助力半导体工业日本电子推出高通量分析电镜JEMACE200F
分析测试百科网讯 近日，日本电子总裁Gon-emon Kurihara对外宣布，日本电子将在2018年12月发布一款新型高通量分析电子显微镜—JEM-ACE200F，公司预设销售数量为30台/年。 产品开发背景 随着半导体工业中元器件进一步小型化，透射电镜已经成为元器件表征多种手段中必不可少的工具之一。这些工具，研究人员可以进行形态学观察、临界尺寸测量、元素分析、局部应变分析和掺杂浓度测量，尤其是半导体工业对形态观察、临界尺寸测量、元素分析等方面的数据采集提出了快速、稳定、高分辨率的要求，以便将这些数据采集反馈至制造过程。 针对以上需求，日本电子开发了一种全新的高通量TEM，即JEM-ACE200F。JEM-ACE200F可通过创建无需操作人员看管实际操作工作流程系统实现样品自动检测和数据自动生成。由于集成了JEM-ARM200F和FE-TEM JEM-F 200技术，JEM-ACE200F在性能和稳定性方面......阅读全文
什么是TEM测定
TEM = Transmission Electron Microscope 透射电子显微镜，简称：透射电镜。透射电镜是研究材料的重要仪器之一，在纳米技术的基础研究及开发应用中也不例外。但是用透射电镜研究材料微观结构时，试样必须是透射电镜电子束可以穿透的纳米厚度的薄膜。单体的纳米颗粒或纳米纤维一般是
TEM操作程序
操作程序1)开机准备(1) 合上总电源闸刀，开启电子交流稳压器，电压指示应为220V。开启循环水，温度指示应为15-20℃。(2) 开启主机真空开关。(3) 约20分钟后，待高真空指示灯及照相室指示灯亮。2)工作程序(1)开启主机电源开关，待荧光屏显示操作数据后再进行下一步。(2)逐级加高压致所需电
TEM的载网
载网透射电镜用载网均为直径为3mm、厚度为10-30μm的圆片，适用于所有厂家的各种型号的透射电镜，其主要作用是负载样品且在透射电镜观察时电子束能透过样品，因此基本为网格结构，表面未负载膜的载网称为“裸网”，按照不同的分类方法，主要包括：1)按孔的形状结构：如图1所示，一般分为圆孔裸网、方孔裸网等,
TEM样品的要求
根据透射电镜的成像原理可知，电子束需要穿透试样才能成像，这就要求被观察的样品对于入射电子束是“透明的”。电子束对薄膜样品的穿透能力和加速电压有关。当电子束的加速电压为200kV时，就可以穿透厚度为500nm的铁膜，如果加速电压增至l000kV，则可以穿透厚度大致为1500nm的铁膜。从图像分析的角度
什么是TEM测定
TEM = Transmission Electron Microscope 透射电子显微镜，简称：透射电镜。透射电镜是研究材料的重要仪器之一，在纳米技术的基础研究及开发应用中也不例外。但是用透射电镜研究材料微观结构时，试样必须是透射电镜电子束可以穿透的纳米厚度的薄膜。单体的纳米颗粒或纳米纤维一般是
TEM衍射测晶体
方法：有三种指数直接标定法、比值法(偿试－校核法)、标准衍射图法选择靠近中心透射斑且不在一条直线上的斑点，测量它们的R，利用R2比值的递增规律确定点阵类型和这几个斑点所属的晶面族指数(hkl)等。(1)、指数直接标定法：(已知样品和相机 常数L?)可分别计算产生这几个斑点的晶面间距d=L? /R并与
高分辨TEM答疑
1.TEM-EDS与XPS测试时采样深度的差别? XPS采样深度为2-5nm，我想知道EDS采样深度大约1um。 1.jpg 2.Z衬度像是利用STEM的高角度暗场探测器成像，即HAADF。能否利用普通ADF得到Z衬度像? 原子分辨率STEM并不
什么是TEM测定
TEM = Transmission Electron Microscope 透射电子显微镜，简称：透射电镜。透射电镜是研究材料的重要仪器之一，在纳米技术的基础研究及开发应用中也不例外。但是用透射电镜研究材料微观结构时，试样必须是透射电镜电子束可以穿透的纳米厚度的薄膜。单体的纳米颗粒或纳米纤维一般是
什么是TEM测定
TEM = Transmission Electron Microscope 透射电子显微镜，简称：透射电镜。透射电镜是研究材料的重要仪器之一，在纳米技术的基础研究及开发应用中也不例外。但是用透射电镜研究材料微观结构时，试样必须是透射电镜电子束可以穿透的纳米厚度的薄膜。单体的纳米颗粒或纳米纤维一般是
Transmission－Electron－Microscope－(TEM)
所谓TEM，就是一个放大镜叠加了一台照相机。这台放大镜的放大倍数比较高，可高达一百万倍。当然，抛开分辨率谈放大倍数都是耍流氓，那么，TEM的分辨率有多高呢？答案是 it depends。一般来说，TEM的分辨率要在1到2个纳米，STEM更高，但是STEM得成像技术类似于SEM，但用的不是二次电子。我
TEM观察室
观察室 透射电镜的最终成像结果，显现在观察室内的荧光屏上，观察室处于投影镜下，空间较大，开有1～3个铅玻璃窗，可供操作者从外部观察分析用。对铅玻璃的要求是既有良好的透光特性，又能阻断X线散射和其他有害射线的逸出，还要能可靠地耐受极高的压力差以隔离真空。 由于电子束的成像波
TEM块状样品制备
块状样品制备电解减薄方法用于金属和合金试样的制备。（1）块状样切成约0.3mm厚的均匀薄片；（2）用金刚砂纸机械研磨到约120~150μm厚；（3）抛光研磨到约100μm厚；（4）冲成Ф3mm 的圆片；（5）选择合适的电解液和双喷电解仪的工作条件，将Ф3mm 的圆片中心减薄出小孔；（6）迅速取出减薄
高分辨TEM答疑
1.TEM-EDS与XPS测试时采样深度的差别? XPS采样深度为2-5nm，我想知道EDS采样深度大约1um。 2.Z衬度像是利用STEM的高角度暗场探测器成像，即HAADF。能否利用普通ADF得到Z衬度像? 原子分辨率STEM并不是HAADF的ZL，ADF或明场探头也可以做到，只是可
电子级二维半导体与柔性电子器件研究新进展
在半导体器件不断小型化和柔性化的趋势下，以二硫化钼（MoS2）等过渡金属硫属化合物（TMDC）为代表的二维半导体材料显示出独特优势，具有超薄厚度（单原子层或少原子层）和优异的电学、光学、机械性能及多自由度可调控性，使其在未来更轻、更薄、更快、更灵敏的电子学器件中具有优势。然而，现阶段以器件应用为
扫描电子显微镜的半导体的电子束注入分析
扫描电子显微镜的探针——高能电子的性质使其特别适合于检查半导体材料的光学和电子特性。扫描电镜电子束中的高能电子将把载流子注入半导体。因此，电子束中的电子通过使电子受激从价带进入导带而失去能量，留下空穴。 在直接带隙材料中，这些电子-空穴对的复合将产生阴极射线发光；如果样品含有内部电场，如pn结
20202021电子显微新品一览－功能更强大操控更简单
近年来，高端制造成为中国重点的发展方向之一。例如半导体的芯片制造、生物医药、新能源电池等领域不断涌入人们的生活，各个企业也在不断的加大研发的投入从而以创新型产品投入空白市场以获得更好的发展。上述领域逐渐倾向于微小化和精细化发展，产品品控的重要性逐渐显现。显微技术作为微观分析的重要手段，已经成为产
日本7月进出口数据：半导体制造设备出口大增
本周三，日本财务省公布了日本7月进出口数据。数据显示，日本7月出口增速略低于预期，同时出口量延续了下滑趋势。这加剧了人们对日本经济前景的疑虑，也令日本央行进一步加息的道路上出现更重的迷雾。 日本7月出口额不及预期 日本财务省数据显示，日本7月出口额同比增长10.3%，为连续第八个月增长，但低
德州仪器收购飞索半导体两家日本芯片工厂
据国外媒体报道，德州仪器(TI)宣布收购飞索半导体在日本的两家芯片工厂。这家美国芯片制造商将收购已经申请破产的飞索日本公司的工厂和设备。 目前Spansion Japan Limited (SJL)经营这些资产，依照法院批准的重组计划，这些厂房将被德州仪器收购。收购这两座厂房後，德州
初步判断可控！强震导致日本多家半导体工厂停产检修
据日本气象厅消息，当地时间1月3日10时54分左右，日本石川县能登地区发生5.5级地震，最大震感为震度5强，震源深度10公里。 当地时间1月3日6时32分左右，日本石川县能登地区发生4.5级地震，最大震感为震度4，震源深度10公里。 集邦咨询发布报告称，本次地震导致多家半导体工厂停产，不过初
日本发布新一代直接喷涂有机半导体材料技术
近日，日本新一代涂布型电子元器件技术研究联盟（ECOW）宣布开发出了直接喷涂有机半导体材料的技术。新技术有望成为利用“静电喷雾沉积法（ESD）”技术取代真空蒸镀技术以及旋涂法和喷墨法等涂布技术的第三种有机半导体成膜技术。该联盟包括理化学研究所、埼玉大学、康奈可、东丽工程、理研风险公司FLOX等共
著名半导体光电子学家王圩逝世
1月26日，中科院半导体所发布王圩院士讣告。 以下为讣告全文：讣告 中国共产党优秀党员、中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体光电子学家王圩先生因病医治无效，不幸于2023年1月26日18点11分在北京逝世，享年86岁。 王圩院士1937年12月25日生于河北文安，1
半导体电子汽车衡传感器信号调节
随着半导体器件与集成技术在传感器中的应用，电子汽车衡传感器的信号调节与转换可以安装在传感器的壳体里与敏感元件一起集成在同一芯片上。因此，信号调节与转换电路以及所需电源都应作为传感器的组成部分。通常，电子汽车衡传感器由敏感元件和转换元件组成。但是由于电子汽车衡传感器输出信号一般都很微弱，需要有信号调节
EDI超纯水设备在电子半导体行业的应用
电子半导体行业生产过程中对水的应用要求较高，因此大多企业都会选择性价比较高的EDI超纯水设备。电子半导体行业EDI超纯水设备通常由多介质过滤器，活性碳过滤器，钠离子软化器、精密过滤器等构成预处理系统、RO反渗透主机系统、离子交换混床(EDI电除盐系统)系统等构成主要设备系统。 原水箱、中间水箱、
关于透射电子显微镜的基本原理介绍
电子显微镜是使用电子来展示物件的内部或表面的显微镜。高速的电子的波长比可见光的波长短（波粒二象性），而显微镜的分辨率受其使用的波长的限制，因此电子显微镜的理论分辨率（约0.1纳米）远高于光学显微镜的分辨率（约200纳米）。 透射电子显微镜（Transmission electron micro
透射电子显微镜的基本原理介绍
透射电子显微镜（Transmission electron microscope，缩写TEM），简称透射电镜，是把经加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上，电子与样品中的原子碰撞而改变方向，从而产生立体角散射。散射角的大小与样品的密度、厚度相关，因此可以形成明暗不同的影像，影像将在放大、聚焦后在
日本电子发布双束电镜JIB4700F
分析测试百科网讯 近日，日本电子株式会社发布JIB-4700F双束系统，一部新开发的FIB-SEM仪器。JIB-4700F 产品研发背景 新材料复杂结构的进步发展对FIB-SEM仪器分辨率，精度和通量提出了更高的特殊要求。对此，JEOL开发JIB-4700F多波束系统，一种新的处理和观测系统
日本电子株式会社上海代表处迁址通知
尊敬的客户： 您好! 承蒙各位长期以来对我司的关注和大力支持，在此表示衷心的感谢! 日本电子株式会社上海代表处因发展的需要，加强销售/售后与客户之间的联系，自2011年12月19日起，办公室喜迁新址。新址如下： 上海市西康路300号本本大厦1505-1506室 电话：0
日本电子发布新一代FEEPMA
分析测试百科网讯 近日，日本电子株式会社发布了肖特基式场发射电子探针显微分析仪(EPMA)JXA-8530F Plus。JXA-8530FPlus 产品研发背景 日本电子在2003年推出了世界上第一台商业化的FE-EPMA，JXA-8500F。一直被高度重视的FE-EPMA被应用于金属、材料
JEOL日本电子场发射扫描电镜共享应用
仪器名称：JEOL日本电子场发射扫描电镜仪器编号：A14000001产地：生产厂家：型号：出厂日期：购置日期：所属单位：材料学院>材料中心 >逸夫楼部分>扫描电子显微镜（SEM）分室放置地点：逸夫科技楼B112室固定电话：62773810固定手机：固定email：联系人：付惟琛（010-627711
透射电镜江湖纷争（一）：日本电子JEOL
如今的透射电子显微镜市场，可谓是呈三足鼎立之势：日本电子，日立和FEI。 今天主要介绍一下老大哥日本电子株式会社JEOL。 提起日本电子，大家都不陌生，目前在我国各大科研院所都不难看到JEOL电镜的影子。日本电子株式会社，是一家世界顶级的科学仪器生产制造商。在这么多的仪器制造商中说它顶级，其