日本制造出超级硅薄膜

资料图片 日本北陆尖端科学技术大学院大学日前宣布,其研究小组开发出能制作大面积硅薄膜“silicene”的技术。这种只有一个原子厚的薄膜,具备半导体的性质,有望用于制造高速电子线路等。研究小组在2厘米长、1厘米宽的硅基板表面,覆盖上陶瓷薄膜,然后在特殊真空装置中将其加热到900摄氏度。于是,硅基板所含的硅元素就穿透陶瓷薄膜,出现在陶瓷薄膜表面,形成硅薄膜。如果将基板做得更大,就可以制作出更大面积的硅薄膜。只有一个碳原子厚的石墨烯是迄今世界上最薄的材料,它的发明者因为这种具备诸多神奇性质的材料获得了2010年诺贝尔物理学奖。研究小组带头人高村由起子副教授指出:“今后的课题是弄清‘silicene’的形成机制,并开发出将这种薄膜从基板上剥离下来的技术。” ......阅读全文

氟硅新材料论坛衢州举行

  11月15~16日,由浙江省化工学会、衢州学院等联合主办的2018中国氟硅化工新材料技术与产业高峰论坛在衢州举行。记者从会上了解到,为进一步巩固衢州氟硅化工新材料产业的先发优势,激发创新动力,衢州市政府正在筹划打造更多产业创新平台,促进学术界与产业界的沟通对接,吸引更多高科技产品、高端人才前来衢

日本制造出超级硅薄膜

 资料图片  日本北陆尖端科学技术大学院大学日前宣布,其研究小组开发出能制作大面积硅薄膜“silicene”的技术。这种只有一个原子厚的薄膜,具备半导体的性质,有望用于制造高速电子线路等。研究小组在2厘米长、1厘米宽的硅基板表面,覆盖上陶瓷薄膜,然后在特殊真空装置中将其加热到900摄

澳科学家发明“超级电容”新材料

  澳大利亚国立大学1日发布消息说,该校科学家发明了一种能储存更多电能、损耗更小的绝缘材料,可用于制造“超级电容”,在可再生能源、电动汽车、国防及航空航天等领域具有很高应用价值。   绝缘材料是制造电容的主要材料。新发明的材料是带铌铟复合涂层的金红石(二氧化钛),其性能大大优于目前使用的材料,能够

芯片超级电容器又添新材料

  多年来,能装在芯片上的微小超级电容一直广受科学家追捧,决定电容器性能的关键是其电极材料,有潜力的“选手”包括石墨烯、碳化钛和多孔碳等。据德国《光谱》杂志网站近日报道,芬兰国家技术研究中心(VTT)研究团队最近把目光转向了一种“不可能”的弱电材料——多孔硅,为了把它变成强大的电容器,团队创新性地在

激光微爆技术把硅变成复杂新材料

  硅是制造计算机芯片的常见材料。最近,澳大利亚国立大学(ANU)和英国伦敦大学学院的研究人员合作,在硅上制造出激光诱导的微小爆炸,从而创造出多种奇特的新材料。研究人员认为,这一新技术有望为超导、高效太阳能电池和光传感器领域带来更简化的创新和制造工艺。  该研究负责人、ANU激光物理学家安德烈·罗德

以色列研究:芯片中的硅或可被新材料取代

  以色列理工学院近日发布公报说,该院人员领衔的一项新研究开发出了一种新材料,将来有可能取代芯片中的硅。  一个芯片可能包含数十亿个晶体管,芯片性能的提升基于晶体管的不断小型化。近年来硅晶体管的小型化速度已放缓,因为到达一定微小尺度后,晶体管功能会受到量子力学某些效应的干扰,从而影响正常运行。  这

新材料将令芯片更小-硅时代进入倒计时

  硅基晶体管无法一直缩小下去,芯片公司已经考虑用其它材料取代硅,其中的热门替代材料包括锗和半导体化合物III-V。   加州伯克利大学教授胡正明确信硅的日子屈指可数,下一代或下下一代人将不会再使用硅,将会有更好的材料去取代硅。硅基晶体管无法一直缩小下去,芯片公司已经考虑用其它材料取代硅,其中的热

硅材料展会|2024中国(上海)国际硅业新材料展览会「官网」

展会名称:2024中国(上海)国际半导体展览会英文名称:China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间:2024年11月18-20日 论坛时间:2024年11月18-19日 展会地点:上海新国际

离子置换方法制备出超级电容器新材料

  近日,记者从郑州大学了解到,该校化学与分子工程学院副教授陈卫华博士带领的课题组,在国家自然科学基金和河南省教育厅基础研究计划等项目支持下,率先利用部分离子置换的方法制备出高性能硫化物超级电容器电极材料,相关研究成果发表在最近一期由美国化学会主办的《材料化学期刊》上。  据悉,与传统电容器相比,超

锂电池时代可维持多久?超级电容引入新材料

  记者近日从盐城工学院获悉,一种多级孔结构碳材料在该校诞生,而使用新型纳米材料的超级电容器,创造了全球极快速充放电电容量的新纪录。目前该研究成果已在线发表在《纳米快报》上。  超级电容器是一种功率密度大的储能装置,能够在极短时间内充放电,但是受制于能量密度小,应用范围远不如锂电池。为此,让新型电极

有机硅肥助超级稻创世界纪录

  百亩示范田高产攻关项目测产在邯郸举行  图为袁隆平院士、宋福如董事长(左一)在示范田参加实打实收测产活动  10月15日,由“杂交水稻之父”、中国工程院院士袁隆平领衔的超级杂交水稻科研组,与河北硅谷农科院、河北硅谷肥业有限公司合作开展的高产攻关项目,在河北邯郸市永年区河北硅谷农科院超级杂交水稻百

迈图高新材料破产给有机硅业的启示

  近日,迈图高新材料集团(MomentivePerformanceMaterialsInc)向美国证券交易委员会递交了破产保护申请文件。事实上继阿波罗全球管理公司在2006年以38亿美元实现杠杆收购之后,迈图作为前通用电气公司(GE)的有机硅业务部门,在2008年金融危机之前就已背负沉重的资产债务

锂电池的新材料硅碳复合负极材料的介绍

  数码终端产品的大屏幕化、功能多样化后,对电池的续航提出了新的要求。当前锂电材料克容量较低,不能满足终端对电池日益增长的需求。  硅碳复合材料作为未来负极材料的一种,其理论克容量约为4200mAh/g以上,比石墨类负极的372mAh/g高出了10倍有余,其产业化后,将大大提升电池的容量。现在硅碳复

日本新材料专家:30年后将是“超级钢铁”的时代

  “30年后将是"超级钢铁"的时代”访日本新材料科学家长井寿   我们的口号是“开发出强度为现代钢铁的2倍,寿命也为2倍的超级钢铁”   日本将不需要铁矿石了,所有的废铁都有可能被制造成“超级钢铁”。这也必将是中韩等国要走的路。   日本从1997年开始研究具有高强度和长寿命的“超级钢铁”。

中原工学院制备出超高比容超级电容器新材料

  河南中原工学院先进材料研究中心教授米立伟带领储能研究团队,率先利用温和剥离法制备出了超薄氢氧化镍纳米片组装的微米花超级电容器电极材料。相关成果日前发表于《纳米研究》杂志。  据了解,氢氧化镍具有较高的理论比容量,并且廉价、环境友好,是超级电容器最佳的电极材料之一,但自身较差的导电性极大地降低了其

科学家离子置换方法制备出超级电容器新材料

  日前,记者从郑州大学了解到,该校化学与分子工程学院副教授陈卫华博士带领的课题组,在国家自然科学基金和河南省教育厅基础研究计划等项目支持下,率先利用部分离子置换的方法制备出高性能硫化物超级电容器电极材料,相关研究成果发表在最近一期由美国化学会主办的《材料化学期刊》上。  据悉,与传统电容器相比,超

俄美研制新材料太阳能电池,或能取代硅基电池

  硅基太阳能电池从20世纪中叶研发到现在也有几十年了,这几十年中,关于太阳能发电领域一直也没有什么革命性的突破。硅基电池虽然非常流行,但是其技术缺陷也十分明显,比如制作耗能、成本高,电池脆弱、重量大等等。而这些问题都将被解决,因为俄美联合推出了新材料。  俄罗斯莫斯科钢铁合金学院和美国德克萨斯大学

俄勒冈州立大学发现可制造超级电容器的低成本新材料

  科学家们宣称,树木很快就会在能量存储设备上扮演重要角色。俄勒冈州立大学的化学家发现,纤维素——地球上最丰富的有机聚合物,树的一个关键组成元素——在加热炉中氨氛围下加热,可以成为超级电容器的构建材料。   超级电容器是大功率能量存储设备,具有广泛的工业应用,其使用一直受限于高质量碳电极的制备困难

怎样检测硅铁的硅含量

检测硅铁的硅含量最简单的方法是:重量法测定硅铁中硅含量。在重量法测定硅含量中,又具体分为三种方法,即:1、 高氯酸脱水重量法测定硅量;2、 盐酸脱水重量法测定硅量;3、 挥硅减量重量法。硅铁的硅含量的测定方法有多种。用以测定硅铁合金中硅测定的化学分析方法主要有重量法和氟硅酸钾容量法。现代仪器分析中,

袁隆平:中国“超级稻”既有“超级量”也有“超级质”

  “我们的‘超级稻’可以和日本最有名的越光米媲美,而且产量比他们高。”17日,正在长沙举行的“2017中国企业跨国投资研讨会”上,中国“杂交水稻之父”袁隆平表示,中国的杂交稻实现了高产,也做到了优质。    资料图 图为“杂交水稻之父”袁隆平观察“巨型稻”生长情况。中新社记者 徐志雄 摄  当天,

超级稻到底有多“超级”?

  4月9日,“超级稻”在互联网上又火了一把。伴随《隆平超级稻减产绝收被下逐客令》成为各大网站、朋友圈转载的头条与热点,半年前发生的安徽万亩超级稻减产绝收事件,再度引发超级稻有多“超级”的热议。巧合的是,就在同一天,袁隆平团队与超级稻领域诸多专家,正在海南,举行“第五期超级稻观摩培训会”。  超级稻

硅与非硅材料“混搭”难题解决

  美国加州大学戴维斯分校的科学家最近展示了一种具有三维结构的纳米线晶体管,并借助该技术成功将硅与非硅材料集成到了一个集成电路中。研究人员称,该技术有望帮助硅材料突破瓶颈,为更快、更稳定的电子和光子设备的制造铺平道路。  硅是目前最常见的一种电子材料,但它并不是万能的。建立在传统蚀刻工艺基础的硅集成

氟电极法测定硅铁试样中的硅

一、方法要点硅铁试样先经碱熔,随后用热水及HCl浸取,定容后,吸取部分试液放入50mL烧杯中,在微酸性介质中,用过量KF(或NaF+KCl)溶液沉淀硅酸为K2SiF6,然后用氟电极法测定溶液中NaF的余量来换算硅的含量。在掩蔽剂存在下,可以排除共存的Fe3+、Al3+、Mn2+、Ni2+等离子的干扰

单晶硅的单晶硅制备与仿真

主要有两种方法:直拉法(Cz法)、区熔法(FZ法);1)直拉法其优点是晶体被拉出液面不与器壁接触,不受容器限制,因此晶体中应力小,同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶。此法制成的单晶完整性好,直径和长度都可以很大,生长速率也高。所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。因此,一些化学性

硅与非硅材料“混搭”难题解决

  美国加州大学戴维斯分校的科学家最近展示了一种具有三维结构的纳米线晶体管,并借助该技术成功将硅与非硅材料集成到了一个集成电路中。研究人员称,该技术有望帮助硅材料突破瓶颈,为更快、更稳定的电子和光子设备的制造铺平道路。  硅是目前最常见的一种电子材料,但它并不是万能的。建立在传统蚀刻工艺基础的硅集成

迈图高新材料集团突出多种Niax-新材料

  2013年9月10~12日的中国南京PUChina展会上,迈图高新材料集团(MPM)将发布一系列最新研发的Niax*硅油,催化剂和工艺助剂,Niax*添加剂应用范围广泛,它们可以应用到家电如冰箱和冰柜等绝热材料,汽车座椅和仪表盘等汽车内饰材料,床垫和枕头等家具和寝具材料,地毯背衬和电子材料,保温

硅晶片展|2024年上海硅晶片展览会

展会名称:2024中国(上海)国际半导体展览会英文名称:China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间:2024年11月18-20日 论坛时间:2024年11月18-19日 展会地点:上海新国际

镍铬硅镍硅热电偶丝的材料介绍

中文名称镍铬硅-镍硅热电偶丝英文名称nickel-chromium-silicon/nickel-silicon thermocouple wire定  义.2%Cr-1.4%Si合金丝与Ni-4.4%Si合金丝组成的热电偶丝。应用学科机械工程(一级学科),仪器仪表材料(二级学科),测温材料(仪器仪

有机硅中的硅能用ICP测出来吗

有机硅助剂性能检测实验1.直接检测。直接检测需要一台将近40万的仪器,太贵。2.间接检测。通过检测稀释后的扩展面积,接触角,表面张力等数据间接表现有机硅性能和含量。材料·         配置0.1%的有机硅溶液(重量比0.1%);配制后1小时内使用[A]·         注射器或重复分液器(10

水中微量硅的硅钼蓝光度法测定

水中微量硅的硅钼蓝光度法测定硅钼蓝光度法测定硅, 一般在较高酸度下正硅酸与钼酸铵形成β型黄色硅钼杂多酸, 用还原剂还原成蓝色硅钼蓝, 在可见分光光度计于波长810~820nm 进行光度法测定。目前, 已知的还原剂种类很多, 且各有优缺点, 如氯化亚锡、硫酸亚铁铵, 还原速度快、灵敏度高, 而稳定性差