电工所科技前沿论坛“微光刻与电子束光刻技术”开讲
从1958年世界第一块平面集成电路到2012年04月24日英特尔在北京天文馆正式发布核心代号为Ivy Bridge的第三代酷睿处理器—英特尔首款22纳米工艺处理器，短短五十多年，微电子技术一直遵循着摩尔定律，发展势头迅猛。 针对微光刻与电子束光刻技术发展图谱，7月6日，中科院微电子所陈宝钦研究员做客电工所《科技前沿论坛》学术报告会，与电工所科研人员分享了一堂精彩的交流课。 作为全国半导体设备与材料标准化技术委员会副主任、微光刻分委会主任，全国纳米技术标准化技术委员会微纳加工技术工作组副秘书长，北京半导体专业委员会副主任、制版分会主任，陈宝钦研究员多年来一直从事光掩模与先进掩模制造技术、电子束光刻技术、微光刻与微纳米加工技术的研究和开发工作。 本次报告，陈宝钦研究员主要讲解了从1958年世界上出现第一块平面集成电路到20世纪80年代世界上集成电路制造进入自动化大生产，再到2012年英特尔首款22纳米工艺处......阅读全文
QTCP集成电路的封装特点
QTCP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
QIC集成电路的封装特点
QIC(quad in-line ceramic package)陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。
SOW集成电路的封装特点
SOW(Small Outline Package(Wide-Jype))宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。
FP集成电路的封装特点
FP(flat package)扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。
QFI集成电路的封装特点
QFI(quad flat I-leaded packgac)四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I 字 。 也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。
PAC集成电路的封装特点
PAC(pad array carrier)凸点陈列载体，BGA 的别称(见BGA)。
PCLP集成电路的封装特点
PCLP(printed circuit board leadless package)印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。
LQFP集成电路的封装特点
LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。
模拟集成电路的应用
模拟集成电路的基本电路包括电流源、单级放大器、滤波器、反馈电路、电流镜电路等，由它们组成的高一层次的基本电路为运算放大器、比较器，更高一层的电路有开关电容电路、锁相环、ADC/DAC等。根据输出与输入信号之间的响应关系，又可以将模拟集成电路分为线性集成电路和非线性集成电路两大类。前者的输出与输入
SQL集成电路的封装特点
SQL(Small Out-Line L-leaded package)按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。
SOI集成电路的封装特点
SOI(small out-line I-leaded package)I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。
QIP集成电路的封装特点
QIP(quad in-line plastic package)塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。
SIL集成电路的封装特点
SIL(single in-line)SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。
SMD集成电路的封装特点
SMD(surface mount devices)表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。
模拟集成电路的简介
模拟集成电路主要是指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在一起用来处理模拟信号的集成电路。有许多的模拟集成电路，如运算放大器、模拟乘法器、锁相环、电源管理芯片等。模拟集成电路的主要构成电路有：放大器、滤波器、反馈电路、基准源电路、开关电容电路等。模拟集成电路设计主要是通过有经验的设计师进行手
MSP集成电路的封装特点
MSP(mini square package)QFI 的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
QFN集成电路的封装特点
QFN(quad flat non-leaded package)集成电路四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。90年代后期多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业 会规定的名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时
SIMM集成电路的封装特点
SIMM(single in-line memory module)单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的
SOIC集成电路的封装特点
SOIC(small out-line integrated circuit)SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。
MCM集成电路的封装特点
MCM(multi-chip module)多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。 MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低 。 MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以
DSO集成电路的封装特点
DSO(dual small out-lint)双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
COB集成电路的封装特点
COB(chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。
PFPF集成电路的封装特点
PFPF(plastic flat package)塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。
DFP集成电路的封装特点
DFP(dual flat package)双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，80年代后期已基本上不用。
JLCC集成电路的封装特点
JLCC(J-leaded chip carrier)J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。
CQFP集成电路的封装特点
CQFP(quad fiat package with guard ring)带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变 形。在把LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引
CDIP集成电路的封装特点
C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
Cerdip集成电路的封装特点
Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。
MQUAD集成电路的封装特点
MQUAD(metal quad)美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。
LOC集成电路的封装特点
LOC(lead on chip)芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。