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1.TEM-EDS与XPS测试时采样深度的差别? XPS采样深度为2-5nm，我想知道EDS采样深度大约1um。 1.jpg 2.Z衬度像是利用STEM的高角度暗场探测器成像，即HAADF。能否利用普通ADF得到Z衬度像? 原子分辨率STEM并不是HAADF的专利，ADF或明场探头也可以做到，只是可直接解释性太差，失去了Z衬度的优势。HAADF的特点除了收集角高以外，其采集灵敏度也大大高于普通的ADF探头。高散射角的电子数不多，更需要灵敏度。ADF的位置通常很低，采集角不高(即使是很短的相机长度)，此外它的低灵敏度也不适合弱讯号的收集。 3.能谱，有的叫EDS，也有的叫EDX，到底哪个更合适一些? 能谱的全称是：Energy-dispersive X-ray spectroscopy国际标准化术语:EDS-能谱仪，EDX-能谱学。 4.透射电镜简......阅读全文
1.TEM-EDS与XPS测试时采样深度的差别? XPS采样深度为2-5nm，我想知道EDS采样深度大约1um。 2.Z衬度像是利用STEM的高角度暗场探测器成像，即HAADF。能否利用普通ADF得到Z衬度像? 原子分辨率STEM并不是HAADF的专利，ADF或明场探头也可以做到，只是可
1.TEM-EDS与XPS测试时采样深度的差别? XPS采样深度为2-5nm，我想知道EDS采样深度大约1um。 1.jpg 2.Z衬度像是利用STEM的高角度暗场探测器成像，即HAADF。能否利用普通ADF得到Z衬度像? 原子分辨率STEM并不
高分辨电子显微像是让物镜后焦面的投射束河若干衍射通过物镜光阑，由于他们的相位相干而形成的相位衬度显微图像。由于参加成像的衍射束数量不同，得到不同名称的高分辨像。高分辨电子显微像的拍摄是一项十分细致费时的工作，需要注意很多问题，比如：（A）对含有非晶结构的膜拍摄高分辨像，应注意图像中晶区和非晶区特别是
最近做了个碱式碳酸锌的TEM 分析高分辨的时候发愁了 因为 根据卡片，它有很多面得间距多是很接近的 然后我高分辨出来的d值 不知道分给哪个面 一维还是两维？一维晶格只能就近标了，二维可以通过两个面的夹角来判定。 具体可以看看我的主题贴。 2维的 但是我不清楚各个面之间的夹角。。。 一维还是两维？一维
高分辨透射电子显微镜是研究微观结构的有力工具。获得可解释的高分辨像，样品厚度要满足苛刻的要求-弱相位物体近似。可以选择在Scherzer欠焦下观察，但有时不得不在大欠焦下拍摄图像提高图像衬度，比如在冷冻电镜中通常拍摄的离焦量为1-2μm，通过扣除成像过程中的衬度传递函数来获得样品的投影结构。实际
高分辨电镜是用来观察很薄试样的相位衬度像的其有厚尺度分辨本领的透射电镜。 高分辨电镜通常指用来观察很薄试样的相位衬度像（点阵像和结构像)的其有厚尺度分辨本领的透射电镜.若将电子的加速电压提高到1 Llf if 1k G"，则观察试样nJ厚达数}xm,这种电镜称为超高压I}}l分辨电镜
超高分辨成像常规共聚焦的XY分辨率只有200nm左右，奥林巴斯专利FV-OSR超高分辨技术可达到120nm，适用于大部分样品，无需特殊荧光染料，常规荧光染料、荧光蛋白均可进行成像，最多可实现4色同步超高分辨率成像。
分辨率 大孔径角的磁透镜，100KV时，分辨率可达0.005nm。实际TEM只能达到0.1－0.2nm，这是由于透镜的固有像差造成的。提高加速电压可以提高分辨率。已有300KV以上的商品高压（或超高压）电镜，高压不仅提高了分辨率，而且允许样品有较大的厚度，推迟了样品受电子束损伤的时间，因而
大孔径角的磁透镜，100KV时，分辨率可达0.005nm。实际TEM只能达到0.1－0.2nm，这是由于透镜的固有像差造成的。提高加速电压可以提高分辨率。已有300KV以上的商品高压（或超高压）电镜，高压不仅提高了分辨率，而且允许样品有较大的厚度，推迟了样品受电子束损伤的时间，因而对高分子的研究很有
高分辨电镜(HREM) 提高加速电压，使电子波长更短，能提高分辨本领。由于技术上的难度高，所以至70年代初超高压电镜主要针对提高穿透率。70年代末至80年代初技术上的提高带来了200 kV、300 kV的高分辨商品电镜及个别500 kV、600 kV和1000 kV的HREM。分辨本领能达2 ?左右