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后FinFET时代的技术演进（一）

FinFET晶体管架构是当今半导体行业的主力军。但是，随着器件的持续微缩，短沟道效应迫使业界引入新的晶体管架构。在本文中，IMEC的3D混合微缩项目总监Julien Ryckaert勾勒出了向2nm及以下技术节点发展的演进之路。在这条令人振奋的道路上，他介绍了Nanosheet晶体管，Forksheet器件和CFET。其中一部分内容已在2019 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上发表。FinFET：今天最先进的晶体管在每一代新技术上，芯片制造商都能够将晶体管规格微缩0．7倍，从而实现15％的性能提升，50％的面积减小，40％的功耗降低以及35％的成本降低。几年前，业界为了维持这种微缩路径，从“老式”平面MOSFET过渡到FinFET晶体管架构。在FinFET中，源极和漏极之间的沟道为fin的形式。栅极环绕该3D沟道，可从沟道的3个侧面进行控制。这种多栅极结构可以抑制在栅极长度降低时带来的短沟道效应。出色的短沟道控......阅读全文