采用界面调控成功制备低位错半绝缘GaN材料
1月19日，记者从广东省科学院半导体研究所获悉，该所研究团队采用界面工程调控实现蓝宝石衬底上低位错半绝缘氮化镓（GaN）材料制备。相关研究发表于《合金与化合物杂志》（Journal of Alloys and Compounds）。广东省科学院半导体研究所高级工程师张康为该论文第一作者，陈志涛博士和何晨光博士为共同通讯作者。 GaN材料作为第三代半导体材料的典型代表，因其具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强以及耐化学腐蚀等优点，在下一代电子和光电器件领域具有极强的竞争优势和应用前景。目前，在高频高功率电子器件和高灵敏度光电探测器方面已有广泛应用，然而高性能器件功能的实现需要GaN材料兼具低位错密度和半绝缘特征，但在GaN的生长过程中，蓝宝石衬底中大量氧元素向上扩散现象的存在，导致传统GaN/蓝宝石模板呈现典型的n型导电特性。 为解决这一问题，传统技术路......阅读全文
采用界面调控成功制备低位错半绝缘GaN材料
1月19日，记者从广东省科学院半导体研究所获悉，该所研究团队采用界面工程调控实现蓝宝石衬底上低位错半绝缘氮化镓（GaN）材料制备。相关研究发表于《合金与化合物杂志》（Journal of Alloys and Compounds）。广东省科学院半导体研究所高级工程师张康为该论文第一作者，陈志涛博士和
采用界面调控成功制备低位错半绝缘GaN材料
1月19日，记者从广东省科学院半导体研究所获悉，该所研究团队采用界面工程调控实现蓝宝石衬底上低位错半绝缘氮化镓（GaN）材料制备。相关研究发表于《合金与化合物杂志》（Journal of Alloys and Compounds）。广东省科学院半导体研究所高级工程师张康为该论文第一作者，
浅析适用于射频微波等高频电路的半导体材料及工艺－1
半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在 1mΩ·cm～1GΩ·cm 范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无
日本开发出2英寸SCAM晶体－有望替代蓝色LED基板
日本福田结晶技术研究所成功试制出了口径为50mm（2英寸）的ScAlMgO4（SCAM）晶体。设想用于蓝色LED元件及蓝紫色半导体激光器等GaN类发光元件的基板。与制造蓝色LED元件的基板大多使用的蓝宝石相比，SCAM更适合减少GaN类半导体的结晶缺陷，因此有望提高发光元件的亮度。据该研究所介绍
硅衬底InGaN基半导体激光器研究方面取得进展
硅是半导体行业最常见的材料，基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中，从智能手机、电脑到汽车、飞机、卫星等。随着技术的发展，研究者发现通过传统的电气互联来进行芯片与系统之间的通信已经难以满足电子器件之间更快的通信速度以及更复杂系统的要求。为解决这一问题，“光”被认为是一种非常有潜力的
GaN基半导体异质结构中的应力相关效应
GaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料,其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用,目前,影响其未来发展的有几大关键性难题,本质上都与应力场有关,深受大家关注且亟待解决。本论文通过实验研究和计算模拟,全面深入地考察了GaN基半导体异质结构中应力场的相关效应,分析其复杂性质、阐明其物理机制,进
利用位错工程调控金属材料的力学性能
Science&Acta Mater 1. 位错工程简介位错作为微观缺陷的一种，可以提供优化合金力学性能的一种途径。泰勒硬化定律只规定了以牺牲塑性为代价的高位错密度强化效果。然而，观察到的各种位错形态具有非均质性，这可能会提高综合力学性能。因此，许多研究者开始着手设计位错分布和结构。他们主要从
半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获进展
半导体产业经过长期发展，已进入“后摩尔时代”，“超越摩尔定律”迎来了高潮，未来半导体产业的发展需跳出原有框架寻求新的路径。面对这些机遇和挑战，宽禁带先进半导体等基础材料的制备也在孕育突破，新材料、新工艺和异构集成等将成为后摩尔时代的重要技术路线（图1）。 近期，中国科学院半导体研究所照明研发中
半固态锂电池及液态锂离子采用的材料介绍
采用的材料基本上可以不变，但是半固态锂电池需要采用凝胶电解质，以聚合物为电解质“基膜”加入锂盐，同时加入EC，PC等低分子有机溶剂作为增塑剂，经过浸泡活化后，得到离子电导率在固体电解质和液体电解质之间的一种物质。
半导体所等在拓扑绝缘体研究中获进展
拓扑绝缘体是目前凝聚态物理的前沿热点问题之一。它具有独特的电子结构，它在体内能带存在能隙，表现出绝缘体的行为；表面或边界的能带是线性的无能隙的Dirac锥能谱，因而是金属态。这种量子物态展现出丰富而新奇的物性，如量子自旋霍尔效应、磁电耦合、量子反常霍尔效应等。由于这种新奇的物性源
金属所发现位错是可用来有效调控材料物理特性的新组元
中国科学院金属研究所的研究人员利用高通量脉冲激光沉积技术，通过调控异质界面位错的柏氏矢量，成功构筑出具有巨大线性应变梯度、超低弹性能以及特殊物理特性的功能氧化物纳米结构。6月30日，《自然-通讯》（Nature Communications）期刊在线发表了该项研究成果。这项工作由沈阳材料科学国家
煤炭价格低位行情符合宏观调控取向
据中国之声《新闻和报纸摘要》报道，全国煤炭价格近日大幅下滑，目前已经比去年同期下跌1/4左右。国家能源局副局长吴吟日前表示，煤炭价格低位行情，符合国家转方式、调结构的宏观调控取向。将完善相关政策，防止煤炭市场大起大落。 今年5月份以来，全国煤炭市场发生急剧变化，煤炭市场景气指数大幅下滑，电
微电子所等研制出国际先进的氮化镓增强型MISHEMT器件
近日，中国科学院微电子研究所氮化镓（GaN）功率电子器件研究团队与香港科技大学教授陈敬团队，西安电子科技大学教授、中科院院士郝跃团队合作，在GaN增强型MIS-HEMT器件研制方面取得新进展，成功研制出具有国际先进水平的高频增强型GaN MIS-HEMT器件。 第三代半导体材料氮化镓具有高禁带
向金属“借位错”，陶瓷变得可拉伸
北京科技大学新金属材料国家重点实验室研究团队联合北京工业大学教授王金淑团队、香港大学教授黄明欣，首次提出向金属“借位错”的策略，实现了陶瓷的大变形拉伸塑性，陶瓷的拉伸形变量可达39.9%，强度约为2.3 GPa，颠覆了人们关于“陶瓷不可能具有拉伸塑性”的一贯认知。7月26日，相关研究成果以《借位错实
向金属“借位错”，陶瓷变得可拉伸
北京科技大学新金属材料国家重点实验室研究团队联合北京工业大学教授王金淑团队、香港大学教授黄明欣，首次提出向金属“借位错”的策略，实现了陶瓷的大变形拉伸塑性，陶瓷的拉伸形变量可达39.9%，强度约为2.3 GPa，颠覆了人们关于“陶瓷不可能具有拉伸塑性”的一贯认知。7月26日，相关研究成果以《借位
高效有机光伏材料与器件成功制备
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/6/503613.shtm有机太阳能电池利用有机半导体光伏活性材料实现太阳光能向电能转化利用，是具有重要应用潜力的新型光伏技术，包含大量的基础科学与技术问题，也是国际竞争最为激烈的研究前沿之一。其中，给体、受体
界面张力仪在绝缘油界面张力测定中的应用
绝缘油不是化学纯净的均匀物质，而是由很多不同分子的液态烃组成的混合物，是一种混合烃。因而其物理性质并不是恒定的，而是随其所含各种不同物质而变化的。根据我国现行标准GB2536《变压器油》的合格品指标是不小于40mN/m，而GB7595《运行中变压器油质量标准》中又规定投入运行前的油不小于35mN/m
半导体所在砷化镓/锗中拓扑相研究方面获重要发现
中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。 拓扑绝缘体是目前凝聚态物理的前沿热点问题之一。它具有
浅色导电高分子复合材料制备成功
中国科学院长春应用化学研究所杨小牛研究员等科研人员发明的“一种导电复合材料及其制备方法”ZL，近日获得国家知识产权局授权。 高分子纳米复合材料是近年来材料科学中发展十分迅速的一个新领域。这种新型复合材料可以将无机物的刚性、尺寸稳定性和热稳定性与高分子的韧性、可加工性及介电性质
科学家成功制备系列新型防冰材料
记者日前从中科院化学所获悉，该所绿色印刷重点实验室研究人员制出了一系列具有防冰功能的表面材料。基于该团队在防冰材料领域系统的研究工作，《美国化学会·纳米》(ACS Nano)近日刊发了该所研究员王健君应邀撰写的综述文章。 王健君介绍，研究人员分别从自然界和人类活动中获得灵感，制备了相应
什么是制备与半制备液相
制备与半制备主要是指待制备样品的量来区别，1克以上是制备级别，100毫克到1克之间是半制备级别
半制备色谱和制备色谱的区别
1.制备与半制备的差异是流速与色谱柱；半制备一般会选择直径为10mm的色谱柱；而制备选择的是直径为20的色谱柱；同样，流速也会相应提升，半制备的流速一般为1.0ml/min，而制备一般会设置为8ml/min。液相色谱仪有分析型以及制备型，分析型一般用来分析多个化学成分，可以进行定性以及定量，而制备型
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（一）
全球有40%的能量作为电能被消耗了, 而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国, 如何在功率电子方面减小能源消耗成了一个关键的技术难题。伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。 早在1893年诺贝尔奖获得者法国化
绝缘油测量界面张力的意义及界面张力的检测方法
油对水界面张力反应的是油与水的亲合力，张力大则油水不易混容(乳化)，油在精制中则易脱水(绝缘油的一重要指标是微量水PPM不能超标)，油在运行中也不易吸水，故变油器油的标准中要规定其界面张力要大于一定的值。如果变压器油受到污染或在运行中氧化、老化而生成一些微量新物质，毫无疑问都会使油对水界面的张力下降
新型高强高导耐热铝合金材料制备成功
记者18日从昆明理工大学获悉，该校研究团队与北京航空航天大学合作，近期在高强高导耐热铝合金方面取得重要进展，制备出强度、导电率及耐热性良好匹配的铝—锆—钪合金导线，在绿色铝、钛产业和先进制造业方面实现了新突破。 高强高导耐热铝合金是架空输电线路电缆用关键基础材料。研究表明，实现铝—锆—钪合金强
新型高强高导耐热铝合金材料制备成功
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517633.shtm记者2月18日从昆明理工大学获悉，该校研究团队与北京航空航天大学合作，近期在高强高导耐热铝合金方面取得重要进展，在绿色铝、钛产业和先进制造业方面实现了新突破。 ?云南铝资源
表界面张力调控分析仪
表界面张力调控分析仪是一种用于材料科学领域的分析仪器，于2018年8月31日启用。 技术指标 孔径范围 孔径范围：可测试等效孔径：2nm~0.5um（取决于液液体系的界面张力） 液液界面张力系数 液液界面张力系数：0.35 dyn/cm ~2dyn/cm（不同的液液体系） 压力范围 压力范围
我国学者成功研制高导热系数低压缩模量的热界面材料
随着半导体器件朝着微型化、高度集成化方向发展所带来的功率密度的提高，电子设备的发热量越来越大，热失效已经成为阻碍电子设备性能和寿命的首要问题。据统计，电子器件的温度每升高10℃-15℃，其相应的使用寿命将会降低50%。高效的热管理技术是解决这一问题的关键，其中一种有效的方法就是在发热源和散热器之
描述绝缘监测仪的人性化界面
人性化界面 Ø标签式页面显示，不同的菜单功能都采用统一的图形页面进行显示，为简洁清晰的人机工程学设计。 Ø人性化的界面设计，系统可以通过前页键和后页键灵活地进行页面的选择，按一下前页键即页面向前翻一页，按一下后页键即页面向后翻一页。用户也可以通过特定的向上、向下键对每一页中每一项进行选择。功
液相法氮化镓晶体生长研究
GaN是一种宽带隙半导体材料，具有高击穿电压、高的饱和电子漂移速度、优异的结构稳定性和机械性能，在高频、高功率和高温等应用领域具有独特的优势。在光电子和功率器件中具有广阔的应用前景。在液相生长技术中，助溶剂法和氨热法是生长高质量GaN的有效方法，该论文全面总结了这两种方法生长GaN的研究进展，详细分