半导体ATE设备发展史
自动化测试设备（ATE，Automatic Test Equipment）是一种通过计算机控制进行器件、电路板和子系统等测试的设备。通过计算机编程取代人工劳动，自动化的完成测试序列。自动化测试设备（ATE）已是全球半导体设备产业之中的重要组成部分。 自动化测试设备（ATE）的应用场合涵盖集成电路整个产业链，主要包括了芯片的设计验证、晶圆制造相关的测试到封装完成后的最终成品测试。 自动化测试设备（ATE）从1960年代发展至今，已经形成泰瑞达（Teradyne）与爱德万测试（Advantest）的双寡头格局，占有全球近90%以上的市场。在SOC测试系统与存储器测试系统方面，泰瑞达与爱德万各有优势。 但是在模拟测试系统方面，中国厂商华峰测控（AccoTest）经过多年研发和布局，已经取得了不俗的市场份额，产品不仅在国内大批量安装，而且已经进入美国、欧洲、日本市场，获得多家顶级IDM公司内采购。 广立微（Semitroni......阅读全文
半导体ATE设备发展史
自动化测试设备（ATE，Automatic Test Equipment）是一种通过计算机控制进行器件、电路板和子系统等测试的设备。通过计算机编程取代人工劳动，自动化的完成测试序列。自动化测试设备（ATE）已是全球半导体设备产业之中的重要组成部分。 自动化测试设备（ATE）的应用场合涵盖集成电
半导体ATE设备类型
台式或一体化设备(通常带有GPIB或以太网控制) 基于VXI的卡式单元(需要计算机控制/接口和平台) 由PC驱动的便携式设备(通常带有以太网或USB控制) 独立的可编程单元(通常为台式) 自定义机架安装单元，可将各种自定义或购买的组件组合在一起，可能具有自定义接口和互连功能 此外，还有
半导体ATE设备的作用
在元器件的工艺流程中，根据工艺的需要，存在着各种需要测试的环节。目的是为了筛选残次品，防止进入下一道的工序，减少下一道工序中的冗余的制造费用。这些环节需要通过各种物理参数来把握，这些参数可以是现实物理世界中的光，电，波，力学等各种参量，但是，目前大多数常见的是电子信号的居多。ATE设计工程师们要
什么是－半导体ATE设备
ATE是Automatic Test Equipment(自动化测试设备)的英文缩写，是一种通过计算机控制进行器件、电路板和子系统等测试的设备。通过计算机编程取代人工劳动，自动化的完成测试序列。 ATE在60年代早期始于快捷半导体（Fairchild）。 那时Fairchild生产门电路器件（
RF半导体ATE设备需求类别
测试类型（单域、多域） 测试/射频端口的数量和频率 射频输入功率电平和输出功率电平 数字控制 高速数字信号和射频测试 测试吞吐量(指定测试时间，通常受处理程序动态限制) 直流电源(类型、功率电平、数量) 射频性能要求(频率、带宽、噪声、相位噪声、·VSWR、动态范围、线性等) 测
公共半导体ATE设备组件
信号源(频率合成器、本机振荡器、锁相环、混频器、数模转换器等) 接收器(低噪声放大器、模数转换器、混频器、隔离器、滤波器、限幅器、衰减器等) 用于分割信号源的分路器和组合器 可以是模块化的接口部分 射频端口 数字控制或高速数字测试端口 直流电源端口 模拟端口 上变频器/下变频器
使用半导体ATE设备测试的常用射频器件
具有高速数字或射频器件和组件的半导体晶片 无线通信芯片，例如用于蜂窝、WiFi和其他物联网应用的芯片 大容量微波单片集成电路(MMIC) 标准封装的射频设备/组件 必须满足质量控制和合格性能的中型或大型军事或工业部件 任何可根据EMC标准进行自动测试的设备，如FCC、CRISPR、CE
半导体ATE设备核心功能构造和未来展望
通盘而论，两大部类，〔1〕核心测试构造：承袭于传统的测试技术，检测技术，自动的实施信号处理（电子信号测量）。针对不同的DUT的测试提案不同，核心测试构造也会有所不同。〔2〕计算机控制构造：处理的速度和能力，取决于当时的计算机能力。计算机技术事实上已经变成了通用技术了，对于一套ATE来说，高指标的
分子诊断IVD设备的发展史（二）
托摩根核酸提取仪 MM96目前，现场分子诊断还存在诸多问题。免疫检测中可用试纸条等材料，检测方便，但是分子诊断没有这类材料可用，主要原因是样品前处理无法达到这种检测目的。当现场检测时，在很开放的环境下，如何提取纯化DNA，目前仍没有简易方法。现场检测的需求，目前在医院的临检中心还不大，对于基层的卫生
分子诊断IVD设备的发展史（一）
分子诊断在临床诊断中的技术主要包括PCR技术、芯片技术和测序技术。临床检测中，分子诊断越来越受到重视，但市场占比与生化诊断、免疫诊断相比，还存在一定的差距。目前分子诊断在体外诊断中的主要的应用领域，包括对病毒、细菌等微生物的筛查及定性定量检测，药物筛选及用药分析以及基因早期的分析。在微生物检验检测方
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「官网」2025深圳13届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2025年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间四位
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半导体设备展会|2024上海国际半导体封装设备展览会「上海半导体展」
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一篇文章说清半导体制程发展史（三）
第三个问题，技术节点的缩小过程中，晶体管的设计是怎样发展的。首先要搞清楚，晶体管设计的思路是什么。主要的无非两点：第一提升开关响应度，第二降低漏电流。为了讲清楚这个问题，最好的方法是看图。晶体管物理的图，基本上搞清楚一张就足够了，就是漏电流-栅电压的关系图，比如下面这种：横轴代表栅电压，纵轴
一篇文章说清半导体制程发展史（五）
14nm 继续FinFET。下面是英特尔的14nm晶体管的SEM横截面图，大家感受一下，fin的宽度平均只有9nm。当然，在所有后代的技术节点中，前代的技术也是继续整合采用的。所以现在，在业界和研究界，一般听到的晶体管，都被称作high-k/metal gate Ge-strained 14
一篇文章说清半导体制程发展史（四）
有朋友补充说，这种金属是钨，我查阅到资料也提到是钨；钨本身也用在后端的via中； 但是在这个问题上我有些保留，主要原因是4点：第一， 我自己上课的时候，有多位教授都明确提到过，关于这个metal gate的资料外界知之甚少，至少他们自己不知道，或因为某种原因而不愿意说；第二，从原理上说，对于
一篇文章说清半导体制程发展史（二）
第二个问题，为什么现在的技术节点不再直接反应晶体管的尺寸呢？原因也很简单，因为无法做到这个程度的缩小了。有三个主要原因：首先，原子尺度的计量单位是埃，为0.1nm。10nm的沟道长度，也就只有不到100个硅原子而已。未来晶体管物理模型是这样的：用量子力学的能带论计算电子的分布，但是用经典的电
一篇文章说清半导体制程发展史（一）
半导体制造工艺节点是如何演进的？晶体管的架构是怎样发展成如今模样的？下面告诉你...半导体制造的工艺节点，涉及到多方面的问题，如制造工艺和设备，晶体管的架构、材料等。下面，我们就具体介绍并分析一下，供大家参考。首先，技术节点是什么意思呢？常听说的，诸如，台积电16nm工艺的Nvidia GP