采用界面调控成功制备低位错半绝缘GaN材料
1月19日，记者从广东省科学院半导体研究所获悉，该所研究团队采用界面工程调控实现蓝宝石衬底上低位错半绝缘氮化镓（GaN）材料制备。相关研究发表于《合金与化合物杂志》（Journal of Alloys and Compounds）。广东省科学院半导体研究所高级工程师张康为该论文第一作者，陈志涛博士和何晨光博士为共同通讯作者。 GaN材料作为第三代半导体材料的典型代表，因其具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强以及耐化学腐蚀等优点，在下一代电子和光电器件领域具有极强的竞争优势和应用前景。目前，在高频高功率电子器件和高灵敏度光电探测器方面已有广泛应用，然而高性能器件功能的实现需要GaN材料兼具低位错密度和半绝缘特征，但在GaN的生长过程中，蓝宝石衬底中大量氧元素向上扩散现象的存在，导致传统GaN/蓝宝石模板呈现典型的n型导电特性。 为解决这一问题，传统技术路......阅读全文
液相法氮化镓晶体生长研究
GaN是一种宽带隙半导体材料，具有高击穿电压、高的饱和电子漂移速度、优异的结构稳定性和机械性能，在高频、高功率和高温等应用领域具有独特的优势。在光电子和功率器件中具有广阔的应用前景。在液相生长技术中，助溶剂法和氨热法是生长高质量GaN的有效方法，该论文全面总结了这两种方法生长GaN的研究进展，详细分
一只“看不见的手”影响了镍基材料超导电性
3月2日，电子科技大学物理学院教授乔梁团队在超导新材料研究领域取得重大突破，发现了无限层镍氧化物超导体（镍基超导）超导电性的关键性元素（H）和奇异电子态（间隙位s轨道），为镍基超导领域的发展开辟了崭新的思路。研究结果在线发表于《自然》。 镍基超导是当前凝聚态物理的前沿领域，具有重要的科学意义。
电子科技大学镍基超导研究新突破：H元素的关键作用
3月2日，电子科技大学物理学院乔梁教授团队在超导新材料研究领域取得重大突破，发现了无限层镍氧化物超导体（镍基超导）超导电性的关键性元素（H）和奇异电子态（间隙位s轨道），为镍基超导领域的发展开辟了崭新的思路。研究结果以“Critical Role of Hydrogen for Superco
中国科大利用同步辐射技术实现对二氧化钒薄膜相变调控
近日，中国科学技术大学国家同步辐射实验室邹崇文副研究员和樊乐乐博士等利用同步辐射X射线衍射和倒空间成像技术，在研究二氧化钒超薄膜的外延生长和界面应力调控相变方面取得新进展，该研究成果发表于近期的Nano Letters上。 二氧化钒材料表现出独特的可逆的金属绝缘体相变，这种相变将导致VO2的电
新研究揭示金属箔单晶生长内在机制
松山湖材料实验室理事长王恩哥院士，轻元素材料与器件团队吴慕鸿研究员、付莹研究员、王玉博士后，北京大学张志斌特聘副研究员等，在大尺寸单晶金属箔材可控制备领域取得关键突破。相关成果近日在线发表于《国家科学评论》（National Science Review）。 “团队发明了大尺寸单晶金属箔通用制
聚变堆超导带材设计及其抗氦辐照损伤研究获进展
近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员方前锋课题组与美国麻省理工学院（MIT）核工系教授李巨合作，在聚变堆超导带材的设计及其抗氦辐照损伤研究中取得进展。该研究将实验设计与理论模拟相结合，验证构造多级特征结构以实现高性能材料的有效策略，并利用特殊界面调控氦泡生长的动力学过程，使铜铌
新型高载流铁基超导线材制备成功
记者4日从中国科学院电工研究所获悉，该所科研人员开发出一种铁基超导线材制备新技术，成功制备出新型高载流铁基超导线材，其载流性能指标创下新纪录。相关研究成果在线发表于《先进材料》杂志。铁基超导材料具有磁场耐受性强、稳定性高、制备成本低等优势，在下一代高能粒子加速器、可控核聚变装置及高场磁共振成像系统等
苏州纳米所GaN基核探测器研究取得新进展
GaN基材料作为第三代半导体的杰出代表，已经被广泛应用于光电子领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。另外，GaN基材料具有很好的抗辐射性和很高的化学稳定性，近年来人们逐渐开始关注其在核探测领域的基础和应用研究。常规GaN基材料因其背景载
界面原子行为调控领域取得新突破
近日，大连理工大学董红刚教授、李鹏教授团队在异质材料连接界面原子行为调控方面取得重要研究进展，提出了一种应变介导的缺陷工程诱导原子快速扩散策略，相关成果发表于《纳米快报》上，并入选当期封面。界面原子行为调控领域示意图。大连理工大学供图高性能Fe-Al异质结构符合高端装备轻量化发展需求，应用前景广阔。
中国科大二维材料系列研究取得新进展
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室国际功能材料量子设计中心在二维材料系列研究中取得新进展，理论上预言了在GaN（001）衬底上可外延生长单层蓝磷，并提出非常规的“半层－半层”生长机制。该研究成果以Half Layer By Half Layer Growth of a Blue
我国学者以MXene材料成功制备直接带隙半导体型ScCxOH材料
随着柔性透明电子技术的兴起，二维半导体材料近年来备受关注，特别是直接带隙特性使得这些二维结构有望应用在光电子学领域。在过去十年里，研究者们已相继发展出MoS2和磷烯等典型的具有直接带隙的二维半导体材料。然而，MoS2的带隙是层数依赖性的，直接带隙仅能在单层结构中实现，而磷烯在空气环境中的化学性质
半制备规模单链RNA纯化
引言寡核苷酸合成是非常高效和高产率的过程。在固相载体上进行寡核苷酸反应的典型产率为每耦合阶98～99.5%。在典型的多阶寡核苷酸合成中，杂质聚集在一起，即使是一般大小的21基体寡核苷酸的总产率也达到67～90%，较长链的寡核苷酸的产率相应较低。研究人员通常需要使用纯度高于初步合成混合物的材料。因此，
半制备液相色谱仪种类
半制备液相色谱仪种类有多种。1、按固定相和流动相的极性大小可分：正相半制备液相色谱仪和反相半制备液相色谱仪。2、按分离对象的属性可分：有机物半制备液相色谱仪和无机物半制备液相色谱仪。3、按产地可分：国产半制备液相色谱仪和进口半制备液相色谱仪。4、按分离规模可分：小型半制备液相色谱仪和大型半制备液相色
半制备规模单链RNA纯化
寡核苷酸合成是非常高效和高产率的过程。在固相载体上进行寡核苷酸反应的典型产率为每耦合阶98～99.5%。在典型的多阶寡核苷酸合成中，杂质聚集在一起，即使是一般大小的21基体寡核苷酸的总产率也达到67～90%，较长链的寡核苷酸的产率相应较低。研究人员通常需要使用纯度高于初步合成混合物的材料。因此，
微电子所在氮化镓界面态研究方面取得进展
近日，中国科学院微电子研究所高频高压中心研究员刘新宇团队等在GaN界面态研究领域取得进展，在LPCVD-SiNx/GaN界面获得原子级平整界面和国际先进水平的界面态特性，提出了适用于较宽能量范围的界面态U型分布函数，实现了离散能级与界面态的分离。 增强型氮化镓MIS-HEMT是目前尚未成功商用
绝缘物的材料介绍
中文名称绝缘物英文名称insulating material定 义用来防止热电极之间和热电极与保护管之间短路的材料。应用学科机械工程（一级学科），仪器仪表材料（二级学科），测温材料(仪器仪表)（三级学科）
新模型阐释磁性材料“半冰半火”相态
此图展示了“半冰半火”和“半火半冰”相态的图形解释（左）。图（右）显示了磁场（h）与温度（T）平面的磁熵变化。零温度下的黑点表示“半火半冰”相态出现的位置。虚线表示“半冰半火”相态隐藏的位置。图片来源：美国布鲁克海文国家实验室科技日报北京3月27日电（记者张佳欣）据美国能源部布鲁克海文国家实验室官网
东大新研究成果可同时提升钢材强度、塑性
1月13日，国际知名期刊《科学》（Science）以长文形式，在线发表了中国工程院院士、东北大学轧制技术及连轧自动化国家重点实验室学术委员会常务副主任王国栋和东北大学轧制技术及连轧自动化国家重点实验室主任袁国领导的研究团队在超高强钢铁材料增塑机制及组织创新设计方面的最新研究成果。 强度和塑
采用单片机技术的全自动界面张力仪
全自动界面张力仪采用单片机技术，大屏幕液晶显示，外型美观，自动化程度高，操作简单，准确度高，重复性好。输入数据参数掉电保存；该仪器广泛适用于电力、石油、化工、铁路等行业生产过程与产品中界面张力的测定。用铂金板时，能实时测量液体的表面张力或界面张力，对于测量含有表面活性剂或挥发性物质，其表面张力会随时
电子科大镍基超导研究新突破：H元素的关键作用
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/495038.shtm 3月2日，电子科技大学物理学院乔梁教授团队在超导新材料研究领域取得重大突破，发现了无限层镍氧化物超导体（镍基超导）超导电性的关键性元素（H）和奇异电子态（间隙位s轨道），为镍基超
物理材料仪器分会：揭示未知材料世界的探索之旅
第二十二届全国光散射学术会议，在河南开封如火如荼地进行。 9月23日下午，在“物理材料仪器分会”上，我们迎来了一场集结了材料科学和技术领域顶尖专家的盛会。本次分会场的焦点之一是创新驱动的讨论，包括材料制备、测试和分析等领域的前沿研究。与会专家们分享了各自研究的最新成果，涵盖了新型材料合成方法、
金属所在非共格界面的结构与物性研究方面取得进展
功能材料界面由于经常表现出不同于体材料的新颖物理、化学现象与性质而备受关注。比如，人们在材料界面上发现了二维电子气、界面超导、界面发光和界面磁性等。这些有趣的界面现象与性质通常归因于界面上强烈的物理与化学交互作用，因此它们大多数出现在共格界面和半共格界面上。从共格界面到半共格界面、再到非共格界面，界
苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果
氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗辐射性能和环境稳定性，使得其在核探测领域具有很好的
深圳先进院等成功制备出黑磷可控降解光热转换材料
近日，中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋与深圳大学教授张晗、香港城市大学教授朱剑豪等合作，成功制备出基于黑磷的生物可降解光热转换材料，用于实现高效安全的肿瘤光热治疗。相关论文Biodegradable black phosphorus-based nanospheres for in vi
上海微系统所等实现六角氮化硼表面石墨烯边界调控
近日，《纳米尺度》（Nanoscale）杂志以《六角氮化硼表面石墨烯晶畴边界调控》（Edge Control of Graphene Domains Grown on Hexagonal Boron Nitride）为题，在线刊登了中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室陈
仿调幅分解结构纳米金属的界面调控研究进展
引入界面来阻碍位错运动是材料强化常用手段。以往研究大多关注材料强度与其特征结构尺寸，亦即界面的“量”之间的关系。但对于界面结构、界面特性等“质”的参量，由于难以定量表征和精确调控，人们对其在材料强化中的作用仍缺乏深入研究。调幅分解可在较大晶粒内形成双连续纳米双相结构：两相晶体结构相同且取向一致
液态金属柔性电子制造研究取得进展
近日，中国科学院理化技术研究所等团队，在液态金属柔性电子制造领域取得系列进展，为柔性电子的高性能、绿色化、规模化应用提供了多项创新性技术方案。团队提出的无损刻蚀图案化技术，突破了传统增材、减材制造工艺的固有瓶颈。该技术通过乙醇环境调控液态金属与基底的界面粘附作用，结合针尖局部机械力，精准剥离半液态金
液态金属柔性电子制造研究取得进展
近日，中国科学院理化技术研究所等团队，在液态金属柔性电子制造领域取得系列进展，为柔性电子的高性能、绿色化、规模化应用提供了多项创新性技术方案。团队提出的无损刻蚀图案化技术，突破了传统增材、减材制造工艺的固有瓶颈。该技术通过乙醇环境调控液态金属与基底的界面粘附作用，结合针尖局部机械力，精准剥离半液态金
光电化学蚀刻可用于制造氮化镓中高纵横比深沟槽
日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓（GaN）中利用光电化学（PEC）蚀刻深层高纵横比沟槽的进展［Fumimasa Horikiri et al， Appl． Phys． Express， vol11， p091001， 2018］。 该团队希望该技术能够在高场中能够
细胞界面工程与功能调控研究获进展
近日，华东理工大学生物反应器工程国家重点实验室叶邦策教授课题组在DNA传感装置的设计及生物纳米杂合系统研究中取得了重要进展。该研究构建了纳米机械-天然杂合细胞，赋予了天然细胞非传统信号分子的感知、分析和处理能力，实现了多种生物功能的重编程，已发表于《美国化学会志》。 研究团队通过构建细胞表面通