金属有机化学气相沉积法生长AlN／Si结构界面的研究
用金属有机化学气相沉积法在Si（111）衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长。 ......阅读全文
金属有机化学气相沉积法生长AlN/Si结构界面的研究
用金属有机化学气相沉积法在Si（111）衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要
金属有机化学气相沉积法生长AlN/Si结构界面的研究
采用金属有机化学气相沉积法在Si（111）衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主
化学气相沉积法生产几种贵金属薄膜
贵金属薄膜因其有着较好的抗氧化能力、高导电率、强催化活性以及极其稳定引起了研究者的兴趣。和生成贵金属薄膜的其他方式相比，化学气相沉积法有更多技术优势，所以大多数制备贵金属薄膜都会采用这种方式。沉积贵金属薄膜用的沉积员物质种类比较广泛，不过大多是贵金属元素的卤化物和有机化合物，比如COCl2、氯化
什么是气相沉积法
化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。 化学气相沉积主要是以末种化合物,为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成单质原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用次单质或其稳定化合物等。
氢化物气相外延（HVPE）
牛总部设在美国马里兰州银泉的TDI是世界领先的发展生产新型化合物半导体，如GaN，AlN，AlGaN ，InN和InGaN的氢化物气相外延( HVPE )工艺和技术的公司。 这些材料被用于各种应用，最主要的是固态照明，短波长光电子和射频功率电子。 TDI生产的氮化物模板
物理气相沉积法与化学气相沉积法有何区别
物理气相沉积法可以看作是物理过程，实现物质的转移，最终沉积到靶材上面。化学气相沉积法是在一定条件下通过化学反应，形成所需物质沉积在靶材或者基材表面。
物理气相沉积法与化学气相沉积法有何区别
物理气相沉积法与化学气相沉积法有3点不同，相关介绍具体如下：一、两者的特点不同：1、物理气相沉积法的特点：物理气相沉积法的沉积粒子能量可调节，反应活性高。通过等离子体或离子束介人，可以获得所需的沉积粒子能量进行镀膜，提高膜层质量。通过等离子体的非平衡过程提高反应活性。2、化学气相沉积法的特点：能得到
物理气相沉积法与化学气相沉积法有何区别
物理气相沉积法与化学气相沉积法有3点不同，相关介绍具体如下：一、两者的特点不同：1、物理气相沉积法的特点：物理气相沉积法的沉积粒子能量可调节，反应活性高。通过等离子体或离子束介人，可以获得所需的沉积粒子能量进行镀膜，提高膜层质量。通过等离子体的非平衡过程提高反应活性。2、化学气相沉积法的特点：能得到
科学家开发出石墨烯/蓝宝石外延衬底－促进AlN薄膜生长
深紫外LED可以广泛应用于杀毒、消菌、印刷和通信等领域，国际水俣公约的提出，促使深紫外LED的全面应用更是迫在眉睫，但是商业化深紫外LED不到10%的外量子效率严重限制了深紫外LED的应用。AlN材料质量是深紫外LED的核心因素之一，AlN薄膜主要是通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）的方法异
科学家发现促进AlN薄膜生长实现深紫外LED的新策略
深紫外LED可以广泛应用于杀毒、消菌、印刷和通信等领域，国际水俣公约的提出，促使深紫外LED的全面应用更是迫在眉睫，但是商业化深紫外LED不到10%的外量子效率严重限制了深紫外LED的应用。AlN材料质量是深紫外LED的核心因素之一，AlN薄膜主要是通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）的方法异
简述化学气相沉积法优缺点
化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-
物理气相沉积法和化学气相沉积法的优劣势有哪些
化学气相沉积过程中有化学反应，多种材料相互反应，生成新的的材料。物理气相沉积中没有化学反应，材料只是形态有改变。物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。缺点膜一基结合力弱,镀膜不耐磨, 并有方 向性化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜,又可按要
物理气相沉积法和化学气相沉积法的优劣势有哪些
化学气相沉积过程中有化学反应，多种材料相互反应，生成新的的材料。物理气相沉积中没有化学反应，材料只是形态有改变。物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。缺点膜一基结合力弱,镀膜不耐磨, 并有方 向性化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜,又可按要
量子工程非平衡掺杂实现高效p型超宽禁带氮化物材料
近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员黎大兵团队和中科院半导体研究所研究员邓惠雄合作，报道了一种通过量子工程非平衡掺杂实现高效率p型超宽禁带氮化物材料的方法。该研究发现，将GaN量子点引入高Al组分AlGaN材料体系中，可以提升材料局部价带顶能级，使得Mg受主激活能大幅度降低，从而获
物理气相沉积和化学气相沉积的对比
化学气相沉积过程中有化学反应，多种材料相互反应，生成新的的材料。 物理气相沉积中没有化学反应，材料只是形态有改变。 物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。缺点膜一基结合力弱,镀膜不耐磨, 并有方 向性 化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非
化学气相沉积的概述
化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物
化学气相沉积的特点
1）在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。 2）可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好）。 3）采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。 4）涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化
氮化铝的理化性质
氮化铝，共价键化合物，是原子晶体，属类金刚石氮化物、六方晶系，纤锌矿型的晶体结构，无毒，呈白色或灰白色。氮化铝(AlN)是一种人工合成矿物，并非天然存在于大自然中。AlN的晶体结构类型为六方纤锌矿型，具有密度小(3.26g/cm3)、强度高、耐热性好（约3060℃分解）、热导率高、耐腐蚀等优点。氮化
气相色谱中si是什么意思
这是一种化学符号。在气相色谱中，Si通常是指硅（Silicon）的化学符号，硅是一种常见的元素，常用于制造半导体材料和太阳能电池等，在气相色谱中，硅可能作为某些化合物的组成部分或者作为某些固定相材料的主要成分。Si旧称矽，原子序数14，相对原子质量28.0855，有无定形硅和晶体硅两种同素异形体，属
化学气相沉积法需要哪些实验仪器和药品
1,首先你需要一台化学气相沉积机台，常见的有牛津的PECVD几台。2,药品的话主要是一切特殊气体，如硅烷，氮气，氨气，氧气，笑气，氟化碳气体等。3,试验步骤建议使用田口的DOE实验法，这样你可以省去一些不必要的试验。
通过氯化氢化学气相沉积法对厚4HSiC薄膜同质外延生长...
通过氯化氢化学气相沉积法对厚4H-SiC薄膜同质外延生长的工艺优化 通过氯化氢化学气相沉积法对厚4H－SiC薄膜同质外延生长的工艺优化本篇文章中提出了一种通过氯化氢化学气相沉积（HCVD）在4°切割基板上快速同质外延生长厚的4H－SiC薄膜的工艺优化方法。所使用的气体是HCl与SiH4，C2H
化学气相沉积系统共享
仪器名称：化学气相沉积系统仪器编号：13003987产地：美国生产厂家：TRION型号：PHANTOMIII出厂日期：201205购置日期：201303所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278
化学气相沉积的原理简介
化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步： （1）形成挥发性物质 ； （2）把上述物质转移至沉积区域 ； （3）在固体上产生化学反应并产生固态物质 。 最基本的化学气相沉积反应包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等几
气相沉积是什么意思
其含义是气相中化学反应的固体产物沉积到表面。CVD装置由下列部件组成；反应物供应系统，气相反应器，气流传送系统。反应物多为金属氯化物，先被加热到一定温度，达到足够高的蒸汽压，用载气（一般为Ar或H2）送入反应器。如果某种金属不能形成高压氯化物蒸汽，就代之以有机金属化合物。在反应器内，被涂材料或用金属
简述化学气相沉积的应用
现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料，这些功能材料必须是高纯的，或者是在高纯材料中有意地掺入某种杂质形成的掺杂材料。但是，我们过去所熟悉的许多制备方法如高温熔炼、水溶液中沉淀和结晶等往往难以满足这些要求，也难以保证得到高纯度的产品。因此，无机新材料的合成就成为现代材料科学中的主要课题。
大尺寸单晶石墨烯及其薄膜制备和无损转移取得重要进展
金属所大尺寸单晶石墨烯的化学气相沉积法制备及其无损转移取得重要进展 最近，中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室先进炭材料研究部的成会明、任文才研究员带领的石墨烯研究团队，在大尺寸单晶石墨烯及其薄膜的制备和无损转移方面取得重要进展。相关论文于2月28日在《自然—通
物理气相沉积和化学气相沉积的区别及优缺点
化学气相沉积过程中有化学反应，多种材料相互反应，生成新的的材料。物理气相沉积中没有化学反应，材料只是形态有改变。物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。缺点膜一基结合力弱,镀膜不耐磨, 并有方 向性化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜,又可按要
压电传感器原理及应用（一）
一、压电效应及压电材料1、压电效应压电材料是指受到压力作用在其两端面会出现电荷的一大类单晶或多晶的固体材料，它是进行能量转换和信号传递的重要载体。最早报道材料具有压电特性的是法国物理学家居里兄弟，1880年他们发现把重物放在石英晶体上，晶体某些表面会产生电荷，电荷量与压力成正比，并将其成为压
液相法氮化镓晶体生长研究
GaN是一种宽带隙半导体材料，具有高击穿电压、高的饱和电子漂移速度、优异的结构稳定性和机械性能，在高频、高功率和高温等应用领域具有独特的优势。在光电子和功率器件中具有广阔的应用前景。在液相生长技术中，助溶剂法和氨热法是生长高质量GaN的有效方法，该论文全面总结了这两种方法生长GaN的研究进展，详细分
解析引发式化学气相沉积（iCVD）
引发式化学气相沉积（iCVD）方法是一种绿色新型的功能高分子薄膜制备方法。结合传统的液相自由基聚合反应与化学气相沉积技术，iCVD方法将聚合所需的引发剂和功能单体气化引入腔体，在较低加热温度下诱导引发剂裂解，使单体聚合成高分子薄膜沉积于基底上。沉积过程中基底温度控制在室温范围，因此不会伤害其性能