韩国三星首次研发5纳米半导体工艺
韩国《中央日报》发布消息称，三星电子已成功研发出5纳米(nm)半导体工艺，并于4月中正式量产首个利用极紫外光刻(EUV)的7纳米芯片。对于新一代半导体的精密工艺问题，三星电子与各企业间的技术较量也日趋激烈。 三星电子宣布成功开发的5纳米精密工艺采用了比现有的ArF更优越的EUV技术。与ArF工艺相比，EUV短波长，能够更加准确地画出精密半导体的电路。半导体的电路越设计越薄，芯片的尺寸变小，耗电量也同时减小，发热也降低，因此精密工艺尤为重要。 三星电子方面表示，此次开发的“5纳米工艺”通过最优化的单元储存设计，将比已有的7纳米减少25%的面积大小，同时电量使用率提高20%，性能提高10%。......阅读全文
韩国三星首次研发5纳米半导体工艺
韩国《中央日报》发布消息称，三星电子已成功研发出5纳米(nm)半导体工艺，并于4月中正式量产首个利用极紫外光刻(EUV)的7纳米芯片。对于新一代半导体的精密工艺问题，三星电子与各企业间的技术较量也日趋激烈。 三星电子宣布成功开发的5纳米精密工艺采用了比现有的ArF更优越的EUV技术。与ArF工
三星开发半导体石墨烯新工艺
三星电子近日宣布，三星先进技术研究所(SAIT)与韩国成均馆大学合作开发出一种新合成方法，可大面积制备应用于半导体的晶圆级单晶石墨烯。应用该方法制备的半导体单晶，具有优异的电性能和机械性能。该研究负责人说，“我们预计这一发现将加速石墨烯的商业化，并可能开创消费电子技术的新时代。” 石墨烯具
《纳米快报》：一维半导体纳米结构光子学
在基金委青年基金、纳米重点项目和国家纳米测试基金及973课题的支持下，湖南大学纳米技术研究中心潘安练、邹炳锁教授等团队成员和北京大学、国家纳米中心以及德国马普研究所合作，在一维半导体纳米结构光子学的研究上取得了重大突破：首次正式提出了半导体一维纳米结构中光子输运的概念，建立光传播的理论模型，并在实验
三星宣布3纳米工艺落地生产 竞争力几何？
半导体先进工艺竞赛继续，台积电、三星竞逐3纳米。6月30日，三星电子（KRX：005930）宣布，公司3纳米工艺芯片已经开始初步生产。 三星在声明中称，其3纳米工艺将首先应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器。不过，三星没有透露其3纳米工艺的首批客户，亦未公布其生产的
三星电子华丽回归 计划在韩打造大规模半导体生产集群
10月6日，三星电子在韩国京畿道平泽市古德工业园区与当地政府有关部门签订了建设半导体工厂相关项目投资与支援的协议。这是三星电子在韩国国内建设的第四条半导体生产线，三星方面也希望借此完成全球最大规模尖端半导体生产集群的建设布局。在智能手机事业风光无限了几年之后，三星电子的半导体事业以利润增长新支点
苏州纳米所阵列无机半导体纳米结构研究获系列进展
无机半导体纳米结构电极在太阳能电池、光解水及能量存储等器件中有着非常广泛的应用。电极的比表面积以及电荷输运能力是决定这些器件性能的关键因素。最近，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员封心建课题组在高性能无机半导体纳米电极的研究中取得了系列新进展。 电极材料的微观结构对其电学性能有着重要
韩三星电子投15.6亿万韩元建全球最大半导体生产线
全球迄今规模最大的半导体生产线——三星电子平泽半导体生产线项目近日在韩国京畿道平泽市正式开工建设。韩国总统朴槿惠、产业通商资源部长官尹相直、三星电子副会长兼代表理事权五铉等600余人出席了在平泽古德国际工业园区进行的开工仪式。 此次开工建设的平泽半导体生产线项目占地面积达289万平方米，相当于
“纳米画笔”勾勒未来低维半导体器件
如今人们的生活节奏在加快，对电子设备的要求也越来越高。各种新款电子设备都在变着法子表明自己功能更强大、体型更轻薄。然而，电子设备的功能越丰富、性能越强大，意味着这些设备单位体积中容纳的电子元件数目越多；体型越小意味着这些电子元件功能单元的体积越来越小。 就像我们每天都使用的手机，它的中央处理
三星电子与成均馆大学共同开发半导体石墨烯新工艺
三星电子近日宣布，三星先进技术研究所(SAIT)与韩国成均馆大学合作开发出一种新合成方法，可大面积制备应用于半导体的晶圆级单晶石墨烯。应用该方法制备的半导体单晶，具有优异的电性能和机械性能。该研究负责人说，“我们预计这一发现将加速石墨烯的商业化，并可能开创消费电子技术的新时代。” 石墨烯具
美开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜
据物理学家组织网8月21日(北京时间)报道，美国麻省理工学院的研究人员利用电子束光刻技术和剥离过程开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜。这是一种很有前途的新材料，可广泛应用并开辟潜在的重点研究领域。相关报告发表在近期出版的《纳米快报》杂志网络版上。 半导体纳米晶体的大小决定了它们的电子和光学性质