三星宣布3纳米工艺落地生产竞争力几何？
半导体先进工艺竞赛继续，台积电、三星竞逐3纳米。6月30日，三星电子（KRX：005930）宣布，公司3纳米工艺芯片已经开始初步生产。 三星在声明中称，其3纳米工艺将首先应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器。不过，三星没有透露其3纳米工艺的首批客户，亦未公布其生产的芯片种类和数量。 据三星声明，与三星5纳米工艺相比，其第一代3纳米工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%。三星还称，未来第二代3纳米工艺可以使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。 在芯片行业，纳米数越低，通常意味着工艺越先进，越有可能设计出性能更高的产品。台积电与三星是目前先进工艺竞赛的主要参与者。英特尔也正在奋力追赶，但与台积电、三星仍有一定距离。 此次三星赶在台积电3纳米量产前夕，宣布实现3纳米工艺初步生产。按照台积电此前公布的时间表，台积电3纳米（N3）工艺将在2022年下半年实现量产......阅读全文
韩国三星首次研发5纳米半导体工艺
韩国《中央日报》发布消息称，三星电子已成功研发出5纳米(nm)半导体工艺，并于4月中正式量产首个利用极紫外光刻(EUV)的7纳米芯片。对于新一代半导体的精密工艺问题，三星电子与各企业间的技术较量也日趋激烈。 三星电子宣布成功开发的5纳米精密工艺采用了比现有的ArF更优越的EUV技术。与ArF工
三星宣布3纳米工艺落地生产 竞争力几何？
半导体先进工艺竞赛继续，台积电、三星竞逐3纳米。6月30日，三星电子（KRX：005930）宣布，公司3纳米工艺芯片已经开始初步生产。 三星在声明中称，其3纳米工艺将首先应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器。不过，三星没有透露其3纳米工艺的首批客户，亦未公布其生产的
三星开发半导体石墨烯新工艺
三星电子近日宣布，三星先进技术研究所(SAIT)与韩国成均馆大学合作开发出一种新合成方法，可大面积制备应用于半导体的晶圆级单晶石墨烯。应用该方法制备的半导体单晶，具有优异的电性能和机械性能。该研究负责人说，“我们预计这一发现将加速石墨烯的商业化，并可能开创消费电子技术的新时代。” 石
《自然—纳米技术》：新工艺开发出“耐热”纳米颗粒
瑞士科学家最近利用一种新方法，成功制造出了硼硅酸盐玻璃纳米颗粒，由于耐热，这些粒子在微流系统中更加稳定。相关论文9月7日在线发表于《自然—纳米技术》(Nature Nanotechnology)。 由于较大的表面积-体积比(surface-to-volume ratio)，纳米粒子引起了科学家的广
纳米砂磨机应用：磷酸铁锂工艺
磷酸铁锂是一种新型锂离子电池电极材料。 其应用领域主要有： 1、储能设备 太阳能、风力发电系统之储能设备，不断电系统UPS，配合太阳能电池使用作为储能设备； 2、电动工具类 高功率电动工具（无线），电钻、除草机等； 3、电动车辆 电动机车，电动自行车，休闲车，高尔夫球车， 电动推
三星电子与成均馆大学共同开发半导体石墨烯新工艺
三星电子近日宣布，三星先进技术研究所(SAIT)与韩国成均馆大学合作开发出一种新合成方法，可大面积制备应用于半导体的晶圆级单晶石墨烯。应用该方法制备的半导体单晶，具有优异的电性能和机械性能。该研究负责人说，“我们预计这一发现将加速石墨烯的商业化，并可能开创消费电子技术的新时代。” 石墨烯具
上海纳米级等离子工艺研讨会预告
上海纳米级等离子工艺研讨会预告 2012年3月19日 本次研讨会将于Semicon2012开幕的前一天召开，我们在此诚意邀请工业界、学术界对微纳米及发光二极管等离子技术的发展趋势及设备制造与应用感兴趣的同行先进参加。 牛津仪器的外方应用专家及国内知名机构的用户将出席并发言。
IBM宣布用最新工艺制造5纳米芯片
IBM日前在日本京都宣布，该公司研究团队在晶体管的制造上取得了巨大的突破——在一个指甲大小的芯片上，从集成200亿个7纳米晶体管飞跃到了300亿个5纳米晶体管。据美国电气和电子工程师协会（IEEE）《光谱》杂志6日报道，这一出色表现有望挽救濒临极限的摩尔定律，使电子元件继续朝着更小、更经济的方向
石墨烯纳米带生产新工艺开发成功
据法国国家科学研究院11月19日消息，一支由美国佐治亚理工学院、法国国家科学研究中心、法国 SOLEIL同步辐射光源、法国洛林大学让·拉穆尔研究所和格勒诺布尔尼尔研究所的科研人员组成的团队，历经8年的合作研究，成功开发出生产石墨烯纳米带的新技术。石墨烯独特的物理特性令其成为电子设备的理想材料