三星宣布3纳米工艺落地生产竞争力几何？
半导体先进工艺竞赛继续，台积电、三星竞逐3纳米。6月30日，三星电子（KRX：005930）宣布，公司3纳米工艺芯片已经开始初步生产。 三星在声明中称，其3纳米工艺将首先应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器。不过，三星没有透露其3纳米工艺的首批客户，亦未公布其生产的芯片种类和数量。 据三星声明，与三星5纳米工艺相比，其第一代3纳米工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%。三星还称，未来第二代3纳米工艺可以使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。 在芯片行业，纳米数越低，通常意味着工艺越先进，越有可能设计出性能更高的产品。台积电与三星是目前先进工艺竞赛的主要参与者。英特尔也正在奋力追赶，但与台积电、三星仍有一定距离。 此次三星赶在台积电3纳米量产前夕，宣布实现3纳米工艺初步生产。按照台积电此前公布的时间表，台积电3纳米（N3）工艺将在2022年下半年实现量产......阅读全文
韩国三星首次研发5纳米半导体工艺
韩国《中央日报》发布消息称，三星电子已成功研发出5纳米(nm)半导体工艺，并于4月中正式量产首个利用极紫外光刻(EUV)的7纳米芯片。对于新一代半导体的精密工艺问题，三星电子与各企业间的技术较量也日趋激烈。 三星电子宣布成功开发的5纳米精密工艺采用了比现有的ArF更优越的EUV技术。与ArF工
三星宣布3纳米工艺落地生产－竞争力几何？
半导体先进工艺竞赛继续，台积电、三星竞逐3纳米。6月30日，三星电子（KRX：005930）宣布，公司3纳米工艺芯片已经开始初步生产。 三星在声明中称，其3纳米工艺将首先应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器。不过，三星没有透露其3纳米工艺的首批客户，亦未公布其生产的
三星开发半导体石墨烯新工艺
三星电子近日宣布，三星先进技术研究所(SAIT)与韩国成均馆大学合作开发出一种新合成方法，可大面积制备应用于半导体的晶圆级单晶石墨烯。应用该方法制备的半导体单晶，具有优异的电性能和机械性能。该研究负责人说，“我们预计这一发现将加速石墨烯的商业化，并可能开创消费电子技术的新时代。” 石墨烯具
《自然—纳米技术》：新工艺开发出“耐热”纳米颗粒
瑞士科学家最近利用一种新方法，成功制造出了硼硅酸盐玻璃纳米颗粒，由于耐热，这些粒子在微流系统中更加稳定。相关论文9月7日在线发表于《自然—纳米技术》(Nature Nanotechnology)。 由于较大的表面积-体积比(surface-to-volume ratio)，纳米粒子引起了科学家的广
三星电子公布人工智能半导体技术路线图
三星电子日前在美国硅谷举行“2024年三星代工论坛”，表示2027年将引入尖端晶圆代工技术，推出两种新工艺节点，形成包括人工智能半导体研发、代工生产、组装在内的全流程解决方案。 三星电子表示，目前正通过封装晶圆代工非内存半导体和高带宽内存的集成解决方案，研发高性能、低能耗的人工智能半导体产品，
纳米砂磨机应用：磷酸铁锂工艺
磷酸铁锂是一种新型锂离子电池电极材料。 其应用领域主要有： 1、储能设备 太阳能、风力发电系统之储能设备，不断电系统UPS，配合太阳能电池使用作为储能设备； 2、电动工具类 高功率电动工具（无线），电钻、除草机等； 3、电动车辆 电动机车，电动自行车，休闲车，高尔夫球车， 电动推
三星电子与成均馆大学共同开发半导体石墨烯新工艺
三星电子近日宣布，三星先进技术研究所(SAIT)与韩国成均馆大学合作开发出一种新合成方法，可大面积制备应用于半导体的晶圆级单晶石墨烯。应用该方法制备的半导体单晶，具有优异的电性能和机械性能。该研究负责人说，“我们预计这一发现将加速石墨烯的商业化，并可能开创消费电子技术的新时代。” 石墨烯具
离子注入装备28纳米工艺制程全覆盖
记者29日从中国电子科技集团获悉，该集团旗下中电科电子装备集团有限公司（以下简称电科装备）已实现离子注入装备28纳米工艺制程全覆盖，有力保障我国集成电路制造行业在成熟制程领域的产业安全。 据悉，离子注入机是芯片制造中的关键装备，28纳米则是当前芯片应用领域中覆盖面最广的成熟制程。 电科装备连
非晶纳米晶铁芯生产工艺及流程
常用型：环型：带材入厂检测——卷绕成铁芯——点焊——物理磁性能检测——护盒或绝缘纸或喷涂——包装出厂C型：带材入厂检测——卷绕成铁芯——工装整型——热处理——退工装——浸胶——切割——检测——护盒或绝缘纸或喷涂——包装出厂
上海纳米级等离子工艺研讨会预告
上海纳米级等离子工艺研讨会预告 2012年3月19日 本次研讨会将于Semicon2012开幕的前一天召开，我们在此诚意邀请工业界、学术界对微纳米及发光二极管等离子技术的发展趋势及设备制造与应用感兴趣的同行先进参加。 牛津仪器的外方应用专家及国内知名机构的用户将出席并发言。 本
IBM宣布用最新工艺制造5纳米芯片
IBM日前在日本京都宣布，该公司研究团队在晶体管的制造上取得了巨大的突破——在一个指甲大小的芯片上，从集成200亿个7纳米晶体管飞跃到了300亿个5纳米晶体管。据美国电气和电子工程师协会（IEEE）《光谱》杂志6日报道，这一出色表现有望挽救濒临极限的摩尔定律，使电子元件继续朝着更小、更经济的方向
石墨烯纳米带生产新工艺开发成功
据法国国家科学研究院11月19日消息，一支由美国佐治亚理工学院、法国国家科学研究中心、法国 SOLEIL同步辐射光源、法国洛林大学让·拉穆尔研究所和格勒诺布尔尼尔研究所的科研人员组成的团队，历经8年的合作研究，成功开发出生产石墨烯纳米带的新技术。石墨烯独特的物理特性令其成为电子设备的理想材料
半导体的3D时代（三）
Logic对于3D NAND“节点”，可以轻松地根据物理层数进行定义，对于DRAM节点一般采用有源区的半节距，而逻辑节点几乎是公司营销人员称之为多少就是多少。由于FinFET是3D结构，因此某些人认为当前的FinFET前沿工艺是3D，但在本次讨论中，我们认为3D是指器件堆叠，即允许堆叠多个有源层以创
原子级工艺实现纳米级图形结构的要求（二）
原子层刻蚀有助于减少这些随机缺陷的影响。因为它在自限性步骤中逐层进行，而且因为工艺步骤将化学活性物质与高能离子相分离，因此原子层刻蚀不会产生传统的刻蚀工艺中出现的粗糙的镶边层。更重要的是，原子层刻蚀与原子层沉积的重复循环，能够降低EUV中随机缺陷引起的粗糙度。凹凸表面比平面具有较高的表面体积比，这就
中芯国际推出自主研发38纳米NAND闪存工艺
9月11日，中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称中芯国际）宣布38纳米NAND闪存工艺制程已准备就绪，中芯国际凭此成为唯一一家可生产NAND产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发，可满足特殊存储器无晶圆厂对高质量、低密度NAND闪存持续增长的需求，使中芯国际占据该领域的领先地位。
原子级工艺实现纳米级图形结构的要求（一）
原子层刻蚀和沉积工艺利用自限性反应，提供原子级控制。泛林集团先进技术发展事业部公司副总裁潘阳博士分享了他对这个话题的看法。图 1． 原子层工艺中的所有半周期反应是自限性反应。技术节点的每次进步都要求对制造工艺变化进行更严格的控制。最先进的工艺现在可以达到仅7 nm的fin宽度，比30个硅原子
14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND三大尖端...
14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND三大尖端产品的影响近期笔者在清洗业务研讨会上发表了演讲。我不是一名清洗工艺专家，在演讲中介绍更多的是制造工艺的发展趋势及其对清洗的影响。我将在这篇文章中分享并进一步讨论那次演讲的内容，主要围绕DRAM、逻辑器件和NAND这三大尖端产品。DRAM
三星突破石墨烯合成技术
一个由三星电子支持的研究小组称他们在石墨烯方面取得了重大进展，可以大规模地合成石墨烯晶体，这将加速石墨烯的商业化进程。 石墨烯是是由碳原子按一定轨道组成的六角型类蜂巢晶格的平面薄膜，它是目前世界上最薄却也是最坚硬的纳米材料，只有一个碳原子厚度，并且有着优异的导电和导热等性能。但是这种特殊材
中国再次实现一箭三星
——中国再次实现一箭三星，长征二号丁运载火箭将遥感三十六号卫星发射升空 IT之家7月27日消息，今天 4 时 02 分，我国在西昌卫星发射中心使用长征二号丁运载火箭，采取一箭三星方式，成功将三颗遥感三十六号卫星发射升空，卫星顺利进入预定轨道，发射任务获得圆满成功。 本次发射是长征二号丁运载火
16日可见三星伴月
据广东天文学会预告，今年10月13日，将发生地球的姐妹——土星和金星近距离会聚的特殊天象。如果天气晴朗，中国、美国、西班牙、利比亚乃至北半球大部分地区，10月13日和14日连续两天，在日出前的东方，都可观赏到金星与土星双双巧聚在室女座。届时，金星光芒美丽可爱，像一颗璀璨的东方明珠，放射着迷人的光
纳米石英粉生产工艺,物理法和化学法纳米硅区别,白色纳米二氧化硅厂家
纳米石英粉生产工艺,物理法和化学法纳米硅区别,白色纳米二氧化硅厂家一、纳米石英粉生产工艺步骤；纳米石英粉是使用99.99%高纯度石英进行粉碎研磨制成，步骤为：原矿→清洗→磁选→破碎→粉碎→磁选→研磨→水磁选→分级→磁选→烘干→成品此工艺确保原矿中铁含量低，填充不变色不发阴。二、物理法和化学法纳米硅粉
2019－IEDM：IBM和Leti（一）
IBM和Leti在今年IEDM上分别发表了若干篇论文，其中包括一篇合作的Nanosheet论文。我有机会采访到与IBM高级逻辑与内存技术总监卜惠明和IBM高级工程师Veeraraghavan Basker，之后又分别采访了Leti advanced CMOS实验室负责人Francois Andr
高性能纳米磷酸铁锂绿色大规模制备工艺突破
近日，中国科学院金属研究所研究员王晓辉课题组与南京航空航天大学教授朱孔军合作，采用微波水热合成法在纯水的合成环境中高效制备出纳米磷酸铁锂（LiFePO4），其具有优异的电化学性能。相关结果近日发表在《绿色化学》上。 科研人员在深入理解LiFePO4形核生长机制的基础上，通过减小形核窗口时间来增
纳米砂磨机之磁性材料分类与生产工艺
磁性材料生产过程中，需要研磨分散搅拌工艺，需要使用纳米砂磨机及其成套工艺设备。 那么我们来认识一下什么是磁性材料。 磁性是物质的一种基本属性。 能对磁场作出某种方式反应的材料称为磁性材料。 按照物质在外磁场中表现出来磁性的强弱，可将其分为抗磁性物质、顺磁性物质、铁磁性物质、反铁磁性物质和
半导体大消息！美国放开对华市场，网友：不买不买！
刚刚，半导体传来一则大消息。 10月9日，韩国总统办公室通报，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其它许可。意味着，在无需单独批准的情况下，三星电子、SK海力士可以向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。值得一提的是，全球最大和第二大存储芯片制造商，三星电子、SK海力士在
台积电优势不再！－全球首个2nm芯片制造技术发布
蓝色巨人终于开始发力。 5月7日消息，IBM公司周四宣布，其在芯片制程工艺上取得重大突破，声称已打造出全球首个2nm芯片制造技术，为半导体研发再创新的里程碑。 IBM在新闻稿中称，在运行速度方面，与当前许多笔记本电脑和手机中使用的主流7nm芯片相比，IBM的这颗2nm芯片计算速度要快45%，
如何利用参考设计解决TypeC开发过程中的疑难杂症？2
“多年以后我们写半导体发展史的话，28纳米节点一定是浓墨重彩的一笔，它背后有很多的故事。”在2016 FD-SOI论坛上，复旦微电子总工程师沈磊如是说。的确，28纳米以后逻辑工艺开始分岔：立体工艺FinFET由于获得英特尔与台积电的主推成为主流，14/16纳米都已量产，10纳米工艺也
除了低功耗与低成本－FDSOI还有什么优势？（一）
“多年以后我们写半导体发展史的话，28纳米节点一定是浓墨重彩的一笔，它背后有很多的故事。”在2016 FD-SOI论坛上，复旦微电子总工程师沈磊如是说。的确，28纳米以后逻辑工艺开始分岔：立体工艺FinFET由于获得英特尔与台积电的主推成为主流，14/16纳米都已量产，10纳米工艺也
“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”项目通过验收
12月13日至14日，国家科技重大专项02专项实施管理办公室组织专家对“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”项目进行了现场验收。该项目由国家科技重大专项02专项集成电路先导工艺研发中心承担，成员包括中国科学院微电子研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、清华大学、北京大学、复旦大学等单