一篇文章说清半导体制程发展史（二）
第二个问题，为什么现在的技术节点不再直接反应晶体管的尺寸呢？原因也很简单，因为无法做到这个程度的缩小了。有三个主要原因：首先，原子尺度的计量单位是埃，为0.1nm。10nm的沟道长度，也就只有不到100个硅原子而已。未来晶体管物理模型是这样的：用量子力学的能带论计算电子的分布，但是用经典的电流理论计算电子的输运。电子在分布确定之后，仍然被当作一个粒子来对待，而不是考虑它的量子效应。因为尺寸大，所以不需要。但是越小，就越不行，就需要考虑各种复杂的物理效应。其次，即使用经典的模型，性能上也出了问题，这个叫做短沟道效应，其效果是损害晶体管的性能。短沟道效应其实很好理解，通俗地讲，晶体管是一个三个端口的开关，其工作原理是把电子从一端(源端）送到另一端(漏端），这是通过沟道进行的，另外还有一个端口（栅端）的作用是，决定这条沟道是打开的，还是关闭的。这些操作都是通过在端口上加上特定的电压来完成的。晶体管性能依赖的一点是，必须要打得开......阅读全文
解析：半导体nm制程指的是哪里？
半导体制程指的是MOS管实际制造结束时的栅级引线宽度，也就是栅级多晶硅的宽度。 当然，实际中源极和漏极会有少量延伸到栅级下面，所以源极和漏极的实际分隔距离小于栅级宽度。这个有效分开距离被称为有效沟道长度，对晶体管而言是最重要的参数。不过这个参数很难测量，所以一般直接用栅级引线宽度来
SPOS技术在半导体CMP制程中的应用
胶体混悬液与分散体有着十分广泛应用领域，而决定这些体系质量和稳定性的重要因素就是其内部的粒径分布，因而准确掌握这些体系的粒径分布特征就能确保其在广泛领域的成功应用。相对于一些整体检测技术，如：激光衍射技术与超声衰减技术，单粒子光学传感技术 (Single Particle Optical Sensi
半导体成熟制程或有管控风险－业内研判影响不一
【半导体成熟制程或有管控风险 业内研判影响不一】日前，美国和欧盟召开了贸易与技术委员会会议（TTC），并发表联合声明，双方将在传统半导体（主要是成熟制程芯片）领域加强合作，并将采取“下一步措施”。对于该声明对国产半导体的影响，证券时报记者采访半导体行业人士，有观点认为不会造成影响，或者影响有限，但需
一篇文章说清半导体制程发展史（五）
14nm 继续FinFET。下面是英特尔的14nm晶体管的SEM横截面图，大家感受一下，fin的宽度平均只有9nm。当然，在所有后代的技术节点中，前代的技术也是继续整合采用的。所以现在，在业界和研究界，一般听到的晶体管，都被称作high-k/metal gate Ge-strained 14
一篇文章说清半导体制程发展史（四）
有朋友补充说，这种金属是钨，我查阅到资料也提到是钨；钨本身也用在后端的via中； 但是在这个问题上我有些保留，主要原因是4点：第一， 我自己上课的时候，有多位教授都明确提到过，关于这个metal gate的资料外界知之甚少，至少他们自己不知道，或因为某种原因而不愿意说；第二，从原理上说，对于
一篇文章说清半导体制程发展史（一）
半导体制造工艺节点是如何演进的？晶体管的架构是怎样发展成如今模样的？下面告诉你...半导体制造的工艺节点，涉及到多方面的问题，如制造工艺和设备，晶体管的架构、材料等。下面，我们就具体介绍并分析一下，供大家参考。首先，技术节点是什么意思呢？常听说的，诸如，台积电16nm工艺的Nvidia GP
一篇文章说清半导体制程发展史（三）
第三个问题，技术节点的缩小过程中，晶体管的设计是怎样发展的。首先要搞清楚，晶体管设计的思路是什么。主要的无非两点：第一提升开关响应度，第二降低漏电流。为了讲清楚这个问题，最好的方法是看图。晶体管物理的图，基本上搞清楚一张就足够了，就是漏电流-栅电压的关系图，比如下面这种：横轴代表栅电压，纵轴
一篇文章说清半导体制程发展史（二）
第二个问题，为什么现在的技术节点不再直接反应晶体管的尺寸呢？原因也很简单，因为无法做到这个程度的缩小了。有三个主要原因：首先，原子尺度的计量单位是埃，为0.1nm。10nm的沟道长度，也就只有不到100个硅原子而已。未来晶体管物理模型是这样的：用量子力学的能带论计算电子的分布，但是用经典的电
一文读懂半导体制程技术进步的“燃料”——光刻胶
一文读懂半导体制程技术进步的“燃料”——光刻胶 光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据
解析先进半导体制程未来可能面临的挑战及解决办法2
随着线宽的微缩，对于黄光微影与蚀刻的挑战当然不在话下，曝光显影的线宽一致性（Uniformity），光阻材料（Photo Resist，PR）的选择，都将会影响到后续蚀刻的结果。蚀刻后导线的线边缘粗糙度（Line Edge Roughness，LER），与导线蚀刻的临界尺寸（Critic
解析先进半导体制程未来可能面临的挑战及解决办法1
7奈米制程节点将是半导体厂推进摩尔定律（Moore’s Law）的下一重要关卡。半导体进入7奈米节点后，前段与后段制程皆将面临更严峻的挑战，半导体厂已加紧研发新的元件设计构架，以及金属导线等材料，期兼顾尺寸、功耗及运算性能表现。 台积电预告2017年第二季10奈米芯片将会量产，7奈米制程的量产
英特尔测试完成以现有硅基半导体制程生产量子运算芯片
近日，处理器龙头英特尔实验室和组件研究组织在2022年硅量子电子研讨会表示，实验室和零部件研究部门已展示硅自旋量子运算设备的业界最高产量规格和一致性。英特尔成功以现有硅基半导体制程生产量子运算芯片，且良率达到了95%。这一成就代表了在英特尔晶体管制造工艺上扩展和制造量子芯片的一个重要里程碑。 英特尔
能力验证控制程序
一、目的 为了保证检测结果的有效性，规范检测试验中心开展的能力验证和比对试验活动，补充内部质量控制程序中的控制手段，特制定本程序。 二、范围 本程序适用于检测试验中心参加能力验证活动、开展实验室比对。 三、定义 无 四、职责 4.1 技术负责人：根据CNAS的要求，组织制定能力验证和比对试验活动计
如何在电浆蚀刻制程中控制晶圆的制程均匀度？
为了达成良率与元件效能需求，控制制程变异性，取得可重复的稳定结果是非常重要的。随着技术节点的进展，以及设计规则的改变，业界需要更严格的制程控制。有许多因素会造成变异性，所有的案例一般可归纳为：在晶粒中、晶圆、晶圆到晶圆、以及腔体到腔体。 通常，晶圆变异只能低于整体变异性的三分之一。例如
酶制剂在黄酒制程中的作用
黄酒生产中添加的酶制剂主要有淀粉酶、糖化酶、蛋白酶等其他酶制剂。现将糖化酶在黄酒生产中的应用作一介绍。一、工艺流程淋饭酒母→麦曲、糖化酶→原料→浸米→淋米→蒸米→摊晾→落缸发酵→喂饭→后发酵→压榨→酒糟。二、主要技术参数采用传统工艺，淋饭酒母，纯种麦曲，大罐发酵。1.糖化酶的使用量。淋饭酒母和喂饭发
核酸提取和纯化控制程序
核酸提取和纯化控制程序 1. 目的：规定DNA和RNA核酸样本提取和纯化实验应遵守的操作。 2. 适用范围：生物样本提取DNA和RNA核酸，并包括对核酸样品的长期保存。 3. 基本定义和术语： DNA，脱氧核糖核：基因组DNA构成了生物体的完整遗传信息。几乎所有生物体的基
锂离子电池控制程序的介绍
单个锂离子电池和完整锂离子电池的充电程序略有不同。 单个锂离子电池分两个阶段充电： 1、恒流(CC)。 2、恒压(CV)。 锂离子电池（一组串联的锂离子电池）分三个阶段充电： 1、恒流。 2、平衡（电池平衡后不需要）。 3、恒压。 在恒流阶段，充电器以稳定增加的电压向电池施加恒流
美国SBP垂直电泳系统凝胶灌制程序
美国SBP垂直电泳系统可以应用于PAGE，转印和双向电泳（2D），使用者可根据自身实验需要选择购买所需组件。系统由电泳槽和三个功能模块组成，每个模块都自带电极，电泳槽一体成型设计。系统采用专用底座配合带胶条玻璃配合制胶，简单方便，有效防止漏胶。转印时，操作类似于“三明治”的操作方式，一小时内即可完成
离子注入装备28纳米工艺制程全覆盖
记者29日从中国电子科技集团获悉，该集团旗下中电科电子装备集团有限公司（以下简称电科装备）已实现离子注入装备28纳米工艺制程全覆盖，有力保障我国集成电路制造行业在成熟制程领域的产业安全。 据悉，离子注入机是芯片制造中的关键装备，28纳米则是当前芯片应用领域中覆盖面最广的成熟制程。 电科装备连
电子制程清洗技术的演变及其发展趋势分析
前面的文章我们对电子制程中产生污染物的来源、分类以及危害作了全面的分析，本文将介绍电子制程涉及的清洗技术的演变及其发展趋势，并将当前采用的清洗技术进行了分类概括，通过对比不同类型的电子清洗技术的优缺点，使得电子清洗技术的发展趋势明了，得出安全环保的水基清洗剂是电子清洗的发展趋势。随着电子行业的迅速发
半导体展会2024半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
半导体展会2024上海半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
北科大等打造1纳米制程集成电路新赛道
近日，“中国半导体行业协会2024（第十六届）半导体市场年会暨紫光集团品牌焕新发布会”在北京举办。北京科技大学与新紫光集团签约战略合作协议，双方将聚焦先进制程集成电路的前瞻技术和关键核心技术研究开展科技创新、成果转化人才培养等全方位合作。本次战略合作是在中国科学院院士、北京科技大学前沿交叉科学技术研
半导体设备常见类型和分类
作为芯片领域的核心推动力，半导体设备在晶圆制造、封装测试、质量控制和制程过程中扮演着不可替代的角色。以下是一些常见的半导体设备，这些是半导体设备中的一些常见类型，它们共同构成了半导体制造过程中不可或缺的组成部分。一、晶圆制造设备晶圆制造设备是半导体制造过程中的核心设备之一。它包括光刻机、薄膜沉积设备
锂离子电池传统的聚合物隔膜制程特点
传统的聚合物隔膜是以聚乙烯、聚丙烯为原料，经熔融挤出、拉伸、热定型等工艺，制备出微孔聚烯烃锂离子电池隔膜材料。该材料具有较高的孔隙率和抗撕裂强度、较好的抗酸碱能力和弹性等，在循环使用几百次后，其物理性和化学性能没有明显的改变。
ELISA试剂盒室内质量控制程序
ELISA试剂盒室内质量控制误差：① 条件下的测定误差。② 已知值的血清在常规检验条件下的误差。③ 未知值的血清在常规检验条件下的误差。④ 临床应用的要求。ELISA试剂盒室内质量控制程序：1）确定控制的对象。2）规定控制对象的标准（预期值）。3）制定或选择控制方法和手段。4）测量实际数据。5）比较
实验室设施和环境条件控制程序
1. 实验室位于医院的适宜位置或楼层，便于病人识别、前往，便于与相关医护人员协调工作。2. 夜间急诊处设发光指示。3. 实验室应设等候区域，配备一定的服务设施，尽量使病人感到舒适和安慰。4. 实验室设采样区域和采样窗口，应使病人感到舒适和安全。5. 实验室应设无障碍通道或特殊操作区域，便于为有特殊要
英特尔：2025年重夺制程技术领先地位
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/2/494596.shtm近段时间以来，围绕半导体巨头英特尔有很多传闻，而英特尔自身却很少直面媒体透露自身所思所想。按照英特尔公司高级副总裁、英特尔中国区董事长王锐的话来说，就是“很长时间没有听到英特尔真正的声
ELISA质量控制室内质量控制程序
临床检验的检测结果，每次或每天之间不可能没有误差。决定允许的误差范围，以临床上不造成误诊与漏诊为准，通过以下步骤来确定质控范围。一、最佳条件下的测定误差最佳条件下已知值质控血清变异（optimal conditio variance,简称OCV）的测定：在本实验室最佳条件下（包括操作者、试剂、仪器等
2025深圳半导体展会|半导体材料展会|半导体设备展会|
「官网」2025深圳13届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2025年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间四位