澳研制出完美的单原子晶体管
据英国《新科学家》杂志2月20日(北京时间)报道，澳大利亚科学家表示，他们研制出一种单原子晶体管，其由蚀刻在硅晶体内的单个磷原子组成，拥有控制电流的门电路和原子层级的金属接触，有望成为下一代量子计算机的基础元件。研究发表在2月19日出版的《自然·纳米技术》杂志上。 在最新研究中，科学家们利用放置在真空环境中的硅薄片制造出该单原子晶体管。为了观察并操纵位于硅薄片表面的原子，他们首先用一层不起反应的氢原子将该晶体管覆盖，随后利用扫描隧道显微镜超精细的金属尖端，精确地将某些区域的氢原子有选择性地移走，露出两对相互垂直的硅带外加一个由6个硅原子组成的小长方形，其位于这些硅带的结合点处。 接着，科学家们添加了磷化氢(PH3)气体并加热，导致磷原子依附到硅暴露的地方，因为是长方形，所以只有一个磷原子进入该硅网络内，结果得到4个相互垂直的磷电极和一个磷原子。其中一对电极之间的距离为108纳米，在它们之间施加电压后，电流能通过单......阅读全文
高效有机双极晶体管工作频率首次达到千兆赫兹
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/6/481626.shtm 科技日报北京6月26日电 （记者刘霞）德国科学家在最新一期《自然》杂志上发表论文称，他们首次成功演示了一款高效的有机双极晶体管，其关键是使用高度有序的纤薄有机层。新晶体管的运行速
量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管
据美国物理学家组织网3月27日(北京时间)报道，美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示，他们借用量子隧穿效应，研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管(TFET)。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题，在一块芯片上集成更多晶体管，从而提高电子设备的计算能力。
微电子所太赫兹晶体管研究取得新进展
InP基太赫兹晶体管的(a)直流与(b)高频特性 太赫兹波（T-ray，0.1–10 THz）在公共安全、无损检测、射电天文、环境监测、宽带通信、空间探测、生物医学等方面具有重要的应用前景，高性能太赫核心器件的研制是太赫兹技术在实用化进程中的关键环节。近日，中国科学院微电子研究所
宁波材料所在无结薄膜晶体管领域取得重要进展
最近，国外科研人员报道了一种新型的无结纳米线晶体管(Nature Nanotechnology. 5, 225 (2010)）。这种晶体管源极和漏极与沟道区之间没有结的存在。相比传统的结型晶体管，无结晶体管的源极、漏极与沟道共用一根重掺杂的硅纳米线，从而大大简化了传统器件的制备工
我国科研人员为氧化镓晶体管找到新结构方案
26日，记者从中国科学技术大学获悉，该校微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，分别采用氧气氛围退火和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果日前分别在线发表于《应用物理通信》《IEEE电子设备通信》上。 作为新一代功率半导体材料，氧化镓的p型掺杂目前
我国研发成功一种超陡垂直晶体管技术
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517724.shtm随着集成电路制造工艺下探亚5纳米技术节点，传统的晶体管尺寸微缩路线无法像过去一样使“器件-芯片”性能提升并控制成本。“在此背景下，学术界与工业界近年来提出多种创新器件技术，以期克服常规
晶体管输出特性曲组的三个工作区
输出特性曲线是指当基极电流IB为常数时，输出电路(集电极电路)中集电极电流IC与集—射极电压UCE之间的关系曲线IC=f(UCE)。在不同的IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管的输出特性曲线是一组曲线。晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲组分为三个工作区 (1)放大区 输出特性曲线的
可在p型与n型间转换的新式晶体管问世
据美国物理学家组织网12月21日（北京时间）报道，德国科学家研制出一种新式的通用晶体管，其既可当p型晶体管又可当n型晶体管使用，最新晶体管有望让电子设备更紧凑；科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。 目前，大部分电子设备都包含两类不同的场效应晶体管：
工业硅片上长出“完美”二维超薄材料
据发表在最新一期《自然》杂志上的论文，美国麻省理工学院工程师开发出一种“非外延单晶生长”方法，在工业硅晶圆上生长出纯净的、无缺陷的二维材料，以制造越来越小的晶体管。 根据摩尔定律，自20世纪60年代以来，微芯片上的晶体管数量每年都会翻一番。但这一趋势预计很快就会趋于平缓，因为用硅制成的器件一旦
中关村启动石墨烯国际合作项目
中关村科技园区丰台园正式启动首个以石墨烯新材料为关键技术的国际合作项目，将与英国布鲁内尔大学等机构合作研发，实现新材料产业化。这是记者15日从中关村科技园区丰台园管委会了解到的。 “中关村丰台园战略性新材料国际合作项目”启动后，中关村丰台园将组建国际一流的石墨烯产业及战略性新材料研究队伍，争取
3D羊芯突破将延续摩尔定律数年：单晶硅垂直集成达成98％良率
几十年来，计算行业遵循一个简单的公式：将晶体管做得更小，在芯片上封装更多晶体管。这一策略推动了摩尔定律所预测的计算能力的非凡增长。但随着组件接近原子尺度，工程师们越来越受到硅的物理极限和量子力学效应的制约。 伊利诺伊大学Qing Cao教授领导的团队展示了一种将多层硅电子器件直接叠放在一起的新方
原子吸收，原子荧光以及原子发射的区别和联系
首先，共同点就是都属于原子光谱类的仪器。利用原理可以检测物质的组成。 不同点是首先是原理不同：发射光谱是原子在受到热或电的激发时，由基态跃迁到激发态，返回到基态时，发射出特征光谱；原子荧光光谱是基于基态原子吸收特定波长光辐射的能量而被激发至高能态，受激原子在去激发过程中发射出的一定波长的光辐射，根
原子吸收，原子荧光以及原子发射的区别和联系
原子荧光光谱：原子荧光光谱是基于基态原子吸收特定波长光辐射的能量而被激发至高能态，受激原子在去激发过程中发射出的一定波长的光辐射，根据这一原理制成的可以检测元素含量的仪器叫原子荧光光谱仪（光度计），比如SK-2003A,线性宽度大于三个数量级，重复性小于百分之0.6%。原子发射光谱：原子在受到热或电
原子荧光，原子吸收和原子发射的区别和特点
原子在受到热或电的激发时，由基态跃迁到激发态，返回到基态时，发射出特征光谱叫做原子发射光谱，而根据处于激发态的待测元素原子回到基态时发射的特征谱线对待测元素进行分析的方法称为原子发射光谱法。ICP-AES的特点是可以进行多元素检测，选择性高，检出限低，准确度高。 原子荧光光谱是基于基态原子吸收特定
石墨烯让处理器“飞起来”
时钟速度（clock speed）是衡量一款电脑速度的重要标准，目前，个人计算机的时钟速度已经达到GHz级别，然而这还不够疯狂，现已有科学家运用石墨烯把该速度提高到了让人们吃惊的100GHz。 日前，莫斯科物理与技术研究院（MIPT）的科学家已经找到利用石墨烯来提高隧道电流的方法。石墨烯本质
石墨烯纳米带电触头技术最新研究成果
6月13日，来自荷兰Aalto大学的一项研究称，科学家们成功展示了如何利用单个化学键在石墨烯纳米带上建立电触头。石墨烯是一种蜂窝晶格状排列的碳原子单层物质材料，近年来被科学家们看好其在电子领域的无限前景。 室温下工作的石墨烯晶体管需要小于10纳米尺寸的工作条件，这就意味着石墨烯纳米结构需满
新型纳米光子电路显示量子网络潜力
电路显示量子网络潜力 科技日报北京8月4日电（记者张梦然）美国普渡大学团队将碱金属原子（铯）捕获在集成光子电路中，可充当光子（光的最小能量单位）的晶体管。这些被“捉”到的原子，首次展示了冷原子集成纳米光子电路构建量子网络的潜力。研究成果发表在最新一期《物理评论X》上。研究人员正在做实验。图片来源：美
直流单双臂电桥变压器的绕线电阻和温升实验等
直流单双臂电桥内附晶体管放大检流计和能内附工作电源.适合于工矿企业,实验室或车间现场以及野外工作场所作直流电阻测量之用.用来测量其范围内的直流电阻、金属导体的电阻率、导线电阻、直流分流器电阻、开关、电器的接触电阻及各类电机,变压器的绕线电阻和温升实验等。技术指标量程倍率有效量程（Ω）准确度（%）
新年第一篇！南京大学成果登Nature
下一代电子技术的发展需要将通道材料厚度缩小到二维极限，同时保持超低的接触电阻。过渡金属二卤属化合物可以维持晶体管扩展到路线图的结束，但尽管有无数的努力，器件性能仍然受到接触限制。特别是，由于固有的范德华间隙，接触电阻还没有超过共价结合的金属-半导体结，最好的接触技术面临稳定性问题。 2023年
移植2枚冻融胚胎发生单卵单胎合并单卵双胎并成功减胎
近年来，辅助生殖技术(ART)普及应用且不断 发展，解决了大部分不孕不育夫妇的生育问题，同时 增加了多胎妊娠的发生，双胎最多见，其中大部分是 由于多个胚胎移植导致的异卵双胎(dizygotic twins，DZT)。还有一种少见的现象即单卵双胎 (monozygotic twins，MZT)
后FinFET时代的技术演进（一）
FinFET晶体管架构是当今半导体行业的主力军。但是，随着器件的持续微缩，短沟道效应迫使业界引入新的晶体管架构。在本文中，IMEC的3D混合微缩项目总监Julien Ryckaert勾勒出了向2nm及以下技术节点发展的演进之路。在这条令人振奋的道路上，他介绍了Nanosheet晶体管，For
做好残疾考生单考单招工作，这个通知明确了这些
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磁铁矿电子开关速度可达万亿分之一秒
据每日科学网站7月29日(北京时间)报道，美国科学家表示，他们发现普通磁铁矿内的电子开关一次仅需万亿分之一秒，这一速度或许创下了新高。发表在今天出版的《自然·材料学》杂志的最新研究将有助于科学家们研制出更“迷你”的晶体管，最终制造出速度更快、功能更强的计算设备。 美国能源部利用斯坦福直线加
中国科学家首创“蒸笼”方法“长出”高性能晶体管新材料
这是2025年6月18日在北京大学物理学院拍摄的基于二维硒化铟半导体晶圆的集成晶体管阵列。 集成电路是现代信息技术的核心基础。近年来，随着硅基芯片性能逐步逼近物理极限，开发新型高性能、低能耗半导体材料，成为全球科技研发热点。其中，二维层状半导体材料硒化铟因迁移率高、热速度快等优良性能，被视为有望打
新方法“近乎完美”控制单原子，提高建造通用量子计算机可能性
英国伦敦大学学院工程师和物理学家开发出一种新方法，首次成功在阵列中可靠地定位单个原子，其接近100%的精度和可扩展性可用于制造量子计算机，使其达到几乎为零的故障率，提高了建造通用量子计算机的可能性。相关研究发表在最新一期《先进材料》杂志上。 泰勒·斯塔克博士将样品装入扫描隧道显微镜 (STM)
新方法可提高建造通用量子计算机可能性
英国伦敦大学学院工程师和物理学家开发出一种新方法，首次成功在阵列中可靠地定位单个原子，其接近100%的精度和可扩展性可用于制造量子计算机，使其达到几乎为零的故障率，提高了建造通用量子计算机的可能性。相关研究发表在最新一期《先进材料》杂志上。泰勒·斯塔克博士将样品装入扫描隧道显微镜 (STM)，用于执
美找到自旋轨道强相互作用的新材料
美国能源部阿尔贡先进光源（APS）实验室研究发现，一种含有重元素铱的氧化材料，受到铱5d层价态上的自旋轨道相互作用的控制，显示出非同寻常的性质。该研究成果发表在近期《物理评论快报》上。 该研究由阿尔贡APS国家实验室、肯塔基大学、橡树岭国家实验室以及北伊利诺伊州立大学联合开
美国科学家在碳纳米管晶体管制造技术上获得一项突破
美国威斯康星大学麦迪逊分校的科学家日前在碳纳米管晶体管制造技术上获得了一项突破。由其开发出的新型高性能碳纳米管晶体管成功突破了纯度和阵列控制两大难题，在开关速度上获得了比普通硅晶体管快1000倍，比此前最快的碳纳米管晶体管快100倍的成绩。碳纳米管晶体管向正式商用迈出了关键一步。相关论文发表在《
别出心裁：在原子水平上对材料进行工程设计
背景介绍 自从纳米技术的概念提出以来，设备小型化一直是技术发展的驱动力。纳米制造技术的飞速发展推动了摩尔定律的发展，摩尔定律呈指数增长，导致现在半导体微处理器的计算能力成倍增长，而这些微处理器现在已成为大规模仿真和人工智能的基础。在科学的好奇心和技术的渴求的推动下，电子设备的小型化无疑会持续发
美国IBM公司碳纳米管商用技术取得重大突破
美国IBM公司的研究人员近期宣布，已经攻克了碳纳米管生产中的一个主要挑战，这将有助于生产出具有商业竞争力的碳纳米管设备。 过去几十年，半导体行业尝试向单块计算机芯片中集成更多硅晶体管，从而不断加强芯片的性能。不过，这一发展很快就将遭遇物理极限。目前，IBM的研究人员表示，凭借重要的工程突破，