利用对称性破缺衬底外延二维六方氮化硼单晶
为开辟硅基电子器件之外的新途径，基于量子材料的新器件研究成为前沿热点。作为量子材料的重要分支，二维量子材料厚度只有原子级且量子效应显著，大面积、高质量的二维单晶制备是实现二维器件规模化应用的核心关键，然而晶格的非中心反演对称性给二维单晶生长带来了极大挑战。 在量子调控与量子信息重点专项资助下，北京大学刘开辉课题组与合作者设计出一种具有特殊台阶方向的非中心反演对称性的单晶晶面Cu（110）/<211>,利用其台阶边缘与六方氮化硼晶畴中硼型和氮型锯齿形边界耦合强度的能量差打破晶畴在衬底表面取向的对称性，从而实现对六方氮化硼晶畴单一取向的控制生长，并无缝拼接为分米级单晶薄膜。研究还结合原位生长技术与理论计算对生长过程进行了深入动力学研究，提出了全新的生长机理。该研究工作提供了一种制备二维单晶的普适方法，为二维器件规模化应用奠定了基础。利用对称性破缺衬底外延二维六方氮化硼单晶（Nature 570, 91(2019)）......阅读全文
基于量子材料的新器件分米级单晶薄膜的制备新方法
为开辟硅基电子器件之外的新途径，基于量子材料的新器件研究成为前沿热点。作为量子材料的重要分支，二维量子材料厚度只有原子级且量子效应显著，大面积、高质量的二维单晶制备是实现二维器件规模化应用的核心关键，然而晶格的非中心反演对称性给二维单晶生长带来了极大挑战。 在量子调控与量子信息重点专项资助下，
上海微系统所制备出晶圆级金刚石基氧化镓阵列化单晶薄膜
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队，联合南京电子器件研究所研究员李忠辉团队，在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展。12月9日，研究成果在第70届国际电子器件大会（IEDM 2024）上以口头报告的形式发表。在宽/超宽禁带半导体材料中，氧化镓的热导率最低，不到硅材料的1
单晶石墨烯薄膜生产速度提高150倍
中国科学家在《自然·纳米技术》杂志上发表论文称，他们在单晶石墨烯制备上取得了一项突破。通过对化学气相沉积法（CVD）的调整和改进，他们将石墨烯薄膜生产的速度提高了150倍。新研究为石墨烯的大规模应用奠定了基础。 石墨烯是由碳原子构成的只有一层原子厚度的二维晶体材料，在电、光、机械强度上的优异特
单晶石墨烯薄膜生产速度提高150倍
中国科学家在《自然·纳米技术》杂志上发表论文称，他们在单晶石墨烯制备上取得了一项突破。通过对化学气相沉积法（CVD）的调整和改进，他们将石墨烯薄膜生产的速度提高了150倍。新研究为石墨烯的大规模应用奠定了基础。 石墨烯是由碳原子构成的只有一层原子厚度的二维晶体材料，在电、光、机械强度上的优异
利用对称性破缺衬底外延二维六方氮化硼单晶
为开辟硅基电子器件之外的新途径，基于量子材料的新器件研究成为前沿热点。作为量子材料的重要分支，二维量子材料厚度只有原子级且量子效应显著，大面积、高质量的二维单晶制备是实现二维器件规模化应用的核心关键，然而晶格的非中心反演对称性给二维单晶生长带来了极大挑战。 在量子调控与量子信息重点专项资助下，
我国率先实现铌酸锂单晶薄膜产业化
济南晶正电子科技有限公司现已研制出铌酸锂单晶薄膜产品并量产，此举使我国具有了全球领先产业化生产铌酸锂单晶薄膜的能力，标志着我国在光电新材料领域实现重大突破。 铌酸锂晶体是集电光、声光、压电、光弹、非线性、光折变及激光活性等效应于一身的人工合成晶体。济南晶正电子科技有限公司采用离子注入及直接
我国实现米级单晶石墨烯的制备
石墨烯是典型的二维轻元素量子材料体系，具有优越的量子特性。科学界在石墨烯体系中观察到了许多量子现象和量子效应，石墨烯已经成为凝聚态物理研究领域的重要量子体系，在未来量子信息、量子计算和量子通讯等领域具有广泛的应用前景。如何获得大尺寸单晶石墨烯是石墨烯研究领域的热点和难点，是实现石墨烯工业化应用的
日盲镁锌氧单晶薄膜的电性调控研制获进展
ZnO基光电子学及透明电子学是近年来信息和材料科学领域的研究热点。理论上通过Mg、Be等元素的掺杂，ZnO基合金的禁带宽度能在很宽波段范围内进行调谐，如通过调整MgxZn1-xO中的Mg组分，其带隙可在3.37~7.8eV（368~159nm）范围内调控，从而可覆盖280~220nm日盲波段，成
大尺寸单晶石墨烯及其薄膜制备和无损转移取得重要进展
金属所大尺寸单晶石墨烯的化学气相沉积法制备及其无损转移取得重要进展 最近，中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室先进炭材料研究部的成会明、任文才研究员带领的石墨烯研究团队，在大尺寸单晶石墨烯及其薄膜的制备和无损转移方面取得重要进展。相关论文于2月28日在《自然—通
基于钽酸锂单晶薄膜的电光频率梳芯片研究取得重要进展
1月22日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队联合美国科罗拉多大学教授Gabriel Santamaria Botello、瑞士洛桑联邦理工学院教授Tobias J. Kippenberg团队，在基于绝缘体上钽酸锂单晶薄膜的电光频率梳芯片研究方面取得重要进展。相关研究成果以Ultra
分米波辐射治疗能否促进坐骨神经的再生？
近年来，在药物治疗基础上进行物理治疗逐渐成为周围神经修复再生研究的热点。物理因子中的电刺激、磁作用、分米波及调制中频脉冲电经以往实验证实可促进损伤周围神经的修复与再生。河北医科大学赵峰所在课题组进行的一项关于“Electric stimulation and decimeter wave t
科学家利用电镀方法实现毫米级厚度单晶铜片制备
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/7/505164.shtm
单晶X射线衍射的单晶衍射仪法
此法用射线计数仪直接记录射线的强度。单晶衍射仪有线性衍射仪、四圆衍射仪和韦森堡衍射仪等，其中以四圆衍射仪(图4)，(见彩图)最为通用。所谓四圆是指晶体和计数器藉以调节方位的四个圆，分别称为φ圆、圆、w圆和2θ圆。φ圆是安装晶体的测角头转动的圆；圆是支撑测角头的垂直圆，测角头可在此圆上运动；w圆是使圆
单晶X射线衍射的单晶衍射仪法
此法用射线计数仪直接记录射线的强度。单晶衍射仪有线性衍射仪、四圆衍射仪和韦森堡衍射仪等，其中以四圆衍射仪(图4)，(见彩图)最为通用。所谓四圆是指晶体和计数器藉以调节方位的四个圆，分别称为φ圆、圆、w圆和2θ圆。φ圆是安装晶体的测角头转动的圆；圆是支撑测角头的垂直圆，测角头可在此圆上运动；w圆是使圆
速度提高4倍！华理团队研发通用晶体生长技术
近日，华东理工大学清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术，将晶体生长周期由7天缩短至1.5天，实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备，为新一代的高性能光电子器件提供了丰富的材料库。相关研究成果发表于《自然—通讯》。 生长方法限制晶体应用 金属卤化物
速度提高4倍－华理团队研发通用晶体生长技术
近日，华东理工大学清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术，将晶体生长周期由7天缩短至1.5天，实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备，为新一代的高性能光电子器件提供了丰富的材料库。相关研究成果发表于《自然—通讯》。 生长方法限制晶体应用金属卤化物钙钛矿是一
速度提高4倍！华理团队研发通用晶体生长技术
近日，华东理工大学清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术，将晶体生长周期由7天缩短至1.5天，实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备，为新一代的高性能光电子器件提供了丰富的材料库。相关研究成果发表于《自然—通讯》。 生长方法限制晶体应用金属卤化物钙钛矿是一
苏州纳米所非层状结构二维单晶纳米片的研究取得进展
单晶超薄膜是拥有宏观横向尺寸和纳米级甚至原子级厚度的二维单晶材料，由于其在厚度维度上的尺寸远远小于另外两个维度，造成了该类材料的电子能级和态密度与体相材料相比会发生显著变化，从而表现出独特的物理和化学性质。对单晶超薄膜物性的深入研究及其应用的开发探索依赖于发展可控的、高质量的各种类单晶超薄膜的制
纳米级铌酸锂晶体薄膜材料研发获财政支持
济南晶正电子科技有限公司自主研发生产的国家重点鼓励发展的新材料——纳米级铌酸锂晶体薄膜材料，得到济南市政府的高度重视和支持，并由此获批了济南综合保税区的黄金地块和3000万元的财政支持。近日，山东省委常委、济南市委书记王敏到济南市高新区调研时重点关注了济南晶正项目建设情况，对其世界首创的纳米级铌
单晶硅的单晶硅制备与仿真
主要有两种方法：直拉法（Cz法）、区熔法（FZ法）；1）直拉法其优点是晶体被拉出液面不与器壁接触，不受容器限制，因此晶体中应力小，同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶。此法制成的单晶完整性好，直径和长度都可以很大，生长速率也高。所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。因此，一些化学性
钙钛矿单晶薄膜的可控制备与太阳能电池器件研究获进展
近年来，能源需求的激增和空气污染的加剧迫使人们寻求新的清洁可再生能源。太阳能被认为是最具发展前景的清洁可再生能源之一。太阳能电池是将太阳能直接转化成电能的装置，可以高效转换并利用太阳能。除了目前主要的硅基太阳能电池外，探寻高效率且廉价的新型太阳能电池成为近年来的研究热点。 近年来有机无机杂化M
CCD单晶衍射仪
CCD单晶衍射仪是一种用于物理学领域的分析仪器，于2017年1月5日启用。 技术指标 1.EOSCCD探测器； 2.增强型Mo光源和增强型Cu光源； 3.4圆kappa测角仪。 主要功能 晶体结构或分子结构的常规测定（包括晶体的点阵常数，对称性，分子的三维立体结构，键长、键角、构型、
光学单晶的种类
卤化物单晶卤化物单晶分为氟化物单晶，溴、氯、碘的化合物单晶，铊的卤化物单晶。氟化物单晶在紫外、可见和红外波段光谱区均有较高的透过率、低折射率及低光反射系数；缺点是膨胀系数大、热导率小、抗冲击性能差。溴、氯、碘的化合物单晶能透过很宽的红外波段，其熔点低，易于制成大尺寸单晶；缺点是易潮解、硬度低、力学性
单晶射线衍射仪
单晶射线衍射仪是一种用于化学领域的分析仪器，于2004年1月1日启用。 技术指标 额定功率:50kv 40mA。CCD探测器：62mm 4K CCD芯片，Mo 光源增益>170电子/X光子； X-射线发生器：功率3kW，Mo靶陶瓷X射线光管； 三轴（ω,2θ,φ）测角仪:φ360º旋转≤0.
单晶硅展|2024年上海单晶硅展览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
单晶硅是什么
单晶硅是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
什么叫单晶XRD衍射
X射线是原子内层电子在高速运动电子的轰击下跃迁而产生的光辐射，主要有连续X射线和特征X射线两种。晶体可被用作X光的光栅，这些很大数目的原子或离子/分子所产生的相干散射将会发生光的干涉作用，从而影响散射的X射线的强度增强或减弱。由于大量原子散射波的叠加，互相干涉而产生最大强度的光束称为X射线的衍射线。
什么叫单晶XRD衍射
X射线是原子内层电子在高速运动电子的轰击下跃迁而产生的光辐射，主要有连续X射线和特征X射线两种。晶体可被用作X光的光栅，这些很大数目的原子或离子/分子所产生的相干散射将会发生光的干涉作用，从而影响散射的X射线的强度增强或减弱。由于大量原子散射波的叠加，互相干涉而产生最大强度的光束称为X射线的衍射线。
单晶衍射法的概述
单晶X 射线衍射分析的基本方法为劳埃法与周转晶体法。 劳埃法 劳埃法以光源发出连续X 射线照射置于 样品台上静止的单晶体样品，用平板底片记录产生的衍射线。根据底片位置的不同，劳埃法可以分为透射劳埃法和背射劳埃法。背射劳埃法不受样品厚度和吸收的限制，是常用的方法。劳埃法的衍射花样由若干劳埃斑组
什么叫单晶XRD衍射
X射线是原子内层电子在高速运动电子的轰击下跃迁而产生的光辐射，主要有连续X射线和特征X射线两种。晶体可被用作X光的光栅，这些很大数目的原子或离子/分子所产生的相干散射将会发生光的干涉作用，从而影响散射的X射线的强度增强或减弱。由于大量原子散射波的叠加，互相干涉而产生最大强度的光束称为X射线的衍射线。