GaN、SiC功率元件带来更轻巧的世界
众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板。 GaN、SiC、Si电源配接电路比较图 不过，姑且不论摩尔定律（Moors’ Law）能否持续下去，有些电子系统的轻便度仍待改进提升，例如笔电出门经常要带着一个厚重占体积的电源配接器（Power Adapter，俗称变压器，但变压器仅是整个配接器中最主要的一个零件），而办公居家用的桌上型监视器（Monitor）也有类似的情形，只是不外带，但依然占体积。 电源配接电路之所以占体积、重量，部分原因在于功率开关、切换器（Switch）是以矽（Si）材打造，由于今日半导体制程技术的主流大宗（数位逻辑电路）为矽，为了尽可能沿用现行技术与设备等以求降低成本，因而功率元件的材料也采行矽。 然而以矽材制成的功率......阅读全文
GaN、SiC功率元件带来更轻巧的世界
众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板。 GaN、SiC、Si电源配接电路比较图 不过，姑且不论摩尔定律（Moors
氧化镓和碳化硅功率芯片的技术差异
SiC（碳化硅）商业化已经20 多年了，GaN 商业化还不到5 年时间。因此人们对GaN 未来完整的市场布局并不是很清楚。SiC 的材料特性是能够耐高压、耐热，但是缺点是频率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。现在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅长高频，效率可以做得非常好。例如，
SiC和GaN技术将成为太阳能逆变器制胜关键
根据研究机构Lux Research报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体——即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元，意味着其稳定的复合增长率(CAGR)达到7%，略低于可再生能源和基于电网的能源设备的复合增长率9%。随着GaN
GaN－功率芯片的特点和技术优势
GaN（氮化镓）的特性与传统Si（硅）有很大区别，例如开关速度比Si 快20 倍，体积和重量更小，某些系统里可以节能约40%。这是非常可观的，对于实现“双碳”目标很有助益。它的功率密度可以提升3 倍，如果搭配快充方案，充电速度提升3 倍以上，而且成本也很合理，相比Si 的BOM（物料清单）方案，系统
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（二）
最近接连有消息报道，在美国和欧洲，氮化镓和碳化硅技术除了在军用雷达领域和航天工程领域得到了应用，在电力电子器件市场也有越来越广泛的渗透。氮化镓/碳化硅技术与传统的硅技术相比，有哪些独特优势？ 大家最近都在谈论摩尔定律什么时候终结？硅作为半导体的主要材料在摩尔定律的规律下已经走过了50多
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（一）
全球有40%的能量作为电能被消耗了, 而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国, 如何在功率电子方面减小能源消耗成了一个关键的技术难题。伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。 早在1893年诺贝尔奖获得者法国化
碳化硅－(SiC)：历史与应用
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史，主要用于磨轮和众多其他研磨应用。利用当代技术，人们已使用SiC 开发出高质量的工业级陶瓷。这些陶瓷
第三代半导体有望写入下月十四五规划－成国产替代希望
近日，有媒体报道称，权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。国信证券研报中指出半导体第三代是指半导体材料的变化，从第一代、
备受看好的氧化镓材料是什么来头？－（一）
日前，据日本媒体报道，日本经济产业省（METI）计划为致力于开发新一代低能耗半导体材料“氧化镓”的私营企业和大学提供财政支持。报道指出，METI将为明年留出大约2030万美元的资金去资助相关企业，预计未来5年的资助规模将超过8560万美元。 众所周知，经历了日美“广场协定”的日本
半导体两大原材料浅析
半导体原料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅 （Si）、锗 （Ge） 为代表的第一代半导体原料；第二阶段是以砷化镓 （GaAs）、磷化铟 （InP） 等化合物为代表；第三阶段是以氮化镓 （GaN）、碳化硅 （SiC）、硒化锌 （ZnSe） 等宽带半导体原料为主。第三代半导体原料具有
GaN：实现－5G－的关键技术
日前，由 EETOP 联合 KEYSIGHT 共同举办的“2020 中国半导体芯动力高峰论坛”隆重举行。Qorvo 无线基础设施部门高级应用工程师周鹏飞也受邀参与了这次盛会，并发表了题为《实现 5G 的关键技术—— GaN》的演讲。 首先，周鹏飞给我们介绍了无线基础设施的发展。他表示
苏州纳米所GaN/Si功率开关器件研究获得重要突破
随着能效标准不断提高，基于硅（Si）材料的功率器件改进空间越来越小；人们将目光投向新材料领域，以期实现根本改进，从而引发新一代功率器件技术的革命性突破。众多新材料中，基于氮化镓（GaN）的复合材料最引人关注。GaN基功率器件具有击穿电压高、电流密度大、开关速度快、工作温度高等优点
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（三）
SiC的高压肖特基二极管应该是在几年内在轨道交通中得到引用。而开关管的应用需要更长的系统评估。中车和国网在这方面的持续投入研发为SiC功率器件研究打下了深厚的基础，是国家第三代半导体器件发展的中坚力量。 现在大家讲第三代半导体产业往往关注于电力电子器件和射频器件的市场，其实第三代半导体
电子元件应对高功率电平的途径
它能处理多大的功率？这是对发射机中的大多数元件不可避免要问的一个问题，而且通常问的是无源元件，比如滤波器、耦合器和天线。但随着微波真空管(如行波管(TWT))和核心有源器件(如硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管和氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET))的功率电平的日益增加，当安装在精心设
2025深圳国际第三代半导体技术及封测展览会
2025深圳国际第三代半导体技术及封测展览会Shenzhen Third Generation Semiconductor Technology and Testing Exhibition基本信息时间：2025年4月9-11日地点：深圳会展中心展会简介 2025深圳第三代半导体技术及封测展
磁性电流传感器的应用都有哪些
转换和电源管理应用越来越需要具有可靠性、耐久性和准确性的电流传感器。下一代电子设备将面临重大的技术挑战，这将影响电源管理性能和效率。必须仔细选择用于监测负载吸收的功率以及控制和保护电源所需的电流传感器，在霍尔效应传感器、变压器、并联电阻器或AMR传感器中，不时选择最shi合具体应用的解决方案。根
2024半导体展会|2024中国（上海）氮化(GaN)和碳化硅(SiC)博览会「官网」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
6亿元天狼芯半导体功率三代半封装测试基地或落地浙江
集微网消息，2月15日，深圳天狼芯半导体有限公司与浙江省台州市仙居县就天狼芯—功率三代半封装测试基地项目进行洽谈。仙居财政国资消息显示，天狼芯半导体董事长曾健忠指出，该项目若在仙居成功落地，预计分三期建设完成，总投资预计为6亿元：一期投资为1.5亿元，建设SiC、GaN封装测试产线；二期拟投资2亿元
氮化镓半导体材料光电器件应用介绍
GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批
电子器件的光伏逆变器研制及示范应用项目通过验收
近日，科技部高新司在厦门组织召开了“十二五”国家863计划“基于国产宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用”项目验收会。 项目以实现碳化硅和氮化镓光伏逆变器的示范应用为最终目标，开发了低缺陷SiC外延生长技术、攻克了氮化镓二极管及增强型氮化镓三极管设计技术、碳化硅二级管及MOSFET
MIT发明3D石墨烯：世界上强度最高最轻巧的材料
长久以来，材料学家就知道，可以通过精心排布碳原子的方式获得强度超高的物质。 例如：石墨烯。迄今为止，石墨烯是人类已知的强度最大的材料，其由在非常薄的二维平面上排列的碳原子所成。 但是它有一个缺点：虽然它的薄度和独特的导电性能值得关注，可是要用石墨烯来制造出有用的三维形态的材料是非常困难的。
2024－SIC半导体展|上海SIC半导体展|
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
改变未来世界的十大技术趋势
氮化镓：新时代的一线曙光? 随着设计变得越来越复杂，工程师不断寻找更新的半导体材料。氮化镓(GaN)材料在近年来逐渐稳定立足于RF/微波应用，接下来还能用在哪些方面?它又存在哪些侷限? 根据MarketsandMarkets的报告指出，“在2014年至2022年的8年内，整个氮化镓半
个性化医疗会带来更昂贵的药物？
尽管基因组测序有望带来更多的个性化医疗，但《温哥华太阳报》上的一篇文章指出，它也可能带来更昂贵的药物。记者Randy Shore写道，以某些基因突变为靶点的治疗方案可能只在一小部分人群中起作用，因此，每位患者每年需要为这些“孤儿药(orphan drugs)”支付10万-100万美元。
日本研制世界功率最强激光器：功率一千万亿瓦特
328英尺(100米)长的激光器。该激光器主要通过将能量集中在1皮秒(兆分之一秒)内发射出去，从而能够释放巨大的能量。在实验中，激光束首先通过一个类似于荧光灯的玻璃装置。这种装置的作用主要用于能量聚焦以及放大。位于大阪的研究人员研制出输出功率达到2拍瓦的激光器激光快速点火实验平台 (LFEX)。激光
金刚石晶体材料生长及应用（一）
当前，新型冠状病毒仍在持续，对产业及企业造成了一定程度的影响，也牵动着各行各业人们的心。在此形势下，中国半导体照明网、极智头条，在国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下，开启疫情期间知识分享，帮助企业解答疑惑。助力我们LED照明企业和产业共克时艰。本期，极智课堂邀请
物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材
氢化物气相外延（HVPE）
牛总部设在美国马里兰州银泉的TDI是世界领先的发展生产新型化合物半导体，如GaN，AlN，AlGaN ，InN和InGaN的氢化物气相外延( HVPE )工艺和技术的公司。 这些材料被用于各种应用，最主要的是固态照明，短波长光电子和射频功率电子。 TDI生产的氮化物模板
人工设计酶蛋白带来“更绿”制造
在化学反应中，催化剂能改变反应的速度和效率，而酶可谓现代生物催化反应的“芯片”。若用理想的生物酶为“媒”，生物催化可事半功倍。 “生物酶本质上是一种蛋白质，或称酶蛋白。”中科院微生物所研究员吴边解释说，“蛋白质的功能主要由它的结构，即蛋白折叠方式来决定，而其结构则由基本构成单位——氨基酸的
第三代半导体材料氮化镓(GaN)技术与优势详解（一）
第三代 半导体材料——氮化镓( GaN)，作为时下新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势。与硅器件相比，GaN在 电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃，广泛应用于 功率因数校正(PFC)、软开关 DC-DC等电源系统设计，以及电源适配器、光伏 逆变器或 太阳能逆变器、服务