微波混合集成电路电路射频裸芯片封装的方法（二）
用 E5071C 矢量网络分析仪对低噪声放大器进行噪声系数曲线和增益曲线测试，测试结果如图 4 和图 5 所示。 图 4 表面封装前后 Ku 频段低噪声放大器的噪声系数曲线 图 5 表面封装前后 Ku 频段低噪声放大器的增益曲线 从图 4 和图 5 可以看出，EGC-1700 无色防潮保护涂层封装后低噪声放大器的常温噪声有一定程度上升，增益均有一定程度的下降，其中噪声上升约 0.3 dB，增益下降约 0.4 dB。但噪声系数曲线和增益曲线的走势与封装前较一致。 2.2 交变湿热后的低噪声放大器性能 按照 GJB150.9A-2009 军用装备实验室环境试验方法第 9 部分：湿热试验，对 EGC-1700 无色防潮保护涂层封装后的低噪声放大器进行交变湿热试验，结束后用 E5071CC 网络矢量分析仪对低噪声放大器的噪声系数和增益进行测试......阅读全文
微波混合集成电路电路射频裸芯片封装的方法－（二）
用 E5071C 矢量网络分析仪对低噪声放大器进行噪声系数曲线和增益曲线测试，测试结果如图 4 和图 5 所示。 图 4 表面封装前后 Ku 频段低噪声放大器的噪声系数曲线 图 5 表面封装前后 Ku 频段低噪声放大器的增益曲线 从图 4 和图 5 可以看出，E
微波混合集成电路电路射频裸芯片封装的方法－（一）
对微波混合集成电路射频裸芯片表面封装工艺进行了研究。研究结果发现，通过对关键工艺点的控制，具有良好性能的 EGC-1700 无色防潮保护涂层可以实现在 X 波段的应用。对射频裸芯片的表面采用 EGC-1700 无色防潮保护涂层涂覆的低噪声放大器进行了湿热试验和高低温贮存试验，发现其关键
射频芯片工作原理、射频电路分析－（二）
3)滤波器： 结构：手机中有高频滤波器、中频滤波器。 作用：滤除其他无用信号，得到纯正接收信号。后期新型手机都为零中频手机;因此，手机中再没有中频滤波器。 4)高放管(高频放大管、低噪声放大器)： 结构：手机中高放管有两个：900M高放管、180
射频芯片工作原理、射频电路分析－（一）
一部可支持打电话、发短信、网络服务、APP应用的手机，通常包含五个部分：射频、基带、电源管理、外设、软件。 射频：一般是信息发送和接收的部分; 基带：一般是信息处理的部分; 电源管理：一般是节电的部分，由于手机是能源有限的设备，所以电源管理十分重要; 外设：一般包括LC
无线产品射频电路设计的科学方法（二）
3、PCB联合仿真阶段：原理图设计其实是一种很理想的状况，它并没有考虑到器件的寄生效应以及PCB微带线的耦合效应。因此科学的做法是需要将设计好的PCB导入到ADS Momentum里面进行电磁场仿真，并重新调整优化匹配元件值。根据RF sister多年的经验，如果模型和仿真设置得足够正常的话
射频典型电路讲解及分析（二）
基本构成电路分析 鉴相器（Phase Detector） 电荷泵——环路低通滤波器 （Charge Pump——Loop Filter ） 压控振荡器（Voltage Controlled Oscillator） 分频器（DIV） VCO的选择要素 Hi
如何提高芯片级封装集成电路的热性能？
在便携式电子市场，电源管理集成电路（PMIC）正在越来越多地采用球栅阵列（BGA）封装和芯片级封装（CSP），以便降低材料成本，改进器件的电性能（无焊线阻抗），并且实现更小的外形尺寸。但是这些优势的取得并不是没有其他方面的妥协。芯片级封装的硅片不再直接与用于导电和导热的较大散热板（E-P
射频芯片与基带芯片的工作原理及关系－（二）
原理： a. 供电：900M/1800M 两个高放管的基极偏压共用一路，由中频同时路提供;而两管的集电极的偏压由中频 CPU 根据手机的接收状态命令中频分两路送出;其目的完成 900M/1800M 接收信号切换。 b. 经过滤波器滤除其他杂波得到纯正 935M-960M
射频电路设计常见问题盘点（二）
2）RF 与 IF 走线应尽可能走十字交叉，并尽可能在它们之间隔一块地： 正确的 RF 路径对整块 PCB 板的性能而言非常重要，这也就是为什么元器件布局通常在手机 PCB 板设计中占大部分时间的原因。 在手机 PCB 板设计上，通常可以将低噪音放大器电路放在 PC
开关电源芯片内部电路解析（二）
最后详细的电路设计图，如图5。 图5 这里有个技术难点是在电流模式下的斜坡补偿，针对的是占空比大于50%时为了稳定斜坡，额外增加了补偿斜坡，我也是粗浅了解，有兴趣同学可详细学习。 误差放大器 误差放大器的作用是为了保证输出恒流或者恒压，对反馈电压进行采样处理。从而来调节驱动MOS管的PWM，如图
高速数字电路封装电源完整性分析（二）
从图4的测量结果，我们可以考到三种结构的GBN行为有很大的差异。首先考虑只有单一Pkg时的S参数，在1.3Ghz之前的行为像一个电容，在1.5Ghz后才有共振模态产生；考虑单一PCB，在0.5Ghz后就有共振模态产生，像0.73Ghz（TM01）、0.92Ghz(TM10)、1.17Gh
芯片产业链上市公司盘点之封装测试与封测设备篇
一、封装测试及所需设备在全产业链中所处位置半导体产业链可大致分为设计、晶圆制造与封装测试三大环节，芯片设计环节产出各类芯片的设计版图，晶圆制造环节根据设计版图进行掩膜制作，形成模版，并在晶圆上进行加工，封装测试环节对生产出来的合格晶圆裸晶进行切割、焊线、塑封，并对封装完成的芯片进行性能测试。早期多数
SOI集成电路的封装特点
SOI(small out-line I-leaded package)I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。
QTP集成电路的封装特点
QTP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。
QUIP集成电路的封装特点
QUIP(quad in-line package)四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚 中 心距1.27mm，当插入印刷基板时，插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板。是 比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机
SDIP集成电路的封装特点
SDIP(shrink dual in-line package)收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP 相同，但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)，因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。
QFH集成电路的封装特点
QFH(quad flat high package)四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种，为了防止封装本体断裂，QFP 本体制作得 较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。
Cerdip集成电路的封装特点
Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。
CQFP集成电路的封装特点
CQFP(quad fiat package with guard ring)带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变 形。在把LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引
SIMM集成电路的封装特点
SIMM(single in-line memory module)单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的
SOIC集成电路的封装特点
SOIC(small out-line integrated circuit)SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。
SIL集成电路的封装特点
SIL(single in-line)SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。
QFI集成电路的封装特点
QFI(quad flat I-leaded packgac)四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I 字 。 也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。
SIP集成电路的封装特点
SIP(single in-line package)单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封 装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2 至23，多数为定制产品。封装的形 状各 异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。
DIP集成电路的封装特点
DIP(dual in-line package)双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。 引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为
JLCC集成电路的封装特点
JLCC(J-leaded chip carrier)J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。
QTCP集成电路的封装特点
QTCP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
SOJ集成电路的封装特点
SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形，故此 得名。 通常为塑料制品，多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路，但绝大部分是DRAM。用SO J 封装的DRAM 器件很多都装配在SI
MCM集成电路的封装特点
MCM(multi-chip module)多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。 MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低 。 MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以
QFP集成电路的封装特点
QFP(FP)(QFP fine pitch)小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。