无扩散阻挡层Cu(Sn),Cu(C),Cu(Sn,C)薄膜的制备和表征
随着集成电路的发展特征尺寸不断下降,制备厚度薄且具有良好热稳定性的扩散阻挡层变得越来越具有挑战性。因此在Cu膜中直接添加少量元素来制备Cu种籽层的无扩散阻挡层结构受到了广泛关注。本论文采用磁控溅射方法,制备了无扩散阻挡层Cu(Sn), Cu(C)和Cu(Sn,C)薄膜。研究了单独掺杂大原子Sn,小原子C以及同时掺杂大原子Sn和小原子C对Cu膜的微结构和性能的影响。大原子Sn在Cu中有一定的固溶度,且特别容易和Cu发生反应形成化合物。为了研究这一类原子在Cu膜中的扩散阻挡机制,制备了不同含量的Cu(Sn)薄膜。研究结果显示电阻率随着Sn含量的减少在下降。不同含量的Sn在薄膜中所处状态不同,阻挡效果产生了差异。Sn含量超过了在Cu中的固溶度在薄膜中会形成Cu-Sn化合物,Sn被薄膜中的Cu消耗使得阻挡效果没有很好的显示出来。而添加元素Sn在Cu中保持固溶状态,不形成化合物析出,Sn起到了一定的阻挡效果。本文中研究了C含量不同的Cu(......阅读全文
无扩散阻挡层Cu(Sn),Cu(C),Cu(Sn,C)薄膜的制备和表征
随着集成电路的发展特征尺寸不断下降,制备厚度薄且具有良好热稳定性的扩散阻挡层变得越来越具有挑战性。因此在Cu膜中直接添加少量元素来制备Cu种籽层的无扩散阻挡层结构受到了广泛关注。本论文采用磁控溅射方法,制备了无扩散阻挡层Cu(Sn), Cu(C)和Cu(Sn,C)薄膜。研究了单独掺杂大原子Sn,小原
无扩散阻挡层Cu(Sn),Cu(C),Cu(Sn,C)薄膜的制备和表征
随着集成电路的发展特征尺寸不断下降,制备厚度薄且具有良好热稳定性的扩散阻挡层变得越来越具有挑战性。因此在Cu膜中直接添加少量元素来制备Cu种籽层的无扩散阻挡层结构受到了广泛关注。本论文采用磁控溅射方法,制备了无扩散阻挡层Cu(Sn), Cu(C)和Cu(Sn,C)薄膜。研究了单独掺杂大原子Sn,小原
无扩散阻挡层Cu(C)和Cu(Ti)薄膜的制备及表征
随着超大规模集成电路中器件和互连线尺寸的不断减小,厚度薄且具有良好的阻挡性能及电学性能的扩散阻挡层的制备变得越来越具有挑战性,必须要引进新材料和新工艺来解决这一问题,因此向Cu膜中直接加入少量元素来制备Cu种籽层的无扩散阻挡层结构成为了该领域的重要研究内容。本论文采用磁控溅射在单晶Si(100)基体
稀土Ce对SnAgCu和SnCuNi钎料性能及焊点可靠性影响的研究
为适应电子、家电等行业满足RoHS指令的需要,迫切需要研制开发可替代Sn-Pb钎料的无铅钎料。研究无铅钎料的目的,不只是简单地提供一种替代品,还需要考虑无铅钎料的力学性能、钎焊性能及焊点可靠性能够与传统的Sn-Pb钎料相近、钎焊设备与工艺尽量改动不大等因素,因此开展无铅钎料的研究具有十分重要的理论意
生化检测项目血清铜（Cu2+,Cu)介绍
血清铜（Cu2+,Cu)介绍： 铜是人体必需的微量元素之一，是许多酶的重要组成成分。铜在中枢神经系统中具有重要作用。血清铜（Cu2+,Cu)正常值： 分光光度分析法、比色法： 出生-6个月： 3.14-10.99μmol/L (20-70μg/dl)； 6岁： 14.13-29.83μmol
临床化学检查方法介绍血清铜（Cu2+,Cu)
血清铜（Cu2+,Cu)介绍： 铜是人体必需的微量元素之一，是许多酶的重要组成成分。铜在中枢神经系统中具有重要作用。血清铜（Cu2+,Cu)正常值： 分光光度分析法、比色法： 出生-6个月： 3.14-10.99μmol/L (20-70μg/dl)； 6岁： 14.13-29.83μmol
cu相对原子质量是多少
铜是一种过渡元素，化学符号Cu，英文copper，原子序数29。铜呈紫红色光泽的金属，密度8.92克/立方厘米。熔点1083.4±0.2℃，沸点2567℃。有很好的延展性。导热和导电性能较好 铜（Cu）的相对原子质量是63.5，准确应为：63.546。 铜常见的价态是+1和+2
秦晓英课题组在铜锑合金热电性能研究中取得进展
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员秦晓英课题组在Cu3SbSe4热电性能研究中取得新进展。通过协同调控功率因子和导热性，提高铜锑合金的热电性能，相关研究成果发表在Materials Today Energy上。 随着工业社会的发展，化石燃料供应减少，为世界人口提供可持续的能
合肥物质科学研究院改善铜锑合金热电性能
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员秦晓英课题组在Cu3SbSe4热电性能研究中取得新进展。通过协同调控功率因子和导热性，提高铜锑合金的热电性能，相关研究成果发表在Materials Today Energy上。 随着工业社会的发展，化石燃料供应减少，为世界人口提供可持续的能
电子元器件电极表面状态对互连焊接可靠性的影响（三）
5．引脚可焊性镀层对焊接可靠性的影响1）Au镀层（1）镀层特点。该镀层有很好的装饰性、耐蚀性和较低的接触电阻，镀层可焊性优良，极易溶于钎料中。其耐蚀性和可焊性取决于有否足够的镀层厚度及无孔隙性。薄镀层的多孔隙性，易发生铜的扩散，带来氧化问题而导致可焊性变差。而过厚的镀层又会造成因Au的脆性而带来不牢
连发2篇Nature－Catalysis，崔屹等人CO2还原新进展！
CO2还原，既关乎环境，又关乎能源，是目前材料、化学领域科学家关注的重点议题。今天，我们要分享的是来自国际顶级研究团队关于CO2还原最新的2篇Nature Catalysis工作。 一篇来自斯坦福大学崔屹团队，主要是关于理论指导Sn/Cu合金催化剂的设计制备，并在低过电位条件下实现了CO2高选
可萃取cu可以通过高温去除吗
萃取必少共同性步骤用杂质氯仿除杂性碳脱色石油醚除或通低温静止除杂各工艺差别仅于浸提条件、数等)、节能避免茶酚高温氧化 6；需要用量机溶剂机溶剂收困难毒、色素：茶叶原料热水提取滤沉淀转溶萃取浓缩真空干燥茶酚粗品已报道使用沉淀剂4类即机盐类：萃取压力20MPa萃取温度50℃离压力5Mpa离温度40℃二氧
原子吸收AAS元素分析方法铜Cu
1. 基本特性: 原子量 63.54 电离电位 7.7 （ev） 离解能 4.9 （ev）2. 样品处理: HNO3; HNO3+HFL; HCL+HNO3; HCL+H2O2; HCL+HNO3+HCLO4; HNO3+HCLO4+H2SO4; H2SO4+H3PO4+HC
ICP普通铁矿石Mn,－Cu,测定方法
称取试样0 . 200 0 g置于250 m L烧杯中，加人盐酸（密度1 .19 g/mL）30 mL,3滴HF，低温加热分解30-60 min，取下稍冷，加入硝酸（密度1.42 g/mL） SmL，高氯酸（密度1. 67 g/m L） 10mL，继续加热冒高氯酸烟10 min。取下冷却，用
原子吸收AAS元素分析方法铜Cu
原子吸收AAS--元素分析方法--铜Cu1. 基本特性: 原子量 63.54 电离电位 7.7 （ev） 离解能 4.9 （ev）2. 样品处理: HNO3; HNO3+HFL; HCL+HNO3; HCL+H2O2; HCL+HNO3+HCLO4; HNO3+HCLO4+H2S
电子元器件电极表面状态对互连焊接可靠性的影响（四）
7）SnPb镀层●SnPb合金镀层在PCB生产中可作为碱性保护层，对镀层要求是均匀、致密、半光亮。●SnPb合金熔点比Sn、Pb均低，且孔隙率和可焊性均好。只要含Pb量达到2％～3％就可以消除Sn“晶须”问题。●在PCB上电镀SnPb合金必须有足够的厚度，才能为其提供足够的保护和良好的可焊性。MIL
PCB表面涂覆层的功能和选用分析（二）
PCB表面涂（镀）覆层的应用效果与未来在无阻档层表面的焊料焊接会影响焊接点可靠性和使用寿命PCB的发展和应用实践表明，它发生故障主要是来自焊接点，特别是在较长期使用或连续应用的场合。在无阻档层（或铜）表面的焊料直接焊接的故障率要远大于在铜上有阻档层表面的焊料焊接场合！研究和观察表明：焊料直接焊接在无
理想焊点的质量模型及其影响因素有哪些？（二）
2．平整且厚度合适的均匀IMC层（1）连续而平整的IMC层。连续而平整的IMC层如图4所示。图4 连续而平整的IMC层（2）厚度合适（＜5μm）的IMC层。① 生长过厚的合金层将影响焊点的机电性能。德国ERSA研究所的研究表明，生成的金属间化合物厚度在4μm以下时，对焊点机械强度影响不大。IMC的厚
AAS法测定固体盲样中Pb、Cu和Cd的要点
主要内容一. 考核盲样分析的主要项目和手段二．考核中的质量控制方法（AAS法）三．考核前的准备（AAS法）四．考核样品的分析（AAS法）五．实际例子 在实验室认可、认证或能力测试过程中，考核的方式有：盲样考核、留样复测、人员比对和目击实验等，其中盲样特别是固体盲样的分析一直是考核的重点和难点
微合金化对Sn9Zn无铅钎料钎焊性能影响及润湿机理研究
鉴于Pb的毒性及各国禁Pb法令的出台,研发可替代传统Sn-Pb合金的无铅钎料在世界范围得到了广泛关注。Sn-Zn系无铅钎料凭借其合适的熔点、低廉的成本以及良好的力学性能,有望发展成为新一代的无铅钎料。然而,二元Sn-Zn合金在润湿性、高温抗氧化性以及耐腐蚀性等方面的不足严重制约了该钎料体系的应用、推
阳离子的鉴定方法（三）
Cu2+1．取l滴Cu2+试液，加1滴6mol·L-1HAc酸化，加l滴K4[Fe(CN)6]溶液，红棕色沉淀出现，示有Cu2+2Cu2+ + [Fe(CN)6]4－ = Cu2[Fe(CN)6]↓1．在中性或弱酸性溶液中进行。如试液为强酸性，则用3mol·L-1NaAc调至弱酸性后进行。沉淀不
电子元器件电极表面状态对互连焊接可靠性的影响（二）
（2）弱润湿（Dewetting）：钎料在基体金属表面覆盖了一层薄钎料，留下一些由钎料构成的不规则的小颗粒或小瘤，但未暴露基体金属。也有人将其称为“半润湿”，如图3所示。图3（3）不润湿（Non－wetting）：钎料在基体金属表面仅留下一些分离的、不规则的条状或粒状的钎料，它们被一些小面积
解析钎料的电子迁移现象（二）
电子从左向右流动，使左侧的界面金属间化合物层变厚，反过来在右侧的变薄。像这样在＋极侧和－极侧化合物的生长的差异，是因热扩散和电子迁移扩散的和或差的不同所导致的，在左侧由于热造成的化合物生长的方向和由电子迁移扩散驱进的化合物生长的方向一致，因而化合物生长得厚，而在右侧二者是相反的，因而生长的厚度薄。另
液液萃取GFAAS法测定生物样品中的Cu(Ⅰ)
液液萃取-石墨炉原子吸收法测定生物样品中Cu(Ⅰ)方法.200μL血清及细胞匀浆、细胞膜液等样本与200μL 30％ 三氯乙酸混匀后,离心去蛋白,取上清液400与1500μLpH为12.5的甘氨酸-NaOH-缓冲溶液混至pH约为9,加入含1000μL 0.05％2,2′-联喹啉的正戊醇溶液,旋涡振荡
实验室光谱仪器的应用Cu元素分析
(1)干扰:无显著阴、阳离子干扰。(2)注意事项: ①测定溶液应保持一定酸度,以防胶状物生成,影响吸光度值。②高灵敏度测定用324.8nm,低灵敏度测定用249.2nm。③若用含Fe,Ni的多元素灯,应注意狭缝的大小,使其不要干扰Cu324.7nm。铜是最经常和最容易用原子吸收测定的元素之一。它在空
研究实现电催化一氧化氮高效合成氨
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/512312.shtm近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员肖建平团队和研究员汪国雄团队在电催化一氧化氮还原反应（eNORR）合成氨研究方面取得新进展，其在Cu6Sn5合金催化剂上实现了96.9%的氨法
解析钎料的电子迁移现象（一）
一、问题的引出电子迁移长期以来用于研究半导体配线缺陷的形成机理及对策。伴随着半导体配线的微细化，流过配线的电流值显著上升。今天VLSI中的Al或Cu线宽为0．1μm、厚0．2μm的截面上，即使只通过1mA的电流，其电流密度也高达106A／cm2。面对如此大的电流密度，只要温度稍有变化，也将很容易导致
变形锡青铜的主要化学成分和力学性能
变形锡青铜的主要化学成分和力学性能牌 号主要成分力学性能状态抗拉强度/MPa伸长率/%布氏硬度/MPaQSn 4-0.3Cu-4Sn-0.3P软硬34060052855～70）×10（160～180）×10QSn6.5-0.1Cu-6.5Sn-0.15P软硬350～450700～80060～707.
产业评析无铅环保趋势－绿色封装
一、欧盟与日本推动相关标准、法案十分积极 PRISMARK PARTNERS LLC.估计目前只有5%的电子产品为无铅产品，全球电子产业每年使用焊料中，有将近20,000吨的铅，数量约占全世界每年铅产量的5%，铅对人类的大脑、神经系统、肝脏、肾脏等伤害很大，铅锡焊料中的铅若渗入土壤中，也会对地下水源
大连化物所实现电催化一氧化氮高效合成氨
近日，中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室理论催化创新特区研究组研究员肖建平团队，联合碳基资源电催化转化研究组研究员汪国雄团队，在电催化一氧化氮还原反应（eNORR）合成氨研究方面取得了新进展。该研究在Cu6Sn5合金催化剂上实现了96.9%的氨法拉第效率和安培级电流密度。 氮氧