素传感器技术集成了动态事件检测和灰度图像采集两种功能，但每个像素通常需要几十个晶体管和电路元件，且结构复杂、功耗高、集成难度大，同时面临高速时钟同步
清华团队首次实现具有亚1纳米栅极长度的晶体管
晶体管是芯片的核心元器件。更小的栅极尺寸可以使得芯片上集成更多的晶体管，并带来性能上的提升。近日，清华大学集成电路学院教授任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重要进展，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，该晶体管具有良好的电学性能。相关成果以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题，在
我国学者首次实现具有亚1纳米栅极长度的晶体管
晶体管是芯片的核心元器件。更小的栅极尺寸可以使得芯片上集成更多的晶体管，并带来性能上的提升。近日，清华大学集成电路学院教授任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重要进展，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，该晶体管具有良好的电学性能。相关成果以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题，在线发