台积电第三季度可望超车三星首登全球半导体龙头
全球前三大半导体厂排名大洗牌，据研调机构IC Insights估计，台积电第二季度营收超越英特尔，跃居全球第二位，预期第三季度可望再超越三星，将首度登上半导体龙头宝座。根据IC Insights统计，第二季度三星（Samsung）的半导体营收226.23亿美元，为全球最大半导体厂。台积电营收181.64亿美元，超越英特尔（Intel）的148.61亿美元，跃居全球第二大半导体厂，英特尔则落居第三位。由于存储器市场表现欠佳，处于“自由落体”状态，IC Insights预期，三星第三季度营收恐将滑落至182.9亿美元，将较第二季度减少19%。IC Insights预估，台积电第三季度营收可望延续增长趋势，将突破200亿美元大关，达202亿美元，较第二季度增加11%，并一举超越三星，将首度登上全球半导体龙头宝座。三星则将落居全球第二位。英特尔第三季度营收将约150.4亿美元，较第二季度增加约1%，维持全球第三位。另外，IC Insig......阅读全文
台积电第三季度可望超车三星 首登全球半导体龙头
全球前三大半导体厂排名大洗牌，据研调机构IC Insights估计，台积电第二季度营收超越英特尔，跃居全球第二位，预期第三季度可望再超越三星，将首度登上半导体龙头宝座。根据IC Insights统计，第二季度三星（Samsung）的半导体营收226.23亿美元，为全球最大半导体厂。台积电营收181.
半导体行业再动荡：台积电被控16项专利侵权
半导体代工厂格芯（GlobalFoundries，GF）8 月 26 日在美国和德国提出多起诉讼，指控台积电（TSMC）使用的半导体技术侵犯了 16 项 GF 的专利，并希望美国贸易主管部门发布进口禁令，以停止台积电“侵权”生产的产品进口，并寻求获得“实质性”损害赔偿。台积电否认侵权，并称将积极
消息称索尼将与台积电打造半导体工厂：日本补贴一半
据位不具名的知情人士，台积电和索尼计划在日本西部熊本县投资兴建一座价值8000亿日元（约合71.4亿美元）的半导体工厂。 消息人士们透露，工厂将位于索尼所有的土地上，与索尼的图像传感器工厂毗邻。索尼可能持有负责管理该工厂的一家新公司的少数股权，工厂计划于2023或2024年投入运营，将生产用于
三星宣布3纳米工艺落地生产 竞争力几何？
半导体先进工艺竞赛继续，台积电、三星竞逐3纳米。6月30日，三星电子（KRX：005930）宣布，公司3纳米工艺芯片已经开始初步生产。 三星在声明中称，其3纳米工艺将首先应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器。不过，三星没有透露其3纳米工艺的首批客户，亦未公布其生产的
台积电TSMC公司LED照明研发中心完工
随着旗下LED照明研发中心的即将完工，台系半导体制造商台积电TSMC已经将公司之后的发展目标锁定在世界前五了。而目前世界排名前五的LED厂商分别是：飞利浦(Royal Philips Electronics)、欧司朗(Osram)、美国Cree、日亚化学(Nichia)及丰田合成( Toyo
台积电在日本建立海外最大设计中心
12月1日，据日经中文网报道，台积电今天正式在大阪市开设支援半导体设计的“设计中心”，这是继神奈川县横滨市之后的日本国内第二处设计中心，预计将成为该公司海外最大的一个设计中心。台积电事实上，台积电2020年就在日本横滨市开设了设计中心基地，而且还在广招人才。据悉，包括2023年4月入职的人员在内，该
台积电STT-MRAM技术细节（四）
图15． 在－40度时，1M循环后写入误码率小于1 ppm。图16． 热稳定性势垒Eb控制着数据保持能力的温度敏感度，在150℃（1ppm）下数据保留超过10年。在基于自旋的STT－MRAM的许多应用中，磁场干扰是一个潜在的问题。该解决方案是在封装上沉积0．3mm厚的磁屏蔽层，如图16所示，实验表明
台积电STT-MRAM技术细节（二）
图6．Rap和Rp的电阻分布间距在计入寄生电阻时变小为了感测MTJ的电阻，必须在读取期间将其两端的电压通过晶体管N1和N2钳位到一个低值，以避免读取干扰，并对其进行微调以消除感测放大器和参考电流偏移。参考电阻是1T4R配置R？（R p ＋ R ap）／ 2 ＋ R1T，如图7所示。图7．具有微调能力
台积电STT-MRAM技术细节（三）
MRAM写入操作低阻态Rp和高阻态Rap的MRAM写入操作需要如图9所示的双向写入操作。要将Rap状态写到Rp需要将BL偏置到VPP，WL到VREG＿W0，SL到0以写入0状态。要写入1状态，将Rap变成Rp需要反方向的电流，其中BL为0，SL为VPP，WL为VREG＿W1。图9．平行低电阻状态Rp
台积电STT-MRAM技术细节（一）
在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT－MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度，1M个循环的写入耐久性，在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。ULL 22nm STT－MRAM的动机与闪存相比，TSMC的嵌入式STT－MR