微波混合集成电路电路射频裸芯片封装的方法（二）
用 E5071C 矢量网络分析仪对低噪声放大器进行噪声系数曲线和增益曲线测试，测试结果如图 4 和图 5 所示。 图 4 表面封装前后 Ku 频段低噪声放大器的噪声系数曲线 图 5 表面封装前后 Ku 频段低噪声放大器的增益曲线 从图 4 和图 5 可以看出，EGC-1700 无色防潮保护涂层封装后低噪声放大器的常温噪声有一定程度上升，增益均有一定程度的下降，其中噪声上升约 0.3 dB，增益下降约 0.4 dB。但噪声系数曲线和增益曲线的走势与封装前较一致。 2.2 交变湿热后的低噪声放大器性能 按照 GJB150.9A-2009 军用装备实验室环境试验方法第 9 部分：湿热试验，对 EGC-1700 无色防潮保护涂层封装后的低噪声放大器进行交变湿热试验，结束后用 E5071CC 网络矢量分析仪对低噪声放大器的噪声系数和增益进行测试......阅读全文
微波混合集成电路电路射频裸芯片封装的方法－（二）
用 E5071C 矢量网络分析仪对低噪声放大器进行噪声系数曲线和增益曲线测试，测试结果如图 4 和图 5 所示。 图 4 表面封装前后 Ku 频段低噪声放大器的噪声系数曲线 图 5 表面封装前后 Ku 频段低噪声放大器的增益曲线 从图 4 和图 5 可以看出，E
微波混合集成电路电路射频裸芯片封装的方法－（一）
对微波混合集成电路射频裸芯片表面封装工艺进行了研究。研究结果发现，通过对关键工艺点的控制，具有良好性能的 EGC-1700 无色防潮保护涂层可以实现在 X 波段的应用。对射频裸芯片的表面采用 EGC-1700 无色防潮保护涂层涂覆的低噪声放大器进行了湿热试验和高低温贮存试验，发现其关键
射频芯片工作原理、射频电路分析－（二）
3)滤波器： 结构：手机中有高频滤波器、中频滤波器。 作用：滤除其他无用信号，得到纯正接收信号。后期新型手机都为零中频手机;因此，手机中再没有中频滤波器。 4)高放管(高频放大管、低噪声放大器)： 结构：手机中高放管有两个：900M高放管、180
射频芯片工作原理、射频电路分析－（一）
一部可支持打电话、发短信、网络服务、APP应用的手机，通常包含五个部分：射频、基带、电源管理、外设、软件。 射频：一般是信息发送和接收的部分; 基带：一般是信息处理的部分; 电源管理：一般是节电的部分，由于手机是能源有限的设备，所以电源管理十分重要; 外设：一般包括LC
无线产品射频电路设计的科学方法（二）
3、PCB联合仿真阶段：原理图设计其实是一种很理想的状况，它并没有考虑到器件的寄生效应以及PCB微带线的耦合效应。因此科学的做法是需要将设计好的PCB导入到ADS Momentum里面进行电磁场仿真，并重新调整优化匹配元件值。根据RF sister多年的经验，如果模型和仿真设置得足够正常的话
射频典型电路讲解及分析（二）
基本构成电路分析 鉴相器（Phase Detector） 电荷泵——环路低通滤波器 （Charge Pump——Loop Filter ） 压控振荡器（Voltage Controlled Oscillator） 分频器（DIV） VCO的选择要素 Hi
如何提高芯片级封装集成电路的热性能？
在便携式电子市场，电源管理集成电路（PMIC）正在越来越多地采用球栅阵列（BGA）封装和芯片级封装（CSP），以便降低材料成本，改进器件的电性能（无焊线阻抗），并且实现更小的外形尺寸。但是这些优势的取得并不是没有其他方面的妥协。芯片级封装的硅片不再直接与用于导电和导热的较大散热板（E-P
射频芯片与基带芯片的工作原理及关系－（二）
原理： a. 供电：900M/1800M 两个高放管的基极偏压共用一路，由中频同时路提供;而两管的集电极的偏压由中频 CPU 根据手机的接收状态命令中频分两路送出;其目的完成 900M/1800M 接收信号切换。 b. 经过滤波器滤除其他杂波得到纯正 935M-960M
射频电路设计常见问题盘点（二）
2）RF 与 IF 走线应尽可能走十字交叉，并尽可能在它们之间隔一块地： 正确的 RF 路径对整块 PCB 板的性能而言非常重要，这也就是为什么元器件布局通常在手机 PCB 板设计中占大部分时间的原因。 在手机 PCB 板设计上，通常可以将低噪音放大器电路放在 PC
开关电源芯片内部电路解析（二）
最后详细的电路设计图，如图5。 图5 这里有个技术难点是在电流模式下的斜坡补偿，针对的是占空比大于50%时为了稳定斜坡，额外增加了补偿斜坡，我也是粗浅了解，有兴趣同学可详细学习。 误差放大器 误差放大器的作用是为了保证输出恒流或者恒压，对反馈电压进行采样处理。从而来调节驱动MOS管的PWM，如图
高速数字电路封装电源完整性分析（二）
从图4的测量结果，我们可以考到三种结构的GBN行为有很大的差异。首先考虑只有单一Pkg时的S参数，在1.3Ghz之前的行为像一个电容，在1.5Ghz后才有共振模态产生；考虑单一PCB，在0.5Ghz后就有共振模态产生，像0.73Ghz（TM01）、0.92Ghz(TM10)、1.17Gh
芯片产业链上市公司盘点之封装测试与封测设备篇
一、封装测试及所需设备在全产业链中所处位置半导体产业链可大致分为设计、晶圆制造与封装测试三大环节，芯片设计环节产出各类芯片的设计版图，晶圆制造环节根据设计版图进行掩膜制作，形成模版，并在晶圆上进行加工，封装测试环节对生产出来的合格晶圆裸晶进行切割、焊线、塑封，并对封装完成的芯片进行性能测试。早期多数
Cerquad集成电路的封装特点
Cerquad集成电路，表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm
FQFP集成电路的封装特点
FQFP(fine pitch quad flat package)小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。
MFP集成电路的封装特点
MFP(mini flat package)小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
OPMAC集成电路的封装特点
OPMAC(over molded pad array carrier)模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
PFPF集成电路的封装特点
PFPF(plastic flat package)塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。
QTP集成电路的封装特点
QTP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。
SOIC集成电路的封装特点
SOIC(small out-line integrated circuit)SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。
QFH集成电路的封装特点
QFH(quad flat high package)四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种，为了防止封装本体断裂，QFP 本体制作得 较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。
COB集成电路的封装特点
COB(chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。
MSP集成电路的封装特点
MSP(mini square package)QFI 的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
MQUAD集成电路的封装特点
MQUAD(metal quad)美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。
DIL集成电路的封装特点
DIL(dual in-line)DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
SMD集成电路的封装特点
SMD(surface mount devices)表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。
Cerdip集成电路的封装特点
Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。
QFP集成电路的封装特点
QFP(FP)(QFP fine pitch)小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。
QTCP集成电路的封装特点
QTCP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
QIC集成电路的封装特点
QIC(quad in-line ceramic package)陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。
SDIP集成电路的封装特点
SDIP(shrink dual in-line package)收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP 相同，但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)，因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。