微波混合集成电路电路射频裸芯片封装的方法（二）
用 E5071C 矢量网络分析仪对低噪声放大器进行噪声系数曲线和增益曲线测试，测试结果如图 4 和图 5 所示。 图 4 表面封装前后 Ku 频段低噪声放大器的噪声系数曲线 图 5 表面封装前后 Ku 频段低噪声放大器的增益曲线 从图 4 和图 5 可以看出，EGC-1700 无色防潮保护涂层封装后低噪声放大器的常温噪声有一定程度上升，增益均有一定程度的下降，其中噪声上升约 0.3 dB，增益下降约 0.4 dB。但噪声系数曲线和增益曲线的走势与封装前较一致。 2.2 交变湿热后的低噪声放大器性能 按照 GJB150.9A-2009 军用装备实验室环境试验方法第 9 部分：湿热试验，对 EGC-1700 无色防潮保护涂层封装后的低噪声放大器进行交变湿热试验，结束后用 E5071CC 网络矢量分析仪对低噪声放大器的噪声系数和增益进行测试......阅读全文
微波混合集成电路电路射频裸芯片封装的方法－（二）
用 E5071C 矢量网络分析仪对低噪声放大器进行噪声系数曲线和增益曲线测试，测试结果如图 4 和图 5 所示。 图 4 表面封装前后 Ku 频段低噪声放大器的噪声系数曲线 图 5 表面封装前后 Ku 频段低噪声放大器的增益曲线 从图 4 和图 5 可以看出，E
微波混合集成电路电路射频裸芯片封装的方法－（一）
对微波混合集成电路射频裸芯片表面封装工艺进行了研究。研究结果发现，通过对关键工艺点的控制，具有良好性能的 EGC-1700 无色防潮保护涂层可以实现在 X 波段的应用。对射频裸芯片的表面采用 EGC-1700 无色防潮保护涂层涂覆的低噪声放大器进行了湿热试验和高低温贮存试验，发现其关键
射频芯片工作原理、射频电路分析－（二）
3)滤波器： 结构：手机中有高频滤波器、中频滤波器。 作用：滤除其他无用信号，得到纯正接收信号。后期新型手机都为零中频手机;因此，手机中再没有中频滤波器。 4)高放管(高频放大管、低噪声放大器)： 结构：手机中高放管有两个：900M高放管、180
射频芯片工作原理、射频电路分析－（一）
一部可支持打电话、发短信、网络服务、APP应用的手机，通常包含五个部分：射频、基带、电源管理、外设、软件。 射频：一般是信息发送和接收的部分; 基带：一般是信息处理的部分; 电源管理：一般是节电的部分，由于手机是能源有限的设备，所以电源管理十分重要; 外设：一般包括LC
无线产品射频电路设计的科学方法（二）
3、PCB联合仿真阶段：原理图设计其实是一种很理想的状况，它并没有考虑到器件的寄生效应以及PCB微带线的耦合效应。因此科学的做法是需要将设计好的PCB导入到ADS Momentum里面进行电磁场仿真，并重新调整优化匹配元件值。根据RF sister多年的经验，如果模型和仿真设置得足够正常的话
射频典型电路讲解及分析（二）
基本构成电路分析 鉴相器（Phase Detector） 电荷泵——环路低通滤波器 （Charge Pump——Loop Filter ） 压控振荡器（Voltage Controlled Oscillator） 分频器（DIV） VCO的选择要素 Hi
如何提高芯片级封装集成电路的热性能？
在便携式电子市场，电源管理集成电路（PMIC）正在越来越多地采用球栅阵列（BGA）封装和芯片级封装（CSP），以便降低材料成本，改进器件的电性能（无焊线阻抗），并且实现更小的外形尺寸。但是这些优势的取得并不是没有其他方面的妥协。芯片级封装的硅片不再直接与用于导电和导热的较大散热板（E-P
射频芯片与基带芯片的工作原理及关系－（二）
原理： a. 供电：900M/1800M 两个高放管的基极偏压共用一路，由中频同时路提供;而两管的集电极的偏压由中频 CPU 根据手机的接收状态命令中频分两路送出;其目的完成 900M/1800M 接收信号切换。 b. 经过滤波器滤除其他杂波得到纯正 935M-960M
射频电路设计常见问题盘点（二）
2）RF 与 IF 走线应尽可能走十字交叉，并尽可能在它们之间隔一块地： 正确的 RF 路径对整块 PCB 板的性能而言非常重要，这也就是为什么元器件布局通常在手机 PCB 板设计中占大部分时间的原因。 在手机 PCB 板设计上，通常可以将低噪音放大器电路放在 PC
开关电源芯片内部电路解析（二）
最后详细的电路设计图，如图5。 图5 这里有个技术难点是在电流模式下的斜坡补偿，针对的是占空比大于50%时为了稳定斜坡，额外增加了补偿斜坡，我也是粗浅了解，有兴趣同学可详细学习。 误差放大器 误差放大器的作用是为了保证输出恒流或者恒压，对反馈电压进行采样处理。从而来调节驱动MOS管的PWM，如图
高速数字电路封装电源完整性分析（二）
从图4的测量结果，我们可以考到三种结构的GBN行为有很大的差异。首先考虑只有单一Pkg时的S参数，在1.3Ghz之前的行为像一个电容，在1.5Ghz后才有共振模态产生；考虑单一PCB，在0.5Ghz后就有共振模态产生，像0.73Ghz（TM01）、0.92Ghz(TM10)、1.17Gh
芯片产业链上市公司盘点之封装测试与封测设备篇
一、封装测试及所需设备在全产业链中所处位置半导体产业链可大致分为设计、晶圆制造与封装测试三大环节，芯片设计环节产出各类芯片的设计版图，晶圆制造环节根据设计版图进行掩膜制作，形成模版，并在晶圆上进行加工，封装测试环节对生产出来的合格晶圆裸晶进行切割、焊线、塑封，并对封装完成的芯片进行性能测试。早期多数
FQFP集成电路的封装特点
FQFP(fine pitch quad flat package)小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。
DICP集成电路的封装特点
DICP(dual tape carrier package)集成电路双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为 定制品。 另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于
QFN集成电路的封装特点
QFN(quad flat non-leaded package)集成电路四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。90年代后期多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业 会规定的名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时
SMD集成电路的封装特点
SMD(surface mount devices)表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。
MFP集成电路的封装特点
MFP(mini flat package)小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
SIL集成电路的封装特点
SIL(single in-line)SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。
COB集成电路的封装特点
COB(chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。
SIP集成电路的封装特点
SIP(single in-line package)单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封 装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2 至23，多数为定制产品。封装的形 状各 异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。
PAC集成电路的封装特点
PAC(pad array carrier)凸点陈列载体，BGA 的别称(见BGA)。
LQFP集成电路的封装特点
LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。
QTCP集成电路的封装特点
QTCP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
OPMAC集成电路的封装特点
OPMAC(over molded pad array carrier)模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
SOW集成电路的封装特点
SOW(Small Outline Package(Wide-Jype))宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。
DSO集成电路的封装特点
DSO(dual small out-lint)双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
QFI集成电路的封装特点
QFI(quad flat I-leaded packgac)四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I 字 。 也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。
DIL集成电路的封装特点
DIL(dual in-line)DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
DFP集成电路的封装特点
DFP(dual flat package)双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，80年代后期已基本上不用。
JLCC集成电路的封装特点
JLCC(J-leaded chip carrier)J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。