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超均匀无序波导和近红外硅光子学器件

近日,来自美国和英国的一个联合研究小组的研究人员们推出了超均匀无序平台实现近红外(NIR)光子设备来创建、探测和操纵光。 他们在一个绝缘体上的硅(SOI)平台上建造了这个装置,以演示在一个不受晶体对称性约束的灵活的硅集成电路结构的功能。 科学家们报告了被动器件元件的结果,包括波导和谐振器与传统的绝缘体上硅条形波导和垂直耦合器无缝集成。与在肋状和条形波导上制作的硅光子器件相比,超单无序平台改善了器件的致密性,提高了能量效率和温度稳定性。 世界范围内在硅光子学领域的成绩导致了可以越来越低的成本设计光学数据通信,以满足数据中心快速增长的需求。图:从左到右生成超均匀无序壁网结构(a)的协议:三角形晶格、其傅里叶谱和产生蜂窝网络的对偶镶嵌协议。(b)从左到右:隐秘的超均匀点模式、它的傅里叶光谱和将它转换成三面协调无序网络的对偶镶嵌协议 云计算和随需娱乐的爆炸式增长对数据传输、处理和存储的成本和能源需求提出了越来越大的挑战。光学......阅读全文

超均匀无序波导和近红外硅光子学器件

  近日,来自美国和英国的一个联合研究小组的研究人员们推出了超均匀无序平台实现近红外(NIR)光子设备来创建、探测和操纵光。 他们在一个绝缘体上的硅(SOI)平台上建造了这个装置,以演示在一个不受晶体对称性约束的灵活的硅集成电路结构的功能。   科学家们报告了被动器件元件的结果,包括波导和谐振器与传

硅基近红外光电转换取得突破

  近日,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陈沁课题组联合东南大学的王琦龙教授紧密合作,在低成本高效硅基热电子红外光电探测器方面取得了系列进展。他们首先提出了Au纳米颗粒修饰Si金字塔结构的方案,实验证明他们制备的这些器件的性能与那些精心设计、成本高昂的Si基近红外光电探测器性能相当,有望应用在

【解密】100ppm的低成本“检测神器” 让甲烷泄露无所遁形!

  据麦姆斯咨询报道,IBM研究人员已研制出吸收光谱平台,可以扩展到红外光谱“指纹区”。IBM公司Thomas J. Watson研究中心的团队展示了一种基于硅光子技术的芯片级光谱仪,对甲烷的探测灵敏度达100ppm。  该平台采用光纤连接1650 nm半导体激光器和砷化镓铟(InGaAs)近红外探

纳米天线首次实现可见光波段内通讯

  美国波士顿大学科学家首次开发出能在可见光波段内操作的纳米无线光学通讯系统,更短波长的可见光将大大缩小计算机芯片的尺寸。新系统的核心技术是一种纳米天线,能让光子成群移动并高精控制光子与表面等离子体间的相互转换。相关论文发表在《自然—科学报告》上。  据IEEE《光谱学》杂志网站报道,此前沿单一通道

中美研究人员设计出新型硅基光子芯片

  中国南京大学和美国加州理工学院研究人员11月25日在英国《自然·材料》杂志网络版上发表论文称,他们设计出一种新型硅基光子芯片,初步实现了光的单向无反射传输,拓展了光子晶体及传统超构材料的研究领域,为经典光系统中探索和发展具有量子特性的新型光子器件提供了新的研究思路。   通过光子而非电子携带信

硅激光向中红外光“挺进”

研究人员在近期在线出版的《自然—光子学》(Nature Photonics)期刊上报道,将硅激光的运行波长从近红外扩展到中红外光的可能性得到了极大提升。 在医学诊断和环境监测等领域,非常需要一种便宜、高能量、运行波段在中红外光范围(2微米~5微米)的硅半导体激光,但目前还没有这种激光。 Haishe

新方法让光子电子动量相匹配 有望使硅基器件获新功能

  美国麻省理工学院和以色列理工学院的科学家近日宣布,他们合作设计出一种新方法,让光子的动量与电子的动量相匹配,从而增强光和物质的相互作用。最新研究有望催生更高效的太阳能电池、新型激光器以及发光二极管(LED)等设备。   研究人员解释称,一般而言,电子的动量比光粒子(光子)的动量大几个数量级,

微电子所硅光子平台开发取得进展

  近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员闫江团队在硅光子平台开发方面取得新进展,完成硅基波导集成的锗探测器和硅基调制器的流片并取得优良结果。  硅光子技术是集成电路后摩尔时代的发展方向之一,旨在利用基于CMOS工艺的大规模集成电路技术在硅基衬底上进行光子器件和芯片的开发,最终实

小尺寸、高消光比的低功耗硅光开关研制出炉

  硅光集成是指利用CMOS工艺平台,将实现高性能调制、探测、传输和复用等功能的器件集成在同一芯片上,通过规模集成面向片上和片间光互连、高速光通信、集成传感和智能计算等提供性能更优、更具性价比的芯片和组件,其中低功耗、高性能的光开关是硅光集成在上述应用场景中需要的核心器件。  当前,硅光集成开关器件

新途径!集成于硅芯片上的石墨烯黑体发光器

  通常,集成于硅芯片上的高速发光器可作为硅基光电子学的新型架构,但基于化合物半导体的发光器很难在硅衬底上直接制造,该类发光器与硅基平台的集成面临着严峻挑战。因此,能在近红外(NIR)区域(含电信波长)工作,且高速、高度集成于硅片上的石墨烯黑体发光器开发得到契机。矩形石墨烯片连接至源极与漏极,调节输