光刻胶软烘
软烘的目的是去掉光刻胶中的溶剂、增强光刻胶的粘附性、释放旋转涂胶产生的内应力、改善线宽控制、防止光刻胶粘附到其他器件上。软烘在真空热板上进行，软烘设备工作原理如图2.17所示，硅片放在真空热板上，热量从硅片背面通过热传导方式加热光刻胶。一般软烘温度为85~120℃，时间为30~60S。软烘后将硅片转移到轨道系统的冷板上冷却以便下一步操作。以光学紫外曝光为例，首先将硅片定位在光学系统的聚焦范围内，硅片的对准标记与掩模版上相匹配的标记对准后，紫外光通过光学系统和掩模版图形进行投影。掩模版图形若以亮暗的特征出现在硅片上，这样光刻胶就曝光了。 ......阅读全文
光刻胶软烘
软烘的目的是去掉光刻胶中的溶剂、增强光刻胶的粘附性、释放旋转涂胶产生的内应力、改善线宽控制、防止光刻胶粘附到其他器件上。软烘在真空热板上进行，软烘设备工作原理如图2.17所示，硅片放在真空热板上，热量从硅片背面通过热传导方式加热光刻胶。一般软烘温度为85~120℃，时间为30~60S。软烘后将硅片转
接触式光刻机在涂胶工艺上有哪些特殊之处？
2020年11月25日 17:23 来源: 岱美仪器技术服务（上海）有限公司 >>进入该公司展台分享： 作为光刻工艺中zuì重要设备之一，接触式光刻机一次次革命性的突破，使大模集成电路制造技术飞速向前发展。了解提高接触式光刻机性能的关键技术以及了解下一代光刻技术的发展情况是十分重要的。
匀胶机概述
匀胶机主要用于晶片涂光刻胶，有自动、手动和半自动三种工作方式。 送片盒中的晶片，自动送到承片台上，用真空吸附，在主轴电机的带动下旋转，转速100—9900转/分（±10转/分），起动加速度可调。每道程序的持续时间，转速、加速度、烘烤温度、烘烤时间、预烘时间等工艺参数均可通过编程控制。 匀胶机
光刻机工作原理和组成
光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准
微流控技术原理及起源
微型化、集成化和智能化，是现代科技发展的一个重要趋势。伴随着微机电加工系统（ MEMS ）技术的发展，电子计算机已由当年的”庞然大物”演变成由一个个微小的电路集成芯片组成的便携系统，甚至是一部微型的智能手机。 MEMS技术全称Micro Electromechanical System ， M
微流控技术起源及原理解析
微型化、集成化和智能化，是现代科技发展的一个重要趋势。伴随着微机电加工系统（ MEMS ）技术的发展，电子计算机已由当年的”庞然大物”演变成由一个个微小的电路集成芯片组成的便携系统，甚至是一部微型的智能手机。MEMS技术全称Micro Electromechanical System ， MEM
匀胶机的主要介绍
匀胶机是在高速旋转的基片上，滴注各类胶液，利用离心力使滴在基片上的胶液均匀地涂覆在基片上的设备，膜的厚度取决于匀胶机的转速和溶胶的黏度。主要用于晶片涂光刻胶，有自动、手动和半自动三种工作方式。送片盒中的晶片，自动送到承片台上，用真空吸附，在主轴电机的带动下旋转，转速100-9900转/分(±10转/
软琼脂法
软琼脂法是一种克隆化的方法。克隆化是指使单个细胞无性繁殖而获得该细胞团体的整个培养过程。
实验仪器非正常使用指南之“烘”趴神器
最近，各路大神们开始在X音上分享自己特殊的做菜方法，瞬时掀起一番“龙争虎斗”，引得一众粉丝竞相追捧。 对此，号称实验室厨神的诸位表示十分不服！嚷嚷着要奉献出自己闯荡实验室多年的感悟——实验仪器小妙招之化身厨神篇！
真空干燥箱对于所烘的物料有什么要求？
真空干燥箱对于所烘的物料是有要求的，其一是不能含有大量的水，其二是不能含有有机化合物;二者在抽真空的同时会被泵抽进体内，从而产生一系列的不良反应，影响泵的使用寿命。如果物料含水或者是有机溶剂，得加液态水过滤器和冷凝器，起到一个过滤的作用。我们在使用真空干燥箱的同时， 也一定要加强对于真空泵的维护，及